常用高压mos管（国产高压mos管现状）

发布时间：2023-08-16

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1、电压不同高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。

2、开关电源，电动马达、照明调光等驱动电路中。在这里应用中，使用的是低压MOS管。低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有3V。

3、场效应管也叫mos管，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

4、MOS管是小电压控制电流的。MOS管的输入电阻极大，兆欧级的，容易驱动，但是价格比三极管要高，一般适用于需要小电压控制大电流的情况，电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场效应管。

5、通常耐高压的mos管其反应速度比耐低压的mos管要慢，也就是说其工作频率相对会低一些。

mosfet是金属氧化物半导体场效应晶体管。

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。

MOSFET：金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。

MOSFET （电力场效应晶体管）驱动电路简单，需要驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性高于GTR但是电流容量小。

1、MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管），属于绝缘栅型。

2、可以选择带有快速开关特性的N沟道MOS管，常用的型号有IRF140IRF320IRF3710等。这些MOS管具有低导通电阻、高开关速度、低开关损耗等优点，适合于高频开关电路的应用。

3、贴片8脚场效应管MOS管9926A20V6A双N沟道，产品广泛应用于显示屏车载LED照明无线充方案，产品型号(PartNo.)：9926A。

4、MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种。即：N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。具体到型号，你可以在网上搜一下，有MOS管型号对照表。

常用高压mos管（国产高压mos管现状）