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mos管的种类（MOS管的种类和特性）

发布时间：2023-08-16
阅读量：22

本文目录一览：

MOS管全世界一共有哪些品牌?

目前市面上主流采用的MOS管有ST、ON(安森美)、infineon、fairchildsemi（仙童(飞兆半导体)）、台湾富鼎先进、台湾茂达、aosmd等……。铭瑄采用最多的是ST。

其他的还有日本的TOSHIBA，东芝，东芝的功率管，结型管方面都做得很不错。其他还有很多，比如NXP，ST（意法），NS（国半），UTC，仙童，Vishay等等。

仙童，东芝，ST意法半导体，NXP，AOS等等，但是一些国产MOS管也不错，新洁能MOS管已具备屏蔽栅功率和超结功率MOSFET特色工艺技术，其部分产品的参数性能与送样表现，与英飞凌、安森美等国际品牌相当。

不是杂牌，这是一颗N沟道增强型场效应晶体管，是台产尼克森微电子出品，NIKOS是NIKO-SEM的缩写。下图是这款MOSFET的参数表。

首先来谈一谈十大认知度较高的国产MOS管品牌（排名不分先后）：长电长晶科技，吉林华微，士兰微，华润华晶，新洁能，东光微，江苏捷捷微，乐山无线电，苏州固锝，先科。

MOS管的引脚,G、S、D分别代表什么?

1、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

2、MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

3、G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。

MOS管和三极管有什么区别?

速度：MOS管开关速度不高，三极管开关速度高 工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制 阻抗：三极管输入阻抗小，MOS管输入阻抗大。频率特性：MOS管的频率特性不如三极管。

主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

场效应管可作哪些分类?

1、场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

2、从场效应管的结构来划分，它有结型场效应管和绝缘栅型场效应管之分。 结型场效应管结构：N沟道结型场效应管的结构如下图所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。

3、从左到右依次依次为：结型场效应管，多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管，双栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属半导体场效应管。

场效应管的分类

1、从场效应管的结构来划分，它有结型场效应管和绝缘栅型场效应管之分。 结型场效应管结构：N沟道结型场效应管的结构如下图所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。

2、场效应管分为N沟道和P沟道，主要以N沟道增强型为主，也比较容易辨别N沟道和P沟道，各个品牌的命名方式就可以看出，比方的：FQPF5N60，N就代表N沟道，FQP27P06，P就代表P沟道。

3、场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junctionFET-JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET)。

4、场效应管有两大类，结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET，后者性能更为优越，发展迅速，应用广泛。图Z0121 为场效应管的类型及图形、符号。结构与分类图 Z0122为N沟道结型场效应管结构示意图和它的图形、符号。

5、场效应管的分为N沟道和P沟道。根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

6、场效应管的分类和结构： 场效应管分结型， 绝缘栅型两大类N沟道MOSFET的典型产品有3DO3DO3DO4(以上均为单栅管)，4DO1(双栅管)。

mos管的作用及原理

可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。

工作原理：MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。

mos管工作原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。mos管是一种具有绝缘栅的FET，其中电压决定了器件的电导率。发明mos管是为了克服 FET中存在的缺点，如高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢的操作。

由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管，MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。

关键词：三极管输入阻抗 三极管开关 三极管截止

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