mos管击穿测量方法（mos管被击穿的原因）

发布时间：2023-08-18

阅读量：22

本文目录一览：

1、在上述场效应管测试框图中，SMU CH1的正极连接到FET的栅极，SMU CH2的正极连接到FET的漏极。如果需要从FET的所有三个端子进行源和测量，FET的源极连接到两个SMU通道的负极或可使用第三台SMU。

2、用测电阻法判别结型场效应管的电极：根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

3、用万用表检测场效应管的好坏。将指针式万用表拨至“RX1K”档，并电调零。场效应管带字的一面朝着自己，从左到右依次为：G，D，S。

4、N沟道MOS场效应管好坏的测量方法用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。

一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。

检测IGBT好坏简便方法：判断极性。首先将万用表拨在R1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。

IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。

用万用表电阻挡测二极管正反向电阻，即可判断出二极管的好坏。反向测量时，红表笔接二极管正极，黑表笔接二极管负极，此时二极管表针不动或略动一点，说明二极管正常。

mos管击穿测量方法（mos管被击穿的原因）

1、场效应管好坏测量视频场效应管测量好坏方法（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极依据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，能够判别出结型场效应管的三个电极。

2、场效应管测量好坏的方法如下：是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

3、档位不变，将G极和D极短接，表笔接法不变，显示的电阻值应该非常小、接近零。如果是这样，表面上看管子是好的。P沟道场效应管，需要将红、黑表笔反过来接，其余步骤相同。

4、场效应管带字的一面朝着自己，从左到右依次为：G，D，S。将黑表笔接在D极，红表笔接在S极上，此时，万用表指针应不动；然后再对换表笔，再测，此时，万用表指针应向右摆动。

1、可以用测电阻法测量场效应管的好坏，用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

2、用表红笔触发栅极G有效，说明该管为P沟道场效应晶体管。 \x0d\x0a\x0d\x0a2．判别其好坏 \x0d\x0a\x0d\x0a用万用表R×1k档或R×10k档，测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。

3、如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。根据上述方法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。

4、N沟道MOS场效应管好坏的测量方法用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。

5、万用表打到响铃挡，测任意MOS管其中的两个引脚。

6、反向无穷大“1”，此管为P沟道。、好坏判断：万用表打到二极管挡测量，只能有D/S极正向有阻值400-700欧，反向无穷大“1”，另外G/D和G/S正反向都为无穷大“1”就是好的。、替换原则：极性一样就可以替换。