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gto是脉冲触发。可关断晶闸管(GTO)又称门极可关断晶闸管或门控晶闸管,是晶闸管的一种派生器件。它的主要特点是门极加正脉冲信号触发管子导通,门极加负脉冲信号触发管子关断,因而属于全控型器件。
半控型器件,例如晶闸管;全控型器件,例如GTO(门极可关断晶闸管)、GTR(电力晶体管),Power MOSFET(电力场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管);不可控器件,例如电力二极管。
不可以换着用GTO(Gate-Turn-Off Thyristor)是门极可关断晶闸管的简称,他是晶闸管的一个衍生器件。但可以通过门极施加负的脉冲电流使其关断,属于全控型器件。
电力电子器件GTO 可关断晶闸管GTO(Gate Turn-Off Thyristor)亦称门控晶闸管。其主要特点为,当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。前已述及,普通晶闸管(SCR)靠门极正信号触发之后,撤掉信号亦能维持通态。
1、GTO(门级可关断晶闸管):全控型器件 电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强 电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低 。
2、其中属于双极器件的有:SCR、GTO、GTR以及IGBT;单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器,也叫晶闸管,主要用在类似于二极管的领域,其与二极管不同的是,正向工作时,可通过门极电流来触发导通。
3、IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
4、mosfet是由电压控制器件,开关速度比三极管快,内阻比三极管低。所以适合做开关管,开关损耗低。igbt 结构上是电压控制的三极管。开关速度比mosfet慢些,特别是off time.但是,它容易做到高电压,大电流。
5、电压控制型比如MOSFET和IGBT 电流控制型比如BJT,GTO,GTR等等。
而功率MOSFET由于是单极型器件,电流处理能力相对较弱,但由于其在开关过程中,没有载流子存储的建立与抽取,其频率特性好,用于高频低压领域。
IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点,具有电导调制效应,其通流能力很强,但是开关速度较慢,所需驱动功率大,驱动电路复杂。
MOSFET优点:热稳定性好、安全工作区大。缺点:击穿电压低,工作电流小。IGBT是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。
IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz(1000KHz),应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。
IGBT因为有拖尾现象所以一般频率不如MOS管,超过100KHz就算很高了,而VMOS就可以更高。 SCR频率就低了一般也就几百Hz,GTO比SCR高不了多少,GTR稍高可到几K最多几十K。
晶闸管和二极管是两类不同的器件,谈不上区别。晶闸管有单向和双向之分,通常的晶闸管,开通后不能自行关断,需要在外加电压下降到0甚至反向时才关断。
定义不同 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又被称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅。
从晶闸管的电路符号可以看到,它和二极管一样是一种单方向导电的器件,关键是多了一个控制极G,这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
可关断晶闸管(GTO)又称门极可关断晶闸管或门控晶闸管,是晶闸管的一种派生器件。它的主要特点是门极加正脉冲信号触发管子导通,门极加负脉冲信号触发管子关断,因而属于全控型器件。
晶闸管是一种大功率的整流元件,它的整流电压可以控制,当供给整流电路的交流电压一定时,输出电压能够均匀调节,它是一个四层三端的半导体器件。
在tf阶段,GTO元中两个等效晶体管从饱和退出到放大区;所以随着阳极电流的下降,阳极电压逐步上升,因而关断时功耗较大。在电感负载条件下,阳极电流与阳极电压有可能同时出现最大值,此时的瞬时关断损耗尤为突出。
GTO是门机关断晶闸管,是在晶闸管的基础发展来的。相同点:都是流控器件、都需要持继的控制电流才能持继导通。
1、半控型器件,例如晶闸管;全控型器件,例如GTO(门极可关断晶闸管)、GTR(电力晶体管),Power MOSFET(电力场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管);不可控器件,例如电力二极管。
2、其中属于双极器件的有:SCR、GTO、GTR以及IGBT;单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器,也叫晶闸管,主要用在类似于二极管的领域,其与二极管不同的是,正向工作时,可通过门极电流来触发导通。
3、电力二极管为不可控器件,结构和原理简单,工作可靠;还可以分为电压驱动型器件和电流驱动型器件,其中GTO、GTR为电流驱动型器件,IGBT、电力MOSFET为电压驱动型器件。断路器是属于电力电子元器件的,不好证明。
4、击穿电压低,工作电流小。IGBT是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。
5、IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
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