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主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压,所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中,CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管,而内存插槽共用一组MOS管。
G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管,或NMOS。
n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压时,就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。
你的不足在于,没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子,衬底是B,而且是P型半导体,B与源极S连在一起。
1、性能不同:场效应管只有多子参与导电;可控硅有多子和少子两种载流子参与导电,而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大,因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。
2、三极管是双极型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
3、不具备电压、电流的线性放大能力(单向可控硅还是个整流器件)。三极管---电流控制型线性放大器件(利用截止、饱和特性也可作单向开关)。场效应管---电压控制型线性放大器件(利用截止、饱和特性也可作单向开关)。
4、自己查查。就我设计经验看,场效应管我多用在开关作用,就是控制电压的收入和截止,可控硅说白了就是一种开关,可以控制的的开关,而且使用寿命很长,可以频繁开关很多次,而且反应速度快,适用于对电路的精确控制。
5、可控硅、GTO是电流触发,其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断;GTO称之为可关断可控硅,可以在有电流时关断。
1、微件不同:场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于可控硅的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似。
2、可控硅为开关型器件,场效应管及可以作为开关也可以放大型器件。可控硅触发后必须电源过零点才会关断,场效应管受栅极控制。可控硅只有二个状态,不是导通就是截止,场效应管从截止到完全导通是连续的。
3、另一个笔接其他两极,或者全有阻值,或者全无穷大。具体测量还有很多。可控硅:黑红表笔接到触发极外的两支脚,黑笔靠近触发极,黑笔瞬间连触发极,表偏转,断开后变无穷大。场效应管:不同管测量法不一样。
4、自己查查。就我设计经验看,场效应管我多用在开关作用,就是控制电压的收入和截止,可控硅说白了就是一种开关,可以控制的的开关,而且使用寿命很长,可以频繁开关很多次,而且反应速度快,适用于对电路的精确控制。
5、场管的控制电流甚至是没有电流的,它是电压控制形器件,对控制端来说,内阻很大。而可控硅需要控制端的电流达到一定值后才能动作。对于强电负载就用可控硅,对于导通电阻值要求较小的情形就用场管。其它情况待知友补充。
6、型号中2N,2SA、2SB、2SC、2SD、A、B、C、D、S打头的一般是普通三极管 其它的得具体查阅型号对应的参数手册,才能知道。
1、性能不同:场效应管只有多子参与导电;三极管有多子和少子两种载流子参与导电,而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大,因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。
2、常说的场效应管,三极管,可控硅是同一类东西,不是同一种东西。
3、场效应管、可控硅、三极管外形很相似,一般都只能以型号来区分,如型号不清则可试试用万用表测量电极间电阻大小方法来区别。一,三极管。
4、三极管:或者红笔或者黑笔接基极,另一个笔接其他两极,或者全有阻值,或者全无穷大。具体测量还有很多。可控硅:黑红表笔接到触发极外的两支脚,黑笔靠近触发极,黑笔瞬间连触发极,表偏转,断开后变无穷大。
5、场效应管与可控硅区别 三极管是双极型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
6、从型号就可区分了。因为最常见才几种啦。电脑主板有些略特殊一点。其它的从型号就可以区分。比C字头都三极管(NPN)B字头的也三极管(PNP)K字头常见的都是场效应。可控硅常见才有几种:BT、BTA、BW、CB 等。
性能不同:场效应管只有多子参与导电;可控硅有多子和少子两种载流子参与导电,而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大,因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。
可控硅---压控开关器件, 不具备电压、电流的线性放大能力(单向可控硅还是个整流器件)。三极管---电流控制型线性放大器件(利用截止、饱和特性也可作单向开关)。
但相位不同,互相抵消,经叠加后的总电流较小,即流过场效应管(实际用IGBT)的电流较小。
性能不同:场效应管只有多子参与导电;可控硅有多子和少子两种载流子参与导电,而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大,因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。
不是。场效管的主要作用是放大信号;可控硅的主要作用是当开关。
场管的控制电流甚至是没有电流的,它是电压控制形器件,对控制端来说,内阻很大。而可控硅需要控制端的电流达到一定值后才能动作。对于强电负载就用可控硅,对于导通电阻值要求较小的情形就用场管。其它情况待知友补充。
不可以,两者不是同类型器件。场管是电压控制型,导通后没有控制信号就会断开;可控硅是电流控制型,导通后撤去控制信号仍会继续导通;可控硅可用于控制交流电路,而场效应管用于控制直流电路。
mos管与场效应管是一个概念。mos管是全控型的,是电压驱动的;晶闸管是半控型的,由电流驱动的。可以控制其开通与关断的晶体管都可称为可控硅。mos管要维持导通必须要栅极和源极之间保持一电压差,一般10v左右。
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