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栅极电阻（栅极电阻的作用）

发布时间：2023-08-17
阅读量：21

本文目录一览：

mos管栅极电阻和电位器一般多大

mos栅极与源极之间的泄放电阻一般是5K到10K，那么并联的mos栅极与源极的泄放电阻是每个都用5k-10k还是加起来5k-10k。

缓冲电阻，针对栅极控制信号的。根据MOS管的栅极电容和工作频率来选择，一般在7欧到100欧之间。一般MOS管资料内也会有个相应的栅极串入电阻参考值。

大功率mos管(不仅仅是irfp4468)在开通和关断时基本不需要多大栅极电流，因为只是给寄生电容（P法级）充放电而已，栅极电阻倒是必要的，几百欧姆足以。

用普通小电阻即可，MOS管栅极电流很小，这个电阻主要跟上升/下降时间有关系，一般选择几十欧姆的电阻即可。

mos管栅极可以串联电阻，主要是防止杂波传入输入端，让开关波形更好看。通常可用100-200欧，具体的阻值要看你前端电路设计。

你好，MOS管DN3525N8-G导通电阻是 6 欧姆。

igbt栅极电阻太小会怎么样

门极电阻太小会出现短路过流能力下降。如果门级电阻选择过大，但驱动板的驱动电源功率不够，会引起门极驱动信号振荡。如果门级电阻选择过小，会引起IGBT承受短路过流能力下降，引起关断电压尖峰。

IGBT是场效应管和大功率晶体管的复合，所以门极与另外两极之间电阻很大。对IGBT本身消耗功率影响比较大的是开关时间，门极的电容造成的影响。门极电容导致开通时间和关断时间较长，所以处于放大区的时间较长，导致耗散功率较大。

调节功率开关器件的通断速度栅极电阻小，开关器件通断快，开关损耗小；反之则慢，同时开关损耗大。

一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。

太小的话，IGBT开通过快，一方面造成二极管的反向恢复损耗增加，甚至会导致续流。

胆机栅极电阻大小对屏流有影响吗

胆机阴极电阻大小决定了阴极电压的大小，也就决定了栅负压的大小。

根据公开资料，调整栅极的负压就能影响屏极电流，胆机屏流过小可以通过调整栅极的负压处理。胆机指的是电子管的音频放大器。电子管有的用于功率放大，有的用于润色即电压放大。

屏流异常增大的原因有可能是胆机高频自激了，高频大电流流过阴极电阻使得发热烧毁，这种自激由于频率很高用普通的表计测不出来，用示波器可以观察到。这时胆机声音失真，功率管的屏级有可能发红，对管子的寿命有影响。

电子管屏流增大是屏极电流取决于栅负压或电子管自给偏压，而自给偏压又由阴极电阻产生，阴极电阻发生质变或栅极固定电压发生变化，都会导致屏流异常。电子管，是一种最早期的电信号放大器件。

偏压高，原因有屏压增高、特别是帘栅压增高使屏流增大、阴极电阻阻值增大、栅极交连电容器漏电或击穿使栅极上加有正电压等几种。此外，阴极电阻开路也会使偏压增大，此时屏流很小，线路存在寄生振荡。

如果是固定偏压的电路，调整栅极的负压就能影响屏极电流。如果是自给偏压的电路，调整阴极电阻的阻值大小。

mos管栅极电阻选取方法?

MOS管栅极串联电阻的确定方法：当 Rg 增大时，导通时间延长，损耗发热加剧； Rg 减小时， di/dt 增高，可能产生误导通，使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值。

用普通小电阻即可，MOS管栅极电流很小，这个电阻主要跟上升/下降时间有关系，一般选择几十欧姆的电阻即可。

这是两个N沟道增强型CMOS管，在其栅极施加正电压将形成导电沟道，MOS管的漏-源极呈现低阻状态，相当于开关接通，电机转动。

MOS管栅极串联电阻如何确定

MOS管栅极电阻的选取可以通过以下步骤进行：确定电路的工作电压 range。确定工作状态下 MOSFET 的最大电流。根据最大电流和工作电压确定 MOSFET 的额定功率。通过选择电阻值来将功耗限制在额定范围内。

一般来讲就是在MOS的温度和EMI折中 示波器里量测电阻前后对地波形，可以看到电阻前的PWM比后面的要直。

把连接栅极和源极的电阻移开，万用表红黑笔不变，假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大，则MOS管漏电，不变则完好。然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来，假如指针立刻返回无限大，则MOS完好。

若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

Ron=1/[β(Vgs-VT)]。mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron=1/[β(Vgs-VT)]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。

igbt栅极电阻会影响开关速度么?

栅极电阻大小对开关过程影响的物理原因是栅极电阻小，给门极电容充电速度就快，电流变化就快。栅极电阻的存在势必会影响开关速度，即电容的充放电速度。为了减少谐波，可以通过增加栅极电阻来缩短开关时间。但是这将增加开关损耗。

当IGBT栅极引线的电感值较大时，会导致栅极驱动信号的上升时间变慢，因为电感会阻碍电流的变化，从而降低栅极的响应速度。

IGBT的栅极电阻是连接到IGBT内部G极的电阻，其中又有外部和内部之分，外部栅极电阻是驱动板上外接的电阻，内部栅极电阻每个IGBT内部集成固有的，具体值可以查看技术手册。IBGT的栅极电阻影响IGBT开关快慢及开关损耗。

调节功率开关器件的通断速度栅极电阻小，开关器件通断快，开关损耗小；反之则慢，同时开关损耗大。

对IGBT本身消耗功率影响比较大的是开关时间，门极的电容造成的影响。门极电容导致开通时间和关断时间较长，所以处于放大区的时间较长，导致耗散功率较大。

电流加大，对开通关断时间影响很小。振荡主要是你的驱动板到IGBT的距离太远，用线太长，尽量短，用双绞线。

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