飞利浦电子元器件（飞利浦电子元器件价格表）

本文目录一览：

• 1、飞利浦电解电容np是什么意思p
• 2、谁能提供我一份电子元器件的供应商的清单？最好从国际大厂开始，电阻，电容，电感，二极管，三极管等等
• 3、出口品牌电子元器件（如Philips , ST 等)，但国外客户指定的货代说没有授权书就不接受我们的货，该怎么办？

飞利浦电解电容np是什么意思p

电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合， 旁路，滤波，调谐回路， 能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF)、皮法拉（pF),1F=10^6uF=10^12pF

一、电容器的型号命名方法

国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。

第一部分：名称，用字母表示，电模液亮容器用C。

第二部分：材料，用字母表示。

第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。

第四部分：序号，用数字表示。

用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I- 玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介

二、电容器的分类

1、按照结构分三大类：固定电容器、可变电容埋手器和微调电容器。

2、按电 解质 分类有：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介

质电容器等。

3、按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型

电容器。

4、频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容

器。

5、低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。

6、滤波：铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。

7、调谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。

8、高频耦合：陶瓷电容器、云母电容器、聚苯乙烯电容器。

9、低耦合：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容

器。

10、小型电容：金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电 容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。

三、常用电容器

1、铝电解电容器

用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的化氧化膜作介质的电容器.因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性. 容量大，能耐受大的脉动电流，容量误差大，泄漏电流大；普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在25kHz以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波。

电容量：0.47--10000u

额定电压：6.3--450V

主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大

应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等

2、钽电解电容器（CA）铌电解电容（CN）

用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰旦宽温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态超小型高可靠机件中。

电容量：0.1--1000u

额定电压：6.3--125V

主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容

应用：在要求高的电路中代替铝电解电容

3、薄膜电容器

结构与纸质电容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好，介电损耗小不能做成大的容量，耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路。

a 聚酯（涤纶）电容（CL）

电容量：40p--4u

额定电压：63--630V

主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差

应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路

b 聚苯乙烯电容（CB）

电容量：10p--1u

额定电压：100V--30KV

主要特点：稳定，低损耗，体积较大

应用：对稳定性和损耗要求较高的电路

c 聚丙烯电容（CBB）

电容量：1000p--10u

额定电压：63--2000V

主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差

应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路

4、瓷介电容器

穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小，频率特性好，介电损耗小，有温度补偿作用不能做成大的容量，受振动会引起容量变化特别适于高频旁路。

a 高频瓷介电容（CC）

电容量：1--6800p

额定电压：63--500V

主要特点：高频损耗小，稳定性好

应用：高频电路

b 低频瓷介电容（CT）

电容量：10p--4.7u

额定电压：50V--100V

主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差

应用：要求不高的低频电路

5、独石电容器

(多层陶瓷电容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次绕结成一块不可分割的整体，外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可靠和耐高温的新型电容器，高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能，体积极小，Q值高容量误差较大噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路。

容量范围：0.5PF--1UF

耐压：二倍额定电压。

电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等。

应用范围：广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。

6、纸质电容器

一般是用两条铝箔作为电极，中间以厚度为0.008～0.012mm的电容器纸隔开重叠卷绕而成。制造工艺简单，价格便宜，能得到较大的电容量

一般在低频电路内，通常不能在高于3～4MHz的频率上运用。油浸电容器的耐压比普通纸质电容器高，稳定性也好，适用于高压电路。

7、微调电容器

电容量可在某一小范围内调整，并可在调整后固定于某个电容值。 瓷介微调电容器的Q值高，体积也小，通常可分为圆管式及圆片式两种。云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式东，结构简单，但稳定性较差。线绕瓷介微调电容器是拆铜丝〈外电极〉来变动电容量的，故容量只能变小，不适合在需反复调试的场合使用。

a 空气介质可变电容器

可变电容量：100--1500p

主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等

应用：电子仪器，广播电视设备等

b 薄膜介质可变电容器

可变电容量：15--550p

主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大

应用：通讯，广播接收机等

c 薄膜介质微调电容器

可变电容量：1--29p

主要特点：损耗较大，体积小

应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿

d 陶瓷介质微调电容器

可变电容量：0.3--22p

主要特点：损耗较小，体积较小

应用：精密调谐的高频振荡回路

8、陶瓷电容器

用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。高频瓷介电容器适用于高频电路。

9、玻璃釉电容器（CI）

由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成"独石"结构性能可与云母电容器媲美，能耐受各种气候环境，一般可在200℃或更高温度下工作，额定工作电压可达500V，损耗tgδ0.0005～0.008

电容量：10p--0.1u

额定电压：63--400V

主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）

应用：脉冲、耦合、旁路等电路

四、电容器主要特性参数

1、标称电容量和允许偏差

标称电容量是标志在电容器上的电容量。

电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。

精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）

一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。

2、额定电压

在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的永久损坏。

3、绝缘电阻

直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻.

