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1、性能不同:场效应管只有多子参与导电;可控硅有多子和少子两种载流子参与导电,而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大,因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。
2、不是。场效管的主要作用是放大信号;可控硅的主要作用是当开关。
3、场管的控制电流甚至是没有电流的,它是电压控制形器件,对控制端来说,内阻很大。而可控硅需要控制端的电流达到一定值后才能动作。对于强电负载就用可控硅,对于导通电阻值要求较小的情形就用场管。其它情况待知友补充。
4、不可以,两者不是同类型器件。场管是电压控制型,导通后没有控制信号就会断开;可控硅是电流控制型,导通后撤去控制信号仍会继续导通;可控硅可用于控制交流电路,而场效应管用于控制直流电路。
5、mos管与场效应管是一个概念。mos管是全控型的,是电压驱动的;晶闸管是半控型的,由电流驱动的。可以控制其开通与关断的晶体管都可称为可控硅。mos管要维持导通必须要栅极和源极之间保持一电压差,一般10v左右。
1、很可能是散热不好温度过高或者是输出过载亦或是输出短路导致的。通常逆变器的输入电压为12V、24V、36V、48V也有其他输入电压的型号,而输出电压一般多为220V,当然也有其他型号的可以输出不同需要的电压。
2、有振铃正常的,只要振铃不严重就无需理会。想办法降低漏感、适当进行补偿、调整尖峰吸收网络即可消除或减小。
3、应该是“嗞嗞”的声音对吧。说的是对的,但能发出声音是通过MOS管旁边的线圈完成的,amd耗电量较大,电流也大,所以电源处理电路有缺陷就会产生很多问题。试一试给线圈重新封胶并检查MOS管的虚焊情况,可能有帮助。
4、升压电路mos管过热噪声大的原因:电流太高,没有做好足够的散热设计,导致过热噪声大,MOS管标称的电流值,一般需要较良好的散热才能达到。压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热,变得过热噪声大。
5、不是绕线电感响么?好像用220n / 470n可以滤掉。 这个是电感充放电产生的。
6、只MOS管做全桥驱动。可以利用4只n mos管,以及自举电路,对称的给上下臂送高低电平,以控制上下臂不同MOS管导通,以达到控制电流方向的目的。
MOS管与场效应管是一个概念。MOS管是全控型的,是电压驱动的;晶闸管是半控型的,由电流驱动的。可以控制其开通与关断的晶体管都可称为可控硅。MOS管要维持导通必须要栅极和源极之间保持一电压差,一般10V左右。
微件不同:场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似。
mos管,即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。
可以使用直流固态继电器(也称可关断固态继电器)替代接触器。这种固体继电器是使用大功率MOS管实现开通和关断的。电流较大的场合,这种固态继电器需要安装散热器。在网页上输入“固态继电器 直流”,就可以搜索到更详细的信息。
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。
1、可控硅、GTO是电流触发,其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断;GTO称之为可关断可控硅,可以在有电流时关断。
2、MOS管与场效应管是一个概念。MOS管是全控型的,是电压驱动的;晶闸管是半控型的,由电流驱动的。可以控制其开通与关断的晶体管都可称为可控硅。MOS管要维持导通必须要栅极和源极之间保持一电压差,一般10V左右。
3、场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于可控硅的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似。
4、可控硅为开关型器件,场效应管及可以作为开关也可以放大型器件。可控硅触发后必须电源过零点才会关断,场效应管受栅极控制。可控硅只有二个状态,不是导通就是截止,场效应管从截止到完全导通是连续的。
5、只是电容的作用),所以FET的栅极电流很小(电容的电流损耗)。最常见的FET在栅电极下使用一薄层二氧化硅作为绝缘体。这种晶体管被称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
1、只要功率,耐压,电流这三大特性能达到或超过原三极管的是可以的,只是有些要在线路上改动一下。因它的G极电压要求的比一般三极管高。现的成规开关电源产品大量的就用它了。
2、MOS管是电压驱动部件,用很小的功率就可以驱动,导通时电阻很小,温度特性好,适合做高速开关用,用作线性放大时容易自激。使用频率较低。静态耗电非常小,超高集成度的电路如CPU都只能用MOS电路。
3、载流子:三极管是双极型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
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