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tvs管和mos管（tvs管的用法）

发布时间：2023-05-20
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本文目录一览：

保护板的MOSFET的SD之间的TVS管烧毁了,可能是什么原因?

MOSFET中G，S两极之间使用了双向TVS管抑制瞬态电压，防止MOSFET损坏。

您好：MOSFET管在关断的时候会有一个超过工作电压的应力尖峰，如果这个尖峰过大，那么DS级的TVS管就吸收不了，然后烧毁。

两个MOS管并联使用的作用是什么?

1、mos管并联一般都是在电流放大电路，当输出电流不够时，需要并联几个或几十个。

2、如果是两个管子并联，就是加大电流，用两只管子代替一只管子，提高驱动能力。如果是 复合管连接，就是增大管子的跨导，即增大放大能力。

3、主要是扩流和自动均流的作用。在需要大电流的场合，有时候一个管子不够用，而买更大容量的单管，一方面成本吃不消，另一方面也很难买，所以就考虑MOS管并联的方法，此时总电流就等于各并联支路的电流之和。

4、这是用来起阻尼作用的！对MOS起保护作用！同时还有均压的作用，可以保证串联的管子的工作电压。

5、mos管的作用如下：MOS工作在导通区或者截止区的时候可以当开关使用。外加PWM信号可以用于调压，电机调速等方面。

为什么mos管有的加tvs有的不加

1、mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

2、原理不同。最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道，而增强型只有在开启后，才出现导电沟道。控制方法不同。（1）、耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通。

3、两个MOS管并联使用的作用是为增大输出电流，一般用在功放的末级电流不够时才用此电路。

4、反激电路中，RCD吸收电路和TVS的区别 首先对MOS管的VD进行分段：ⅰ，输入的直流电压VDC；ⅱ，次级反射初级的VOR；ⅲ，主MOS管VD余量VDS；ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1。

TVS管选型,怎样去除上电峰值电压?

电磁阀就是这样了，这是电感特性决定，一般并联反接二极管，几乎不见用TVS管的。

按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把TVS分为±5%VBR和±10%VBR两种。对于±5%VBR来说，VWM=0.85VBR；对于±10%VBR来说，VWM =0.81VBR。 （3）最大箝位电压VC和最大峰值脉冲电流IPP。

TVS管的选取应根据电路的具体情况来选取指标合适的TVS器件，选取依据如下：选取器件的最大反向电压VRWM应大于电路正常工作电压。选取器件应能够汲取预期的瞬态峰值电流IPP。

V是最大脉冲峰值电流情况下的最大箝位电压，一般情况下会低于这个值。

VC：钳位电压，施加规定波形的峰值脉冲电流IPP时，TVS二极管两端测得的峰值电压。 VBR：击穿电压，是TVS管的最小雪崩电压。

V是试验等级3的要求，是给定条件的测试要求，不是计算的。

mos管ds反峰抑制能直接加TVS管吗?

工艺区别。MOS，是MOSFET的缩写，由于工艺区别，有的加tvs有的不加。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET）。

MOS管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

将剪断的电源线两端分别连接到TVS管的两个引脚。将TVS管与其他保护元件（如电阻、电容等）组成完整的保护电路。完成电路连接后，进行必要的测试和验证，确保保护电路能够正常工作并提供所需的过电压保护。

m0S管dS之间的电流如何通过g极的电压控制电路。—般都用运放做电压比较器进行电压比较后输出经限流电阻接到g极 ，比较电压输出大小给g极 从而可以控制dS极的导通电流。

MOS管上的二极管什么作用

MOS管的栅极是由二氧化硅与另两个电极隔离的，其电阻极高，容易感应静电，导致击穿烧毁，为了防止静电的积累并一个雪崩二极管上去，当电压超过一定值时雪崩二极管反向击穿释放电荷，从而起到保护MOS管的作用。

一般是起保护作用，并且一般采用反向二极管或者稳压二极管。

这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。

这个叫寄生二极管，当电路中产生很大的瞬间反向电流时，就可以通过这个二极管导出，保护了MOS管的D极和S极。如果没有这个二极管，就有可能击穿这个MOS管了。

关键词：tvs管和mos管 寄生二极管 mos管并联 mos管 反接二极管

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