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场效应管与可控硅区别（场效应管和igbt的区别）

发布时间：2023-08-17
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本文目录一览：

N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...

主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。

你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。

双向可控硅和场效应管都可以做放大电路元件,它们区别在那?

1、性能不同：场效应管只有多子参与导电；可控硅有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。

2、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。

3、不具备电压、电流的线性放大能力(单向可控硅还是个整流器件)。三极管---电流控制型线性放大器件(利用截止、饱和特性也可作单向开关)。场效应管---电压控制型线性放大器件(利用截止、饱和特性也可作单向开关)。

4、自己查查。就我设计经验看，场效应管我多用在开关作用，就是控制电压的收入和截止，可控硅说白了就是一种开关，可以控制的的开关，而且使用寿命很长，可以频繁开关很多次，而且反应速度快，适用于对电路的精确控制。

5、可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。

场效应管和可控硅之间的区别

1、微件不同：场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于可控硅的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。

2、可控硅为开关型器件，场效应管及可以作为开关也可以放大型器件。可控硅触发后必须电源过零点才会关断，场效应管受栅极控制。可控硅只有二个状态，不是导通就是截止，场效应管从截止到完全导通是连续的。

3、另一个笔接其他两极，或者全有阻值，或者全无穷大。具体测量还有很多。可控硅：黑红表笔接到触发极外的两支脚，黑笔靠近触发极，黑笔瞬间连触发极，表偏转，断开后变无穷大。场效应管：不同管测量法不一样。

4、自己查查。就我设计经验看，场效应管我多用在开关作用，就是控制电压的收入和截止，可控硅说白了就是一种开关，可以控制的的开关，而且使用寿命很长，可以频繁开关很多次，而且反应速度快，适用于对电路的精确控制。

5、场管的控制电流甚至是没有电流的，它是电压控制形器件，对控制端来说，内阻很大。而可控硅需要控制端的电流达到一定值后才能动作。对于强电负载就用可控硅，对于导通电阻值要求较小的情形就用场管。其它情况待知友补充。

6、型号中2N，2SA、2SB、2SC、2SD、A、B、C、D、S打头的一般是普通三极管 其它的得具体查阅型号对应的参数手册，才能知道。

可控硅,场效应管,三极管的区别?

1、性能不同：场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。

2、常说的场效应管，三极管，可控硅是同一类东西，不是同一种东西。

3、场效应管、可控硅、三极管外形很相似，一般都只能以型号来区分，如型号不清则可试试用万用表测量电极间电阻大小方法来区别。一，三极管。

4、三极管：或者红笔或者黑笔接基极，另一个笔接其他两极，或者全有阻值，或者全无穷大。具体测量还有很多。可控硅：黑红表笔接到触发极外的两支脚，黑笔靠近触发极，黑笔瞬间连触发极，表偏转，断开后变无穷大。

5、场效应管与可控硅区别 三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。

6、从型号就可区分了。因为最常见才几种啦。电脑主板有些略特殊一点。其它的从型号就可以区分。比C字头都三极管（NPN）B字头的也三极管（PNP）K字头常见的都是场效应。可控硅常见才有几种：BT、BTA、BW、CB 等。

可控硅和场效应管有什么不同之处

性能不同：场效应管只有多子参与导电；可控硅有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。

可控硅---压控开关器件， 不具备电压、电流的线性放大能力(单向可控硅还是个整流器件)。三极管---电流控制型线性放大器件(利用截止、饱和特性也可作单向开关)。

但相位不同，互相抵消，经叠加后的总电流较小，即流过场效应管（实际用IGBT）的电流较小。

场效应管和可控硅驱动电路一样吗?

性能不同：场效应管只有多子参与导电；可控硅有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。

不是。场效管的主要作用是放大信号；可控硅的主要作用是当开关。

场管的控制电流甚至是没有电流的，它是电压控制形器件，对控制端来说，内阻很大。而可控硅需要控制端的电流达到一定值后才能动作。对于强电负载就用可控硅，对于导通电阻值要求较小的情形就用场管。其它情况待知友补充。

不可以，两者不是同类型器件。场管是电压控制型，导通后没有控制信号就会断开；可控硅是电流控制型，导通后撤去控制信号仍会继续导通；可控硅可用于控制交流电路，而场效应管用于控制直流电路。

mos管与场效应管是一个概念。mos管是全控型的，是电压驱动的；晶闸管是半控型的，由电流驱动的。可以控制其开通与关断的晶体管都可称为可控硅。mos管要维持导通必须要栅极和源极之间保持一电压差，一般10v左右。

关键词：场效应管与可控硅 IC芯片 场效应管和可控硅 可控硅 单向可控硅 三极管的区别 双向可控硅

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