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gs有电压差到一定程度的时候，mos管就会打开，这个电阻可以在一定程度上减小gs之间的电压，这样可增加mos管的抗干扰能力。
gs有电压差到一定程度的时候，mos管就会打开 这个电阻可以在一定程度上减小gs之间的电压 这样可增加mos管的抗干扰能力。
mos管G极阻抗很高，很容易积累静电，而击穿G一S导致管子失效。接0欧电阻可以池放静电保护管孑不因静电损坏。
本来信号撤离，需要ds关断，现在是导通，工作紊乱容易损坏mos管。g级前串进来的电阻，对驱动电阻有影响。gs之间可以等效为一个电容，即驱动给串联的RC充电，R越大，充电越慢。建议看下mos管的驱动过程，了解米勒平台等等。
MOS管G极接电阻是防止振荡，晶体管接电阻是限流。
串电阻是防止振荡。如果你直接用IO驱动，驱动电流最大也就20mA，电阻太大不合适。普通使用做开关控制，建议不要超过100欧。串电阻是防止振荡。如果你直接用IO驱动，驱动电流最大也就20mA，电阻太大不合适。
用普通小电阻即可，MOS管栅极电流很小，这个电阻主要跟上升/下降时间有关系，一般选择几十欧姆的电阻即可。
MOS管 GS电阻（输入电阻 ）【几十M～几百M】远大于双极三极管BE电阻【几KOhm】；而导通饱和时DS（输出电阻）【0.1 Ohm】一般又大于双极三极管CE电阻【0.5 Ohm】；导通线性放大时DS与CE相当【几百KOhm】。
mos的内阻值在70到200欧姆之间。因为mos接触电阻、通道电阻、扩散区电阻件值通过的阻值在70到200欧姆。根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。
你好，MOS管DN3525N8-G导通电阻是 6 欧姆。
mos栅极与源极之间的泄放电阻一般是5K到10K，那么并联的mos栅极与源极的泄放电阻是每个都用5k-10k还是加起来5k-10k。
梯形是驱动速度不足的现象，可以在G极电阻并一个反向二极管加速关断，或在G极加一个图腾。
理论上MOS管可以由N颗并联，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。
以N型MOS管四端器件为例：NMOS管四端分别是D、G、S、B，即漏(Drain)、栅(Gate)、源(Source)以及体(Body)端。MOS管是电压控制电流器件（区别于Bipolar的电流控制电流器件特性）。
gs有电压差到一定程度的时候，mos管就会打开，这个电阻可以在一定程度上减小gs之间的电压，这样可增加mos管的抗干扰能力。
MOS开关由GS电压空置SD闸。两个作用，1，GS电位突变变化保护作用。2，减少MOS震荡时间。
G，S之间加电阻是为了泄放G级的电荷。当G级没有信号输入时，G级残压电荷，或是静电累积的电荷，就会在gs直接形成电场，差生电势差，而gs之间的门槛电压是很低的，容易导通，继而ds也导通。
mos管G极阻抗很高，很容易积累静电，而击穿G一S导致管子失效。接0欧电阻可以池放静电保护管孑不因静电损坏。
一是为场效应管提供偏置电压；二是起到泻放电阻的作用：保护栅极G-源极S。
MOS管G极接电阻是防止振荡，晶体管接电阻是限流。
这个电阻必须减小，甚至改为0欧也是可行。频率100K以上，必须使用专门的驱动电路（比如，图腾柱方式）或者MOS管专用驱动IC，不然的话MOS管容易烧毁。下拉电阻是防止G极残余电压误导通，不可太大或太小，10K到47K都可以。
mos输入端通过电阻接地的电阻值应为4k~6k之间不能多出这个范围之内，通过电阻接电的电阻值应该就在这个范围之内，希望对你有帮助，谢谢。
G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。
较为简单的方法是两管并联：分别将两管的栅极G、源极S和漏极D并联，最好分别在栅极和漏极上串联一只小阻值的均衡电阻，如图所示。其中RR4由漏极电流决定，使其上的压降1V左右即可。
关键词：并联电阻 极三极管 导通电阻 地电阻 0欧电阻 电容 电阻 mos管 驱动电阻 双极三极管 输入电阻 接地电阻 欧电阻 一个电阻 二极管加
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