当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉0.1uf时，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越大越好。

电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。

4、损耗

电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。

在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。

5、频率特性

随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。

五、电容器容量标示

1、直标法

用数字和单位符号直接标出。如01uF表示0.01微法，有些电容用“R”表示小数点，如R56表示0.56微法。

2、文字符号法

用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF, 2u2表示2.2uF.

3、色标法

用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。

电容器偏差标志符号：+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。

-- 电阻和电容的标识法

使用电阻器和电容器时，经常要了解它们的主要参数。一般情况下，对电阻器应考虑其标称阻值、允许偏差和标称功率;对电容器则需了解其标称容量、允许偏差和耐压。

电阻和电容的标识法

电阻器和电容器的标称值和允许偏差一般都标在电阻体和电容体上，而在电路图上通常只标出标称值，电解电容则常增标耐压，特殊用途电容器除标出耐压外还要注明品种。它们的标志方法分为下列4种。

1、直标法：直标法是将电阻器和电容器的标称值用数字和文字符号直接标在电阻体和电容体上，其允偏差则用百分数表示，未标偏差值日的即为±20%的允许偏差。

2、文字符号法：文字符号法是将电阻器和电容器的标称值和允许偏差用数字和文字符号按一定规律组合标志在电阻体和电容体上。电阻器和电容器标称值的单位标志符号见表1，允许偏差的标志符号见表2。

先举几个电阻器的例子:6R2J表示该电阻标称值为6.2欧姆（Ω），允许偏差为±5%；3k6k表示表示电阻值为3.6千欧（kΩ），允许偏差10%;1M5则表示电阻值为1.5兆欧（MΩ），允许偏差±20%。再举几个电容器的例子：2n2J表示该电容器标称值为2.2纳法（nF），即 2200皮法（pF），允许偏差为±5%；47nk表示电容器容量为470纳法(nF)或0.47微法（uF），允许偏差±10%。在电路图中，电阻器的欧姆符号Ω和电容量的法拉符号F常可略去不标。

3、色标法：普通电阻器用四色环标志，精密电阻器用五色环标志，紧靠电阻体一端头的色环为第一环，露着电阻体本色较多的另一端头为末环。色标法在电容器上也常用。使用者需熟记表示数字0－9的黑、棕、红、橙、黄、绿、蓝、紫、灰、白各色环的顺序。色标法在各种电子学入门书中介绍较多，这里不再详述。

4、数码表示法：在产品和电路图上用三位数字表示元件的标称值的方法称为数码表示法。常见于进口电器机心和合资企业产品中，如寻呼机、手机中的贴片电阻几乎无一例外地用数码表示法。在三位数码中，从左至右第一、二位数表示电阻标称值的第一、二位有效数字，笼三位数为倍率10^n的n(即在前两位数后加0的个数），单位为Ω。例如标志为222的电阻器，其阻值为2200Ω即2.2kΩ；标志是105的电阻器阻值为1MΩ；标志是4R7的电阻器阻值为4.7Ω。需要注意的是要将这种标志法与传统方法区别开来：如标志为220的电阻器其电阻值为22Ω，只有标志为221的电阻器其阻值才为 220Ω。标志是0或000的电阻器，实际是跳线，阻值为0Ω。

目前电子市场上大多数圆片电容器、瓷介电容器和CBB电容器都用数码表示法，读数法与电阻器上的相同。

在一些进口机心中，微调电阻器阻值的标志法除了用三位数字外还有用两位数字的。如标志为53表示5kΩ，14和54分别表示10kΩ和50kΩ。一些精密贴片电阻器也有用4位数字表示法，如1005表示10MΩ等。

贴片电容器一般都是无符号标志的，可根据经验从颜色的深浅去辨别。浅色或白色的为皮法（pF）级，如100pF以内的；深色、棕色为隔直流、滤波电容器，为纳法（nF）级的电容吕。

09-10-24 | 添加评论

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1.FUJITSU 富士通公司创立于1935年，公司总部在日本东京。

2.HITACHI 日立公司总部在日本东京，是全球著名的电子公司。

3.MITSUBISHI 以综合商社闻名于世的三菱商事株式会社，多年来在世界市场上积如纯极开展各项事业。三菱商事总公司设在日本东京

4.NEC 公司总部位于日本东京，是全球五大电脑制造商之一，也是为数不多的能够在半导体、电子器件、通讯、计算机外设、图像和计算机领域提供全线产品的公司之一。公司在全球共有38个分公司，负责产品的生产和销售。

