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1、Vgs就是栅极对源极的电压,如果源极直接接地,栅极电压就等于Vgs。
2、过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可以理解为:超过驱动门限(Vth)的剩余电压大小。1)只有在你的过驱动电压“大于零”的情况下,沟道才会形成,MOS管才会工作。也就是说,能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。
3、门极漏极之间的电压,也就是电势差。如果都用源极作为参考点的话,那么可以写成电势差Vgs-Vds 的形式。即临界时,Vgd=Vgs-Vds=Vth,即Vds=Vgs-Vth 这就是推导过程。
4、导通是有电阻的,它又不是超导材料,连“导体”都不是,而是“半导体”,只要有电流流过,就有电压降,当电流达到某值,超过这时Vgs控制电压能够产生的电流量,才进入饱和区。
5、(1) 增强型NMOS管的转移特性:在一定VDS下,栅-源电压VGS与漏极电流iD之间的关系:IDO是VGS=2VT时的漏极电流。(2) 输出特性(漏极特性)表示漏极电流iD漏-源电压VDS之间的关系:。
6、耐压值,额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数,其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生 尖峰电流时。mos管,即在集成电路中绝缘性场效应管。
确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。
MOS管的的最大允许电流是靠设计参数来确定的,使用电气参数测量方法无法确定,不过可以使用测量导通电阻方法估算,大约是V/导通电阻,V是参考压降,取值0.8-3,高压管取值大些,低压管取值小些。
参考器件手册,MOS管的使用,散热条件很重要!要大的散热器帮助散热!DS接一个大功率的负载电阻(有可调的),然后试着调整!但一般不这样做。
事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。
看来,你没注意过其它MOS管的参数。一种习惯,把P管的电流写为负,N管写为正;晶体三极管也一样,PNP的电压写为负,NPN的电压写为正。
1、驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗,简单的计算公式为:I=cvf,考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,必须想办法降低c、v和f。
2、首先,MOS管发热的原因是什么?MOS选型不合理,内阻较大,或者是封装导热性不好,导致温升较高。散热效果不好,MOS管是贴在PCB板上的还是拧在散热片上的。
3、MOS管的功率,一般是指Maximum Power Dissipation--Pd,最大的耗散功率,具体是指MOS元件的容许损失,可从产品的热阻上求得。
4、:驱动频率过高。2:G极驱动电压不够。3:通过漏极和源极的Id电流太高。因此测试重点放在MOS管上,准确测试它的工作状况,才是问题的根本。
5、功耗,功率的损耗,指设备、器件等输入功率和输出功率的差额。电路中通常指元、器件上耗散的热能。功耗同样是所有的电器设备都有的一个指标,指在单位时间中所消耗的能源的数量,单位为W。电路中指整机或设备所需的电源功率。
6、选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构成了低压侧开关。
1、MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似,即使系统产生尖峰电流,也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。
2、用功率和效率算出初级电流的峰值,然后以峰值电流乘以这个电阻得到电压(一般用一个小的RC来消电压尖峰),这个电压有一些芯片是1V,也就是说你的峰值电流乘以这个电阻为1(视芯片而定)。
3、Ron=1/[β(Vgs-VT)]。mos管漏源导通电阻的计算公式为:Ron=1/[β(Vgs-VT)]。其中,Vgs是MOS管的栅源电压,VT是MOS管的阈值电压,β是MOS管的放大倍数。
4、mos管vds电压计算方法:根据P=I*I*R,得出I=3A。所以MOS管的选型应Vds>272V,ID>3A。你所问的Vds是指D极相对于S极的电压,也就是由原来的参考地改为以S作为参考。
MOS管的功率,一般是指Maximum Power Dissipation--Pd,最大的耗散功率,具体是指MOS元件的容许损失,可从产品的热阻上求得。
功率指物体在单位时间内所做的功的多少,即功率为描述做功快慢的物理量。功的数量一定,时间越短,功率值就越大。求功率的公式为功率=功/时间。功耗,功率的损耗,指设备、器件等输入功率和输出功率的差额。
MOS管的最大功耗取决于管子允许的温升,最好功耗确定后,便可在管子的输出特性曲线上画出临界最大功耗线。
MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。有许多参数会影响开关的性能,但最重要的是栅极/漏极,栅极/源极和漏极/源极电容。这些电容器在设备中产生开关损耗,因为每次开关时都会对其充电。
假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。
一直处于导通的MOS管很容易发热。另外,慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数,其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。
驱动频率过高,G极驱动电压不够,通过漏极和源极的Id电流太高。buckboost电路mos管发热原因是驱动频率过高,G极驱动电压不够,通过漏极和源极的Id电流太高,重要的是进行正确的测试,才能发现问题所在。
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