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光耦驱动mos(光耦驱动Mos管)

发布时间:2023-08-16
阅读量:29

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PWM输出用光耦隔离驱动MOS管,用哪类光耦好?DIP-4单通道/DIP-8双通道...

三极管输出类型的光耦;高速输出类型的光耦;逻辑IC输出类型的光耦;可控硅输出类型的光耦;继电器输出类型的光耦 光耦是由三部分组成,就是“光的发射、光的接收及信号放大。

单片机 PWM 信号输出 控制 大功率LED 灯的 亮度,一般 1W 的 LED 灯 电流 大约在 300 mA 左右,三极管 功率 要大一些,或者可以 用 MOSFET 管。

pwm调速原理 pwm调速方法通常采用功率场效应管作为主开关元件,通过改变开关元件的导通方式及通断比来 改变输出电压的大小与极性,如图1所示。gd1与gd2是隔离放大的驱动元件,可以采用光电耦合隔离或变压器隔离。

图3所示是一种典型的高可靠性IPM外部驱动电路方案。来自控制电路的PWM信号经R1限流,再经高速光耦隔离并放大后接IPM内部驱动电路并控制开关管工作,FO信号也经过光耦隔离输出。

用光耦驱动MOS管,控制电机的时候,MOS管持续导通是什么原因(附电路图...

1、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

2、电路逻辑有问题。P沟道FET管必须加正电压才能截止,而你这个电路的正电压必须由导通的FET供应,如果管子截止了,24V电源就不再存在,管子就会重新导通………最后维持在半通不通状态。如果改用独立电源控制它,问题就能解决。

3、mos管驱动电阻大导通时间延长有以下原因:RC时间常数:在驱动电路中,驱动电阻与驱动电容之间形成一个RC并联网络。较大的驱动电阻会增大RC时间常数,导致电荷注入或电荷抽取的速度较慢,从而延长MOS管的导通时间。

光耦驱动MOS管电路问题

1、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

2、光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件,光电耦合器件广泛运用在电脑终端机,可控硅系统设置,测量仪器、影印机、自动售票、家用电器,比如电风扇、加热器等。

3、MOS管通常需要驱动电路来控制其开关状态。光耦可以用于隔离控制信号与高电压/高电流的负载之间,以保护控制电路。但是,光耦本身并不能提供驱动信号,因此驱动电路仍然需要使用。

4、低压的时候灯泡里面有啸叫,一般是内部驱动电源上的电感(或者变压器)发出的。电压过低的时候,信号的周期频率接近或落入音频范围。周期性电流经过电感线圈,产生交变磁场,该电感线圈在交变磁场作用下产生振动而发出声音。

5、如果本来就共地没必要隔离;如果你是PWM调制信号还是用隔离变压器好,通过专门的驱动IC(我忘了,好像是IRF做的)驱动变压器,时间匹配是最好的。

mos管用光耦还用驱动吗

1、用光耦由于里面只有一个三极管,驱动时只能做到快充或快放不能兼顾。另外,光耦驱动负载能力有限,大功率MOS管在快速开关过程中是需要较高驱动能力的。

2、光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件,光电耦合器件广泛运用在电脑终端机,可控硅系统设置,测量仪器、影印机、自动售票、家用电器,比如电风扇、加热器等。

3、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

4、东芝光耦有很多种类,高速光耦有:TLP117: 5 V, 50 Mbps/TLP2066: 3 V, 20 Mbps/TLP2116: 5 V, 20 Mbps (2-in-1)。

请高手帮忙看一下,我这个光耦驱动MOS管的电路有问题吗?如果有的话问题...

1、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

2、光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件,光电耦合器件广泛运用在电脑终端机,可控硅系统设置,测量仪器、影印机、自动售票、家用电器,比如电风扇、加热器等。

3、如果本来就共地没必要隔离;如果你是PWM调制信号还是用隔离变压器好,通过专门的驱动IC(我忘了,好像是IRF做的)驱动变压器,时间匹配是最好的。

4、不建议使用以下这类用通用光耦搭的电路,有诸多麻烦。建议使用 TLP250 或类似芯片。

5、输入来的信号分压, 和输入电流限流。DO输入的高信号有效。R096 R097 R098是一组工作点分压电路,接近10-11伏左右,DOUT92输入的低信号有效。R97电阻有两个作用,输入来的信号分压, 和输入电流限流。

6、个人观点。。首先MOS管是四端器件,栅源漏衬,一般源衬短接。

光耦TLP521能直接驱动mos管吗?

1、其次,TLP521的输出驱动电流很小,你这个电流太大,目前还没有听说用光耦做驱动器件的,并且三极管耐压也不够。加一个MOS管是最好的选择,可以用一个P沟道的MOS管,比如IR4435,两块钱搞定,直接用光耦驱动它就可以了。

2、输入是电压,发光二极管点亮。输出是三极管或可控硅,在光作用下,而且要加上电压,它们才能导通。

3、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

4、因为±15V输出电流较小,故整流管VD4和VD5均采用UF4002型100V/1A的超快恢复二极管。由线性光耦CNY17-2和可调式精密并联稳压器TL431C构成光耦反馈式精密开关电源,可以对+5V电压进行精密调整。

5、电机输出接原极,电路更改 减小1K电阻到27欧姆。连个个10K电阻减小,上边560,下边1K 结束语:实际上这几个原件组合,如果按MOS管的等级来看,TLP521这样构成的驱动电路过于简单,是无法驱动的。内阻太大。

关键词:mos管 电容 高速光耦 mos管驱动 驱动mos管 继电器 光耦 三极管输出 驱动电阻 三极管功率 光耦隔离 可控硅 电阻

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