5.PANASONIC 松下公司生产各种半导体器件，公司的目标是不仅为客户提供高性能半导体器件，同时也为客户提供高质量半导体方案。目前，松下公司在全球40个国家有超过265,000名员工，生产的半导体产品有 VCO、分立元件、DRAM、LED、线性IC、MOS LSI、MCU、光电元件等。1 3Dlabs公司是图形加速器软件、硬件供应商。公司总部位于美国加州Sunnyvale,研发机构位于美国、英国等地，共有人员约150人。

2 Actel 公司1985年在美国加州

3 AD 模拟器件公司 公司总部设在美国马萨诸塞州的Norw

4 Adaptec公司1981年成立，总部位于加州Milpitas市

5 Agilent 安捷伦科技是一家多元化技术公司 总部在美国.

6 AHA公司成立十多年来一直被业界誉歼铅为数据译码专家 1988年组建日本

7 Asahi Chemical Industry Co和 Asahi Microsystems Inc.在日本共同组建Asahi Kasei Microsystems, Inc.，简称为AKM公司

8 ALD公司 日本

9 ALI 扬智科技股份有限公司位于台湾台北

10 Allegro 微系统公司专业设计生产高级混合信号IC.总部在美国

11 Alliance公司设计、生产、销售高性能存储器及存储器扩展逻辑产品，用于计算机、通讯、仪器等领域。公司1985年成立，总部设在美国加利佛尼亚州。

12 AMS公司1981年成立，专业开发、生产、销售汽车、通讯和工业应用领域ASIC和ASSP产品。公司总部在奥地利格拉茨附近，是欧洲模拟/数字ASIC著名供应商。AMS公司的设计中心位于德国德累斯顿、斯图加特及匈牙利布达佩斯。

13 ANADIGICS公司1985年成立在美国

14 Apex公司设计、生产单片和混合IC微电子元件, 公司总部设在美国亚利桑那州

15 ARM公司是领先的IP核供应商 美国

16 Array Microsystems公司是数字视频方案供应商。该公司成立于1990年，总部位于美国加州

17 ATI科技是全球最大的3D图形和多媒体渣改咐技术提供商。公司成立于1985年，总部设在加拿大安大略省。

18 Atmel 爱特美尔公司1984年成立 总部在美国.

19 Auctor 公司总部设在美国加州Santa Clara，在台湾有一个子公司。公司的前身是ACC微电子公司

20 Catalyst公司1985年成立，是一家专业生产混合信号和不挥发存储器产品的半导体公司

21 C-Cube微系统公司是数字视频压缩、传输、解压缩半导体方案供应商。

22 ADI 美国模拟器件公司

23 NS美国国家半导体

24 IR美国国际整流器

25 JRC新日本

26 ST意法半导体 美国

27 onsemi 安森美 家美国

28 ATT 越捷公司 美国

29 IMP品牌 美国

30 ACTIVE品牌 美国

31 CYPRESS赛普拉斯品牌 美国

32 ALLEGRO、美国

33 MPS 美国

34 OVCMOS蕊片美国

35 OCS(灿瑞)品牌 美国

36 TI 德州仪器 美国

37 仙童公司Fairchild半导体公司 美国

38 PHILIPS 飞利浦 NXP 恩智浦 美国

39 MAXIM(美信) ,美国

40 BB BURR-BROWN 美国

41 TOSHIBA 东芝半导体 日本

42 SAMSUNG 三星 韩国

43 HYNIX 现代 韩国

44 LG 韩国

45 System General 崇贸 台湾

46 HT 合泰 台湾

47 MDT 麦肯 台湾

48 SHARP 夏普 日本

49 MICROCHIP 微芯 美国

50 SANYO 三洋 日本

51 EMC 义隆 台湾

52 AD 美国模拟器件公司

53 Mitsubishi 三菱半导体 日本

54 STC 单片机储存器 美国

55 WINBOND 华邦半导体 台湾

56 XILINX 赛灵思

57 INTEL 英特尔 美国

58 ALTERA 半导体 美国

59 MICRON 美光

60 SIPEX 美商爱尔发半导体(股)公司 美国

61 IDT 美国

62 AMD 美国超微设备公司

63 FREESCALE 飞思卡尔总部位于德州奥斯汀

64 ROHM 罗姆 德国

65 Honeywell 霍尼韦尔 美国

66 SELCO 日本圣威尔

67 SIEMENS(西门子)公司 德国

68 FUJI 日本富士

69 DALLAS 达拉斯 美国

70 KEC/韩国

71 SEMIKRON 德国西门康7

72 MOT 摩托罗拉 美国

73 长电 中国

74 江来智能模块 中国

75 三村电子模块 中国

76 风华高科， 中国

77 国巨 中国

78 华晶 中国

出口品牌电子元器件（如Philips , ST 等)，但国外客户指定的货代说没有授权书就不接受我们的货，该怎么办？

出口品牌的货物，需要拿到授权书方可出口。否则视为仿牌货。仿牌货出口很危险，很容易被海关扣押的。

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