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这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。
MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极。
mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。
N-MOSFET好，N型半导体的载流子迁移率差不多是同型P沟道的3倍，这就意味着其导电能力更强。
MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。
MOS依照其“通道”的极性不同，可分为N沟与‘p“沟的MOSFET，结构 如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。
1、MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。而当PN结处于正向偏置状态时，其电阻非常小，电流可以通过PN结流过。
2、mos管工作原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。mos管是一种具有绝缘栅的FET，其中电压决定了器件的电导率。发明mos管是为了克服 FET中存在的缺点，如高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢的操作。
3、工作原理：在MOSFET中，连接极与P沟道区域之间隔离，因此不会直接通过电流。连接极上的电压会影响N沟道区域的电流。当连接极的电压升高时，N沟道区域的电流会增加，电流就会从源极流入汇极。
1、nMOS晶体管导通是通过沟道里面的电子产生电流的，一般NMOS的源极接衬底，共同接到地，漏极到源极加上正电压，电子从源极向漏极流动，我们取电流的方向和电子流动的方向相反，所以电流是漏极流到源极。
2、对于需要较大输出电流的电路，可以使用n沟道增强型MOS管来满足需要。
3、理想的mos管，不管nmos还是pmos，沟道打开的时候，电流可从源到漏，也可从漏到源。但是实际的mos管，由于制造工艺的原因，在硅底层扩散形成结的时候会同时形成一个寄生二极管。
4、MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
5、栅极控制源极和漏极间的电流，MOS导通后源和漏之间形成沟道，电流可以在沟道中流动，n管是漏流向源，p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅，绝缘的，没电流，只是控制沟道电流的大小，就像水龙头一样。
6、作用不同。电流方向由D指向S，称为漏极电流ID．。由于导电沟道是N型的，故称为N沟道结型场效应管。场效应管（包括结型和绝缘栅型）的漏极与源极通常制成对称的，漏极和源极可以互换使用。对应电位不同。
1、对于增强型N沟道的MOSFET，我们希望的是形成沟道后，在两个重掺杂的n区中形成以电子为主的电子流，但是其中的寄生的pn结是不可避免的，例如n区与衬底p之间形成了pn结，必须使其零偏或者反偏，即使Vbs=0。
2、避免电压漂移。对于单个独立的MOS场效应管，衬底B通常与源极S连接在一起，这样两个电极的电位是一致的，这样可以避免体效应引起阈值电压的漂移。
3、源极和衬底连接是MOS管的一种用法。两者相连时相当于pn结（衬底-源）上接零电压，pn结耗尽区中漂移流与扩散流平衡，pn结上总电流为零。 栅源不加电压时，沟道不开启，不会有漏源电流。
4、沟道的作用：连接两个N掺杂区，这样就可以导通了。沟道来自于P掺杂区，因为G极和衬底B之间电场的作用，电子大量聚集在G极这里，所以这一块的P区就变成了N区（所以叫“反型”层）。
5、在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的。NMOS晶体管简介：NMOS英文全称为：N-Mental-Oxide-Semiconductor。
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