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一只双向可控硅的工作原理，可等效两只同型号的单向可控硅互相反向并联，然后串联在调压电路中实现其可控硅交流调压的。为50Hz交流电的电压波形。在0～a′时间内，SCR1因控制极G无正脉冲信号而正向阻断，而SCR2则反向不导通。
可控硅的工作原理：双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。
双向可控硅原理 双向可控硅：是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
SCR3与周围元件构成普通移相触发电路，其原理这里从略。SCRSCR2选用封装好的可控硅模块(110A/1000V)，SCR3选用BTl36，即600V的双向可控硅。
双向可控硅制作的交流调压电路主要是控制双向可控硅导通角实现调压的。工作原理：R、RP、C、D 组成脉冲形成网络触发双向可控硅BT， 使BT在市电正负半周均保持相应正反向导通。
1、那是可控硅触发极接的触发二极管。直接做在模块里了，省得另配。
2、通常是双向二极管，即给触发一个门槛，必须高于某个值才能触发。
3、双触发二极管，准确脉冲：双向触发二极管，型号：DB3，是可控硅移相调压电路的核心部件，不能省略，如果不用可控硅就不能导通。
1、双向可控硅触发电路工作原理：可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成 当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
2、单相通用型可控硅触发板是通过调整可控硅的导通角来实现电气设备的电压电流功率调整的一种移相型的电力控制器。其核心部件采用国外生产的高性能、高可靠性的军品级可控硅触发专用集成电路。
3、可控硅的工作原理：双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。
可控硅导通需要有两个条件，一是在阳极和阴极之间加正向电压，二是在控制极加触发电压，两个条件同时具备可控硅才能导通。
要使晶闸管导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。
单相通用型可控硅触发板是通过调整可控硅的导通角来实现电气设备的电压电流功率调整的一种移相型的电力控制器。其核心部件采用国外生产的高性能、高可靠性的军品级可控硅触发专用集成电路。
触发部分的设计要看可控端的电压和电流。举个例子：如果可控硅两端的电压最大值是311V，而它的控制电流要在15mA以下，你可以大概选个中间值，就6mA吧。那么用311V/50K=22mA。
1、GTO(门级可关断晶闸管)：全控型器件 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低 。
2、其中属于双极器件的有：SCR、GTO、GTR以及IGBT；单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器，也叫晶闸管，主要用在类似于二极管的领域，其与二极管不同的是，正向工作时，可通过门极电流来触发导通。
3、IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
4、mosfet是由电压控制器件，开关速度比三极管快，内阻比三极管低。所以适合做开关管，开关损耗低。igbt 结构上是电压控制的三极管。开关速度比mosfet慢些，特别是off time.但是，它容易做到高电压，大电流。
5、电压控制型比如MOSFET和IGBT 电流控制型比如BJT，GTO，GTR等等。
6、主要作用：普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。
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