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1、它是以光为媒介来传输电信号的器件,A3120光耦是专门驱动场效应管或者IGBT的专用光耦, 5脚是负电压输入端,通常使用-5V电压。
2、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。
3、应该要的,一般光耦驱动电流很小50mA MAX.如果你的驱动频率很高,因为S-D极电容比较大,电流小,一下子充不满,达不到驱动的电压的。
4、用低端电压和PWM驱动高端MOS管。用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。gate电压的峰值限制。输入和输出的电流限制。通过使用合适的电阻,可以达到很低的功耗。PWM信号反相。
5、你这个电路其实叫做BUCK开关电源电路,是一种降压型开关电源。下面回答你的问题:单片机的PWM波可以驱动MOS管,但取决于你的MOS管类型,你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。
6、MOS管通常需要驱动电路来控制其开关状态。光耦可以用于隔离控制信号与高电压/高电流的负载之间,以保护控制电路。但是,光耦本身并不能提供驱动信号,因此驱动电路仍然需要使用。
这要看你的MOS管了,一般是不可以的,不过有些新开发的型号,有的称作logic mosfet的门限电压比较低,但这类MOSFET功率都不大。
STC12C5410输出的PWM波是能直接驱动MOS管的,MOS管是用电压驱动的,而STC单片机输出电压足够驱动的。
单片机的PWM波可以驱动MOS管,但取决于你的MOS管类型,你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。假设单片机输出电平是3V,而你的MOS管在Vgs=3时的导通阻抗可以接受,那就是可以的,否则就需要增加MOS管驱动电路。
应该要的,一般光耦驱动电流很小50ma max.如果你的驱动频率很高,因为s-d极电容比较大,电流小,一下子充不满,达不到驱动的电压的。
不能,单片机一般只有5V供电,IRF540驱动电压是8-20V。请加MOS管驱动电路。
应该要的,一般光耦驱动电流很小50mA MAX.如果你的驱动频率很高,因为S-D极电容比较大,电流小,一下子充不满,达不到驱动的电压的。
1、MOS管上产生的压降为 0.4V,不足以影响负载吧?门极导通电压为1V~4V,标称3V;7V的锂电池,饱和是2V,选择3V工作的单片机,足够驱动了。
2、应该不是MOS管发出的声音,可能是电容发出的声音。
3、使用MOS管来控制恒流,MOS管上为了恒流,需要消耗功率,那么Ron很低的管反而不太合适,IRF9540是0.2欧姆,还是不错的,但是一定多个并联使用,然后加足够的散热片,必要时加风扇。
4、有些元件会有随PWM抖动并发出声音你那个100%的时候相当于没变换波形了,要不一直高,要不一直低。也就没抖动了,就没声音了,把频率调到声波范围以外。一般会在电感上有声音。。电感线圈没固定好原因。漆没浸好。
5、可以,但导通电阻较大,因为功率MOS的G极最大限压30v,一般驱动电压在10~15v,比较合适,建议你通过光驱去驱动MOS管。
6、单片机输出PWM控制PC817的导通关断从而间接控制mosfet的通断,改变PWM占空比可以调节电机转速。
可以,但导通电阻较大,因为功率MOS的G极最大限压30v,一般驱动电压在10~15v,比较合适,建议你通过光驱去驱动MOS管。
当控制信号为PWM时,所得的输出就是相同的PWM信号,只是峰峰值为其输入的电源电压值。
这要看你的MOS管了,一般是不可以的,不过有些新开发的型号,有的称作logic mosfet的门限电压比较低,但这类MOSFET功率都不大。
STC12C5410输出的PWM波是能直接驱动MOS管的,MOS管是用电压驱动的,而STC单片机输出电压足够驱动的。
单片机的PWM波可以驱动MOS管,但取决于你的MOS管类型,你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。
应该要的,一般光耦驱动电流很小50ma max.如果你的驱动频率很高,因为s-d极电容比较大,电流小,一下子充不满,达不到驱动的电压的。
mos管的栅极g比源极s高5v—10v,mos管就可以导通。PWM输出占空比可调的方波,作为驱动输入mos管的栅极g,高电平时栅极电位高与源极5v就导通了;低电平时栅极电位也为低电平不满足mos管导通条件,则关断。
MOSFET开关时间改变电压的原理其实就是PWM(脉冲宽度调节)控制,开关电源里面的MOSFET都是和电感或者电容这些储能元件配套使用的。一般情况下MOSFET开的时候会向电感、电容这些元件中储存能量。
UC3842 是一种 PWM 控制芯片,常用于开关电源控制电路中。其工作原理如下:控制器接收反馈信号:开关电源中,通常会通过电感和电容等元器件构成一个反馈回路,将输出电压或电流的信息反馈给控制器。
它是一种电子器件,用于控制和放大电流。 MOSFET的基本工作原理如下:MOSFET是由硅晶体制成的晶体管。它有一个沟道,两个掺杂的P型或N型半导体区域和一个上面覆盖着非导电的氧化层的金属栅极。
MOSFET 基本工作原理 通过改变栅源电压VGS来控制沟道的导电能力,从而控制漏极电流ID。因此它是一个电压控制型器件。转移特性反映了栅源电压对漏极电流的控制能力 。
关键词:驱动mos管 3120光耦 控制MOS管 电容 pwm驱动mos管 mos管 单片机pwm驱动mos管 电阻 光耦
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