关于三极管rbb的信息

本文目录一览：

• 1、三极管的参数是哪些？
• 2、晶体三极管的rbb如何求？
• 3、三极管的问题
• 4、三极管r eb值
• 5、三极管共射放大电路中rbb'是什么?
• 6、为什么三极管放大电路设计不用注重Rbb？我模电书说要rbb的求rbe的，但现实中手册很少给rbb的数据为什么？

三极管的参数是哪些？

三极管的参数解释

λ---光谱半宽度

VF---正向压降差

Vz---稳压范围电压增量

av---电压温度系数

a---温度系数

BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压

BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压

BVceo---基极开路，CE结击穿电压

BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压

BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压

Cib---共基极输入电容

Cic---集电结势垒电容

Cieo---共发射极开路输入电容

Cies---共发射极短路输入电容

Cie---共发射极输入电容

Cjo/Cjn---结电容变化

Cjo---零偏压结电容

Cjv---偏压结电容

Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容

CL---负载电容（外电路参数）亩野滚

Cn---中和电容（外电路参数）

Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容

Coeo---共发射极开路输出电容

Coe---共发射极输出电容

Co---零偏压电容

Co---输出电容

Cp---并联电容（外电路参数）

Cre---共发射极反馈电容

Cs---管壳电容或封装电容

CTC---电容温度系数

CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比

Ct---总电容

Cvn---标称电容

di/dt---通态电流临界上升率

dv/dt---通态电压临界上升率

D---占空比

ESB---二次击穿能量

fmax---最高振荡频率。当三极迅余管功率增益等于1时的工作频率

fT---特征频率

f---频率

h RE---共发射极静态电压反馈系数

hFE---共发射极静态电流放大系数

hfe---共发射极小信号短路电压放大系数

hIE---共发射极静态输入阻抗

hie---共发射极小信号短路输入阻抗

hOE---共发射极静态输出电导

hoe---共发射极小信号开路输出导纳

hre---共发射极小信号开路电压反馈系数

IAGC---正向自动控制电流

IB2---单结晶体管中的基极调制电流

IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值

IB---基极直流电流或交流电流的平均值

Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流

Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流

Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与脊困发射极之间的反向截止电流

Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流

Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流

ICMP---集电极最大允许脉冲电流

ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。

ICM---最大输出平均电流

Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值

IDR---晶闸管断态平均重复电流

ID---暗电流

IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流

Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流

IEM---发射极峰值电流

IE---发射极直流电流或交流电流的平均值

IF（AV）---正向平均电流

IF(ov)---正向过载电流

IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

IFMP---正向脉冲电流

IFRM---正向重复峰值电流

IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）

IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流

iF---正向总瞬时电流

IGD---晶闸管控制极不触发电流

IGFM---控制极正向峰值电流

IGT---晶闸管控制极触发电流

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流

IL---光电流或稳流二极管极限电流

IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流

Iop---工作电流

Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

IP---峰点电流

IR（AV）---反向平均电流

IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

IRM---反向峰值电流

Irp---反向恢复电流

IRRM---反向重复峰值电流

IRR---晶闸管反向重复平均电流

IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）

ir---反向恢复电流

iR---反向总瞬时电流

ISB---二次击穿电流

Is---稳流二极管稳定电流

IV---谷点电流

Izk---稳压管膝点电流

IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流

IZSM---稳压二极管浪涌电流

Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流

n---电容变化指数；电容比

PB---承受脉冲烧毁功率

PCM---集电极最大允许耗散功率

Pc---集电极耗散功率

PC---控制极平均功率或集电极耗散功率

Pd---耗散功率

PFT（AV）---正向导通平均耗散功率

PFTM---正向峰值耗散功率

PFT---正向导通总瞬时耗散功率

PGM---门极峰值功率

PG---门极平均功率

Pi---输入功率

Pi---输入功率

PK---最大开关功率

PMP---最大漏过脉冲功率

PMS---最大承受脉冲功率

PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率

Pn---噪声功率

Pomax---最大输出功率

Posc---振荡功率

Po---输出功率

Po---输出功率

PR---反向浪涌功率

Psc---连续输出功率

PSM---不重复浪涌功率

Ptot---总耗散功率

Ptot---总耗散功率

PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率

Q---优值（品质因素）

r δ---衰减电阻

R(th)ja----结到环境的热阻

R(th)jc---结到壳的热阻

r(th)---瞬态电阻

rbb分钟Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积

rbb分钟---基区扩展电阻（基区本征电阻）

RBB---双基极晶体管的基极间电阻

RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数）

