mos管电阻计算（MOS管电阻计算VE代表什么）

发布时间：2023-08-18

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MOS管栅极电阻的选取可以通过以下步骤进行：确定电路的工作电压 range。确定工作状态下 MOSFET 的最大电流。根据最大电流和工作电压确定 MOSFET 的额定功率。通过选择电阻值来将功耗限制在额定范围内。

一般来讲就是在MOS的温度和EMI折中示波器里量测电阻前后对地波形，可以看到电阻前的PWM比后面的要直。

把连接栅极和源极的电阻移开，万用表红黑笔不变，假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大，则MOS管漏电，不变则完好。然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来，假如指针立刻返回无限大，则MOS完好。

若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

Ron=1/[β(Vgs-VT)]。mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron=1/[β(Vgs-VT)]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。

mos管栅极可以串联电阻，主要是防止杂波传入输入端，让开关波形更好看。通常可用100-200欧，具体的阻值要看你前端电路设计。

mos管电阻计算（MOS管电阻计算VE代表什么）

1、mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron=1/[β(Vgs-VT)]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。

2、Rds = R0 + (Vgs - Vth) / Id 其中：- Rds是MOS管的输出电阻；- R0是漏极电阻，代表了MOS管导通时的固有电阻；- Vgs是栅源电压；- Vth是阈值电压，表示MOS管开始导通的门源电压差；- Id是通过器件的电流。

3、直接测量法：先测出空载电压，然后再测出一定负载下的电压，两者的差值比上负载电流就是输出电阻。公式法。分别测出负载开路时的输出电压，和带上负载后的电压。

4、指出TT4管在该电路的中作用是作为偏置电流源，Io=Iref=4mA 求该电路的差模电压增益Av=-0.5gmRd//RL=0.5x45x5=-8125；求该电路差模输入电阻Rid=∞，输出电阻Ro=Rd=5K。

在50pa-1pa之间，热偶真空规管的测量准确度比电阻规管要好一些。热偶的量程是300-0.1pa。还有一点，国外的也无所谓，价格太高。

真空规管，真空规管就是测量真空度的传感器。真空规管测量出来的信号传输到真空计上经过放大处理就可以显示出被测真空环境的真空度。主要应用于真空环境的真空度测量领域，如真空镀膜，太阳能集热管制作，真空冶炼等。

如右图所示，热电偶规与皮拉尼电阻规基本原理一致，只是它不用测量热丝电阻的变化，而是用热电偶直接测量热比的温度变化。测量范围一般与在0.1Pa至1000Pa。与皮拉尼电阻规一样，这种规也需要在不同的使用气体下标定。

电阻真空计是应用气体导热性能与气体压强有关的原理做的真空计。利用电桥测量真空中的电阻变化来换算出真空度。电阻真空计也叫皮氏真空计（皮拉尼）采用ZJ-52电阻规管。该真空计量程较宽、漂移较小。

三极管的型号任选一款小功率NPN型三极管即可，即便是小功率三极管，集电极额定电流通常也能满足20mA的要求。假设三极管的电流放大倍数β不低于100，那么R2的阻值选用0.6V/20mA=30Ω，R1的阻值3k~5k就可以。

Q2完成电流恒定；R1是电流取样电阻；Q1完成R1的取样信号放大，给Q2提供负反馈，可以看成Q2的自动可变下偏置。计算时要已知Q2Ic，也就是你要恒定的电流。R1=0.7v/Q2Ic。Q2Ib=Q2Ic/βQ2。

在一些开关电源电路中，这个结构用来给三极管提供偏置电流。电流计算公式为： I = Vin/R1值得一提的是，以上这些恒流源并不都适合安培以上级别的恒流应用，因为电阻上面太大的电流会导致发热严重。