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光电三极管的负载电阻越大，时间响应越长。光电三极管的时间响应由以下四部分组成：光生载流子对发射结电容Cbe和集电结电容Cbc的充放电时间。光生载流子渡越基区所需要的时间。光生载流子被收集到集电极的时间。
图4给出了光电三极管响应时间与集电极电流 的关系，由图可知，增加集电极电流 可减小光电三极管的响应时间，即提高光电三极管的工作频率。
毫秒。光电sensor的反应时间是0.1毫秒，加上信号传输处理时间，总共约1毫秒，故测量转速的范围是1-60000/分之间，饱和测量的话有误差。
1、确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。
2、MOS管的的最大允许电流是靠设计参数来确定的，使用电气参数测量方法无法确定，不过可以使用测量导通电阻方法估算，大约是V/导通电阻，V是参考压降，取值0.8-3，高压管取值大些，低压管取值小些。
3、确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。
导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。
MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。
在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开 关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。
MOS管是电压驱动部件，驱动电流很小，具体驱动电流要结合周边电路来分析。
MOS管的的最大允许电流是靠设计参数来确定的，使用电气参数测量方法无法确定，不过可以使用测量导通电阻方法估算，大约是V/导通电阻，V是参考压降，取值0.8-3，高压管取值大些，低压管取值小些。
确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。
MOS管的应用，达到100KHz也不怕，就怕你用单管IGBT，普通的只是25KHz左右，目前市场上仅英飞凌和富士量产了高频的系列，可以达到40-50KHz。
MOS管就是场效应管，20A的电流别无选择，只能场效应管。场效应管的开关频率一般可达300MHz，也就是微秒级别的，开关电路一般用到毫秒。提高关断速度，只要提高栅极的速度即可。
IRF3205导通内阻小很多（约8毫欧），可以降低损耗，但耐压比540低（3205 60V；540 100V)如果耐压满足的话就选3205。 频率最大可到100K，一般选50K较合适。
mos管是电压控制元件，在某些方面使用起来很方便，当然，在开关电路中，由于mos管的导通电阻很小，所以使用也非常好，在开关电路中应用，就是一个能够受控制的开关，一般是受电压信号的控制。
可以。如果要工作在开关状态，就必须使得MOS管处于可变电阻区和夹断区。
场效应管的作用主要有信号的转换、控制电路的通断，这里我们讲解的是MOS管作为开关管的使用。
MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。
MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。
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