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你的路子不对，可控硅的输出电流根它的内阻。频率，有关。不能单纯考虑变压器的功率。内阻大可考虑多个可控硅并联，或提高频率【单纯提高频率变压器的铁芯，磁芯随着频率的升高损耗也加大。仅供参考。
如果被控制的负载是交流电供电的大功率负载，就要控制它在交流过零点才导通，这样就需要有零点检测电路来配合。
为了消除可控硅的干扰噪声，最有效的办法就是将三相电源中的二相提供给灯光使用，将另外的一相作为音响系统专用。这样就可以避开灯光可控硅的干扰。
是的，这是可控硅调速特有的毛病没办法解决，除非你换电抗器调速。可控硅导通时间越短电流中包含的高频分量越多，杂声越大。
电压不稳定。电压过高或者过低可能会对跑步机的电子控制系统造成影响，从而导致可控硅调速故障。为了避免跑步机可控硅调速故障的发生，建议用户定期维护跑步机，检查电线连接是否良好，避免长时间过度使用跑步机。
双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。
烧毁电路。可控硅是可控硅整流元件的简称，这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、可靠性高等优点，但超过速度限度，会烧毁电路。
电压增加时，才能向可控硅的结电容充电，有电进来，才会被触发，电压升势过猛，则结电容的充电电流就会很大，甚至远大于触发所需，纵然离正向转折电压尚远，也会被触通。
如果晶闸管在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。
-3 倍。外加电压超过反向击穿电压会造成元件永久损坏，若超过正向转折电压。元件就会误导通，可控硅参数符号说明经过数次这样的导通，元件也会损坏。
⑹可控硅两端并接RC抑制电路，减小可控硅产生的噪声（这个噪声严重时可能会把可控硅击穿的）。切断干扰传播路径的常用措施⑴充分考虑电源对单片机的影响。电源做得好，整个电路的抗干扰就解决了一大半。
屏蔽 利用导电或导磁材料制成的盒状或壳状屏蔽体，将干扰源或干扰对象包围起来从而割断或削弱干扰场的空间耦合通道，阻止其电磁能量的传输。按需屏蔽的干扰场的性质不同，可分为电场屏蔽、磁场屏蔽和电磁场屏蔽。
CL组成噪音滤波电路，可抑制对其他电子设备的射频干扰。
首先要说的这是个通病，对于这样一个简单的电路来说，厂家不会花很大投资对做得很好的。其次你看再可控硅阳极加上一个限流电阻并且在变压器负载两端改加一个阻容吸收，或是突波吸收器试下。消除负载端的脉冲高压。
电流的大小可以通过控制硅的正向和反向电压来控制。当正向电压增加时，电流增加，反之亦然。此外，双向可控硅调光电路还可以通过控制硅的正向和反向电流来控制电流的大小。当正向电流增加时，电流增加，反之亦然。
整个调压控制电路处在最大导通状态。两个33k电阻和一个整流桥电路，构成的是一个预置旁路电路，整流桥是利用二极管的0.7V导通电压，来稳定两极可控硅控制的突变，对整个电路起到一定的抗干扰作用。
1、西安产的可控硅可以代替接触器。根据查询相关资料信息显示用可控硅代替接触器的基本思维方法是利用可控硅单向导电的特性，实现交流通断控制。
2、安装和维护方便，适用于需要频繁开关的负载，可控硅的优点是控制精度高、可靠性高、使用寿命长、不产生电弧干扰等，且不能频繁开关，因此用接触器比可控硅控制好。
3、比接触器反应速度更快的一种投切开关，主要适用在负载电流变化比较快的无功补偿环境中，主要是采用的是过零投切的方式，反应时间比较快。保证补偿的无功功率跟上负载电流的变化速度。
4、选用接触器的叫静态补偿，选可控硅的叫动态补偿，动态和静态是以投入、切除时间来划分的，可控硅的投切时间一般在20ms至200ms之间，能快速的跟踪电网功率因数的变化。
5、接触器只能控制加热管的通断，而可控硅不仅可以控制通断还可以精确地控制加热炉内的温度，采用一个电压调节电路，可以调节加热管的电压，如果再增加一个温度传感器采样进行温度反馈的话，可以实现恒温控制。
6、你好！你说的应该是高压吧，可控硅与真空接触器是控制开关。高压中用晶闸管阀组进行控制的叫SVC，这就要比真空接触器控制的补偿精确的多。如果安装了控制器那么他们都是可以进行远程控制的。
1、可控硅调压器工作原理可控硅（siliconcontrolledrectifier，SCR）调压器是一种电子电路，它通过控制SCR的导通状态来控制电路中电压和电流的大小。
2、可控硅的工作原理是利用电流与电压的特殊关系来控制电流流动。在给定电压范围内，可控硅的电流增长是非线性的，且会在一个特定的电压（称为“压控点”）处出现转折。
3、可控硅调压原理可控硅调压是指通过改变硅元件的温度来改变其电性能。这种调压方法主要应用于硅晶体管，硅整流器等硅器件。其原理是由于硅材料的温度系数，当硅元件的温度升高时，其电性能会发生变化。
4、可控硅的控制电压原理是通过控制四极管的电压来控制三极管的导通状态。当四极管的电压达到一定的阈值时，三极管就会导通；当四极管的电压降低到另一个阈值时，三极管就会断开。
5、可控硅调压原理 可控硅(晶闸管)交流调压电路的原理方框图如图1所示（1）整流电路采用桥式整流，将220伏，50赫兹交流电压变为脉动直流电。
6、双向可控硅制作的交流调压电路主要是控制双向可控硅导通角实现调压的。工作原理：R、RP、C、D 组成脉冲形成网络触发双向可控硅BT， 使BT在市电正负半周均保持相应正反向导通。
1、屏蔽技术 利用金属材料制成容器．将需要保护的电路包在其中，可以有效防止电场或磁场的干扰，此种方法称为屏蔽。屏蔽又可分为静电屏蔽、电磁屏蔽和低频磁屏蔽等。
2、采取信道选择、金属屏蔽、使用捕捉滤波器、信号强度增强器、扩频技术、跳频技术等众多措施，可以有效反无线电干扰。信道选择 如果频率相同，干扰的影响将进一步加剧，即使通过尝试不同的通道来减少干扰也没有用处。
3、抑制干扰源的常用措施如下：⑴继电器线圈增加续流二极管，消除断开线圈时产生的反电动势干扰。仅加续流二极管会使继电器的断开时间滞后，增加稳压二极管后继电器在单位时间内可动作更多的次数。
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