RB---外接基极电阻（外电路参数）

Rc ---外接集电极电阻（外电路参数）

RE---射频电阻

RE---外接发射极电阻（外电路参数）

RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻

RG---信号源内阻

rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻

RL---负载电阻

RL---负载电阻（外电路参数）

roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻

Rs(rs)----串联电阻

Rth---热阻

Rth----热阻

Rz(ru)---动态电阻

Ta---环境温度

Ta---环境温度

Tc---管壳温度

Tc---壳温

td---延迟时间

td----延迟时间

tfr---正向恢复时间

tf---下降时间

tf---下降时间

tgt---门极控制极开通时间

tg---电路换向关断时间

Tjm---最大允许结温

Tjm---最高结温

Tj---结温

toff---关断时间

toff---关断时间

ton---开通时间

ton---开通时间

trr---反向恢复时间

tr---上升时间

tr---上升时间

tstg---温度补偿二极管的贮成温度

Tstg---贮存温度

ts---存储时间

ts---存贮时间

Ts---结温

V n---噪声电压

V v---谷点电压

V（BR）---击穿电压

VAGC---正向自动增益控制电压

VB2B1---基极间电压

VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）

VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）

VBE10---发射极与第一基极反向电压

VBE---基极发射极（直流）电压

VB---反向峰值击穿电压

VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压

VCB---集电极-基极（直流）电压

Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）

VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降

VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压

VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压

VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压

VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压

VCE---集电极-发射极（直流）电压

Vc---整流输入电压

VDRM---断态重复峰值电压

VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压

VEB---饱和压降

VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）

VF（AV）---正向平均电压

VFM---最大正向压降（正向峰值电压）

VF---正向压降（正向直流电压）

VGD---门极不触发电压

VGFM---门极正向峰值电压

VGRM---门极反向峰值电压

VGT---门极触发电压

Vk---膝点电压（稳流二极管）

VL ---极限电压

Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值

Vn---中心电压

VOM---最大输出平均电压

Vop---工作电压

Vo---交流输入电压

Vp---穿通电压。

Vp---峰点电压

VRM---反向峰值电压（最高测试电压）

VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）

VRWM---反向工作峰值电压

VR---反向工作电压（反向直流电压）

VSB---二次击穿电压

Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压

Vth---阀电压（门限电压）

Vz---稳定电压

δvz---稳压管电压漂移

η---单结晶体管分压比或效率

λp---发光峰值波长

晶体三极管的rbb如何求？

rbb

你说的是三极管h网络的交流输入电阻吗

可以考虑用数字电桥lcr来测be间的阻值

原理就肆卖则配铅是输入交流电压

测得交流电流裂棚

然后求阻值

三极管的问题

你看一下下面的图片就知道了.

它主要用于h参数等效电路中渗销,用于计算Rbe,Rbb 是基丛返游区的等效电阻.一般世冲为200-300之间.

三极管r eb值

严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)×26mV/Ie，过去，由于晶体管工艺不好，生产过很多锗材料的低频管，这种管子rbb'=300Ω，现在大多生产硅管了，其特征频率大大提高，rbb'一般只有几十Ω，而且特征频率越高，rbb'也越小，80Ω的有，50Ω，30Ω的都有，于是现代教材一般回避这个问题，不再要求计算谈困rbe了，或者部分教材干脆来了一个rbe≈(1+β)×26mV/Ie。

rbb'这个电阻很不好，它是三极管的基区电阻，在三极管π参数中我们会看到，它严重影响了三极管工作频率的提高，随着生产工艺水含弯念平的不闹派断提高，rbb'会越来越小，最终被忽略不计。

在微波三极管中，rbb'已经被忽略不计。

三极管共射放大电路中rbb'是什么?

三极管EM2模型中，基极内部等效电阻，稿盯是100欧型键左右，具体值在三极管的器件手册中会给出。

等效电路是当电路中某一部分用其等效电路代替之后，未被代替的部分电压和电流均不发生变化，也就是说电压和电流不变的部分只是等效部分以外的电路。

微变等效电路的特点：

1、微变等效电路的对象只对变化量。因此，NPN型管和PNP型管的等效电路完全相同。

2、微变等效电路是在正确的Q点上得到的，如Q点设置错误，即Q点选在饱和区或截止区时，等效电路无意义。

3、不能用微变等效电路求静态工作点。④ 微变等效电路中的电压和电流全部用交流量的有效值表示，　电压和电流的方向按网络的定义方向，不要随意改变。

扩展资料：

放大原理

1、发射区向基区发射电子

电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。

2、基区中电子的扩散与复合

电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之卜敬巧比例决定了三极管的放大能力。

3、集电区收集电子

由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。

参考资料来源：百度百科-三极管

参考资料来源：百度百科-等效电路

为什么三极管放大电路设计不用注重Rbb？我模电书说要rbb的求rbe的，但现实中手册很少给rbb的数据为什么？

这个问题在模电书上不是写得很清楚嘛，

rbb是基区体电阻，你得到的那个用rbb计算rbe的公式，其实已经是近似表达式了，只有在信号比较小，频率低，且线性度比较好的区域，分析结果误差才樱枝比较小。

另外，半导体制造的时候，本身就带有极大的分散性，也就是一个袋子里拿出来的晶体管，没有任何两个晶体管的参数是一模一样的，这个称为半导体的分散性，你说，这样的话，让厂家怎么标呢？

现实中的放大电路里，本身放大倍数B（贝塔）就会随着电流变化，不是一个固定值，这个时候，rbb给不给，毁悄关系也不大了。对于实际放大电路的放大倍数分析一般都采用另外的工程估算法（你可以去看一下，铃木雅臣的纤颂渣《晶体管电路设计》上，写得很清楚），不需要很精确，偏差正负10%很正常。

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