晶体管与mos管的区别（bjt晶体管和mos管）

发布时间：2023-08-17

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1、，两者有一个本质的差别，三极管是电流控制电流源。CMOS是电压控制电流源，所以三极管是电流为控制，CMOS是电压。2，三极管的结电容小，CMOS的大，所以三极管一般高频特性好。

2、晶体管就是三极管，靠半导体内的两种载流子运动，由基极来控制电子的运动大小。属电流控制电流型器件。MOS管、CMOS管也是同样的工作原理，不过他是考栅极电场来控制一种载流子的运动，也属于电压控制电流型器件。

3、区别在与三极管和场效应管，晶体管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件，这是根本的区别；3：晶体管价格便宜，用在一般的场合，场效应管价格高，用在要求高的场合，他们的电路应用形式也大不相同。

4、CMOS是：金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。

5、结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由 MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated Circuit）。

晶体管与mos管的区别（bjt晶体管和mos管）

1、结型场效应管（JFET）的输入电阻至少几百KΩ数量级，MOS管的输入电阻应该是10MΩ数量级以上，但有的产品为了防止静电击穿，在输入端并联了一个二极管（反向接法），于是它的输入电阻就和结型场效应管相同了。

2、双极型晶体管和mos管有什么区别双极型晶体管与单极型晶体管（MOS管是其中一种）放大器的输入电阻差别很大，后者比前者要高好几个数量级。前者在放大时需要比较大的偏置电流，而后者对偏置电流的要求较低。

3、MOS管G极接电阻是防止振荡，晶体管接电阻是限流。

1、电力场效应晶体管管MOSFET，目前能生产出的电压在1200V 电流在300A。它有点在于输入阻抗高，属电压型控制器件，可以直接与数字逻辑电路连接，且驱动电路简单，功耗小。开关速度快，约是GTR的10倍，而且开关功耗小。

2、电子管，晶体管，三极管，场效应管，MOS以及CMOS都属于受控放大的电子器件。工作原理各不相同：电子管，由发热灯丝发射电子，靠高压吸引电子、栅极控制发射电子的能力，属电压控制电流型器件。

3、场效应管与晶体管的区别：（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，丢信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。场效应管是多子导电，而晶体管的两种载流子均参与导电。

采用功率MOSFET场效应作为开关电源中的功率开关，在启动或稳态工作条件下，功率MOSFET场效应管的峰值电流要比采用双极型功率晶体管小得多。

MOS管是利用栅极电场的作用来工作的；一种载流子——多数载流子工作的器件；在电流的主要通路（沟道）上不存在pn结；输入电阻接近无穷大；输入端不需要电流驱动，只需要电压即可，是电压驱动的器件，输入回路简单等。

双极型晶体管即BJT.因为器件的速度主要决定于对电容的充放电时间常数，这与电容本身的大小有关，也与电流的大小有关。一般，BJT的电流较大于MOSFET，所以BJT的速度高于MOSFET。