三极管的饱和电压的简单介绍

发布时间：2023-08-16

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截止状态时，基极电压较低，发射极电压较低，而集电极电压较高，此时三极管的电流很小，近似为零。饱和状态时，基极电压较高，发射极电压较低，而集电极电压较低，此时三极管的电流达到最大值。

饱和状态，b极电压0.7v，c极电压0v。

集电极电压大于基极电压大于发射极电压。因为电源电压连接的是集电极电压，发射极电压最小，所以集电极电压最大。NPN一般指NPN型三极管，由两块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成的三极管。

在放大电路中，若是NPN型三极管，是C极电位最高，E极电位最低，B极居中；若是PNP型三极管，则是E极电位电高，C极最低，B极居中。

当三极管处于放大状态时，基极电压比发射极电压高约一下PN结压降（0.6V左右），集电极电压处于电源电压与发射极电压之间（一般来说至少比发射极电压高1V）。

由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。

uces是三极管集电极与发射极之间的饱和电压，s代表saturation。uce是三极管集电极与发射极之间的电压。在三极管处于饱和导通的情况下的uce就是uces。此外，三极管的工作状态有三种：截止状态、放大状态、饱和状态。

三极体饱和区时Uces和Uce的区别 Uces是三极体集电极与发射极之间的饱和电压，s代表saturation。 Uce是三极体集电极与发射极之间的电压。在三极体处于饱和导通的情况下的Uce就是Uces。

到了UCES后，就完全进入饱和状态了，但是饱和程度还可以继续加深，小功率管最多可以达到UCE=0.3V左右，这时候可以说是深度饱和了。UCES这个数值在功率放大电路计算过程中特别有用，可以计算功率管自身管耗，进而计算效率。

三极管的饱和电压的简单介绍

深度饱和时，发射结正偏，集电结也正偏，但此时Uce并不为0，一般最小在0.3V左右，即饱和管压降。

三极体饱和导通时的压降是多少啊三极体饱和导通时的压降矽管0.7V，锗管0.3V。

饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。

上图中：ib=(12-0.7)/10=17毫安，由于基极电流足够大，理论上ic=50*ib=511ma。三极管处于饱和状态，uce=0.2~0.3v，由于r1大于r2，实际ic最大值为：（12-0.3）/47=0.25毫安，。

1、你测出的电压是对的，如果电流不是非常大，对于硅三极管，集电极和发射极间的饱和导通电压为0.3V左右，对于锗三极管，集电极和发射极间的饱和导通电压为0.1V左右。

2、PNP，发射极大于基极0.7V 锗管：NPN，基极大于发射极0.3V PNP，发射基大于基极0.3V 硅材料的NPN三级管工作在饱和区时，集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。0.3V乘以流过三极管电流可以计算三极管使用中的功率。

3、小功率管子，一般这个电压是0.7V，大功率管子大概是2-3V。后面饱和程度深了之后就不好说了，一般小功率管子饱和导通的UCE电压，往往用0.3V来估算（但实际是不是0.3V，真的只有鬼才知道），大功率管子还是乖乖地实测吧。

4、三极管导通时，C、E间电压可低至0.1V，但不可能为“0”。这是无触点开关的小缺点。

5、三极管饱和导通电压和通过的电流有关，以硅管举例，小功率硅管的饱和压降灾。7v左右，大功率的管子饱和压降会高些，所提供参数会出现饱和压降2v、2a的字样，意为2a电流时的饱和压降为2v。