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mos管跨导仿真（提高mos管跨导的方法）

发布时间：2023-08-16
阅读量：31

本文目录一览：

mos栅宽对跨导的影响

1、跨导与MOS管的物理尺寸和工作方式密切相关，即与MOS管的栅长、栅氧层厚度、沟道长度等参数相关联。与跨导不同，MOS管的尺寸则主要指沟道长度、沟道宽度等物理尺寸。

2、消除噪音。如缩短IC至MOSFET的栅极走线长度，增加走线宽度，尽量将Rg放置在离MOSFET栅极较进的位置，从而达到减少寄生电感，消除噪音的目的。

3、对电流的控制能力有影响。跨导表明了栅极电压对屏极电流的控制能力，跨导越大，说明三极管栅极电压对屏极电流的控制能力越强，可以理解成类似晶体三极管中的电流放大倍数，跨导越小则反之。

什么是垂直导电结构,在MOS管中的知识

小功率MOS管是横向导电器件。电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。

MOSFET是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，其工作原理按导电沟道可分为P沟道和N沟道。

MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。

MOSFET中跨导的计算问题

1、一般是利用I对V的偏导求。注意，这时候需要先判断MOS处于什么工作区域。

2、跨导放大器 跨导放大器（gm放大器）推出的电流正比于它的输入电压。在网络分析中，跨导放大器被定义为电压控制电流源（VCCS）。看到这些放大器安装在共源共栅配置，这是常见的，这提高了频率响应。

3、跨导值越大，意味着可以用更小的栅源电压控制漏极电流发生更大的变化，意味着放大作用更大。跨导和漏极电阻的乘积，等于共源放大器的空载电压放大倍数（空载电压增益系数）。

4、跨导（Transconductance）是电子元件的一项属性。电导（G）是电阻（R）的倒数；而跨导则指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值。跨阻（转移电阻），也常常被称为互阻，是跨导的双重性。

5、导通电压，在你Vds=Vgs=0V（最小值）的时候（也就是晶体管导通并且处于饱和区时候），Id=250uA。

6、r(be)=26mv÷I(E) 注意这里求r(be)不同前面用r(be)=r(bb)+(1+B)*26mv÷I(E)欧姆，r(bb)题目没讲就用200欧姆。我也不知道为什么，希望高手能教下我。I(E)就是用静态电路过去求。不会再问我吧。

mos管跨导参数kn单位

1、mos管的kn是贴片标志。根据查询相关公开信息显示在mos类型的三极管中，生产贴片都会有kn字样的生产贴片标志。MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流。

2、跨导的单位为S（西），为欧姆的倒数，即1S=1/Ω。此定义适用于任何电压控制型放大元件，如电子管（真空三极管）、场效应管等。

3、跨导的单位是 S (西门子)，一般用mS。 线性压控电流源的性质可表示为方程 I=gV ，其中g是常数系数。系数g称作跨导(或转移电导)，具有与电导相同的单位。这个电路单元通常指放大器。

如何在cadence中仿mos管的电压传输函数

你是要仿真I-V特性曲线？结成共源放大器形式，栅极给个vdc电压设为变量，漏端给个直流电压。

方法一。从model文件中可以找到 方法二。做一次单管的DC分析，通过波形文件measure到需要的参数特性 方法三。

首先你得需要一个由芯片代工厂提供的工艺库（可以是spice库也可以是spectre，没有本质区别），然后在ADE-setup-model library里添加就行了。

你可以打印mos管电流，以及漏极和源极的电压，这样就可以得到mos管的等效电阻了。

首先，阈值电压是一个模型参数，与工艺的一些参数有关，是不可以直接设置成几十，几百毫伏这样的数值变量。

电路中MOS管的跨导值是什么意思?

1、MOS管的gm如同三极管的β，是衡量MOS管放大能力的标志之一。 不过话说回来，不是什么时候都需要放大能力强，比如在做开关管的时候，就需要器件能很快地在饱和、截止状态之间转换，达到深度饱和的速度要快。

2、在MOS管中，跨导指MOS管输入端的电流变化与输出端电流变化的比值。具体来说，当MOS管工作在其放大区时，其输出电流随输入电流的变化而变化，并通过其跨导这种指标体现出来。

3、跨导（Transconductance）是电子元件的一项属性。电导（G）是电阻（R）的倒数；而跨导则指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值。跨阻（转移电阻），也常常被称为互阻，是跨导的双重性。

4、m为MOS管的跨导值（即导数），RDS(on)为硅片表面的接触电阻，RCH为沟道电阻。mos阻在mos场效应管（MOSFET）中，因为器件的结构和材料的因素，会产生一些零散的电阻，不在电路设计中考虑，但仍然存在。

5、它们是电流控制装置和电压控制装置。FET的增益等于其跨导)gm，跨导定义为输出电流的变化与输入电压的变化之比。FET的名字也来源于它的输入栅极(称为gate)，它通过在绝缘层(氧化物SIO2)上投射电场来影响流经晶体管的电流。

6、应该是场效应管（MOS管）吧。gm跨导是Uds为常数时，Id漏电流的变化量与Vgs变化量的比值。通俗点说就是，Vds不变时，Vgs增加，漏电流就以gm为斜率来线性增加。

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