光耦的计算（光耦的测量）

发布时间：2023-08-17

阅读量：29

本文目录一览：

这两个电阻的选定要求不是很高，因为可控硅一旦导通，两端电压几乎为零，这样虽然电源电压有交流110V，但是对可控硅触发和光耦来说，只是一个脉冲，不会因为触发电流太大而烧坏。

可控硅的导通的条件：两级有电压，G极有触发信号。两者缺一不可。光耦控制端加1高电平时，光耦导通，两个电阻RR10和光耦形成回路。

很简单！使用MOC3020光耦，6脚串一个180欧左右的电阻接在可控硅的A1与G极之间即可。

光耦的计算（光耦的测量）

主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。

1、数据传输速率的计算公式如下：R=(1/T)*logzN(bps)。其中R为传输速率，单位为bps，T为发送每个bit所要的时间，单位是秒，N是传输的码数。如果网络结点传输5MB数据需要0.04s，则该网络的数据传输速率是1Gbps。

2、光耦的数据速率BD是光度单位。光耦亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。

3、就分立元件而言，是三极管的速度快，一般的产品目录上三极管都标注其带宽，而MOS管都不标注带宽或相应时间等和速度相关的参数。有些三极管的数据手册中给出上升时间、下降时间或导通时间、截止时间，这就是它的开关速度参数。