mos管gs加电阻（mos管开启电阻ron）

发布时间：2023-08-17

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mos管G极阻抗很高，很容易积累静电，而击穿G一S导致管子失效。接0欧电阻可以池放静电保护管孑不因静电损坏。

G，S之间加电阻是为了泄放G级的电荷。当G级没有信号输入时，G级残压电荷，或是静电累积的电荷，就会在gs直接形成电场，差生电势差，而gs之间的门槛电压是很低的，容易导通，继而ds也导通。

当A（就是G极）悬空时，由于场效应管栅极极高的输入阻抗，会引入静电以及电场干扰从而导致DS导通。一般在应用时，GS之间要加一个电阻，防止栅极悬空引起错误动作。

一是为场效应管提供偏置电压；二是起到泻放电阻的作用：保护栅极G-源极S。

gs有电压差到一定程度的时候，mos管就会打开，这个电阻可以在一定程度上减小gs之间的电压，这样可增加mos管的抗干扰能力。

人体能察觉的静电电压为3000V，人体静电可达数几万伏。这种静电能量很小，但是对微小的电子元器件来说，相对能量密度很大，会损坏电子元器件。以贴片电阻为例，静电释放失效的原因：过电压：电极之间的绝缘介质击穿。

mos管gs加电阻（mos管开启电阻ron）

gs有电压差到一定程度的时候，mos管就会打开，这个电阻可以在一定程度上减小gs之间的电压，这样可增加mos管的抗干扰能力。

gs有电压差到一定程度的时候，mos管就会打开这个电阻可以在一定程度上减小gs之间的电压这样可增加mos管的抗干扰能力。

mos管G极阻抗很高，很容易积累静电，而击穿G一S导致管子失效。接0欧电阻可以池放静电保护管孑不因静电损坏。

本来信号撤离，需要ds关断，现在是导通，工作紊乱容易损坏mos管。g级前串进来的电阻，对驱动电阻有影响。gs之间可以等效为一个电容，即驱动给串联的RC充电，R越大，充电越慢。建议看下mos管的驱动过程，了解米勒平台等等。

1、gs有电压差到一定程度的时候，mos管就会打开，这个电阻可以在一定程度上减小gs之间的电压，这样可增加mos管的抗干扰能力。

2、MOS开关由GS电压空置SD闸。两个作用，1，GS电位突变变化保护作用。2，减少MOS震荡时间。

3、G，S之间加电阻是为了泄放G级的电荷。当G级没有信号输入时，G级残压电荷，或是静电累积的电荷，就会在gs直接形成电场，差生电势差，而gs之间的门槛电压是很低的，容易导通，继而ds也导通。