mos二极管（mos二极管连接负载的共源极）

发布时间：2023-08-18

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MOS管工作是靠沟道导通电流，PN结只是控制沟道宽度，这和三极管、二极管通过PN结导通电流不同，因此三极管的基极和集电极或发射极连接可以代替二极管，但MOS管的栅漏或栅源极连接是不能代替二极管的。

一般而言，不可以这样的。肖特基二极管主要的特性有三点，一点是导通电压低，只有普通二极管的2/3左右，因此相同的电流，发热量低，第二点是导通电流很大，可是适合大电流整流。另外肖特基二极管结电容小，适合高频整流。

MOSFET的反并二极管，是一个普通二极管！且只能当作普通二极管使用。boost电路，一般要选用开关二极管，快恢复型二极管。BOOST电路，使用普通二极管，输入电流肯定要上升一倍多，这是因为普通二极管，反向恢复速度很慢的原因。

1、mos管作为二极管原理MOS管，即金属-氧化物-半导体管，是一种三极管。它由一层金属-氧化物-半导体材料组成的沟道结构。这种结构使得MOS管具有高阻断电压、低漏电流、高电流增益等优点。MOS管主要分为两类：nMOS和pMOS。

2、只要加适当的电压，将MOS导通就可以了。比如N沟MOS管，在GS两个脚加正电压，这时2A电流从S到D流过却可。如果MOS不导通，电流也可以从S到D流过，因为管内有二极管。（MOS管导通后电流可以从D流向S也可以从S流向D。

3、mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。而当PN结处于正向偏置状态时，其电阻非常小，电流可以通过PN结流过。

pn结的反向击穿当外加电压超过一定值时，少数载流子的数量超过了多数载流子数量的两倍时就会发生反向击穿而使二极管损坏。

MOS管的原理：它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。

一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大，然后在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。

1、用单片机的输出口连接MOS管的控制极，MOS管与发光二极管串联后接到电源。用程序使单片机输出口的相应位置0或置1，即可控制发光二极管的亮灭。

2、MOS导通以后，当输出电压达到一定值后，或者DS电流达到一定值以后，会使G11导通，从而使G12截止。此时线圈78电势也将反向，加速G12截止，并维持一定截止时间。G12的电荷可通过C3和G11泄放。

3、必须正确连接S和D的方向，用来控制充电回路的mos管，应该使寄生体二极管与充电电流方向相反，如果接反的话，本来需要关闭这个mos管，但是由于体二极管的存在，导致充电电流无法截止。

4、使用有寄生二极管的P沟道MOS管，S的电压要高于D的电压，原因同上。下面是MOS管的导通条件，只要记住电压方向与中间箭头方向相反即为导通（当然这个相反电压需要达到MOS管的开启电压）。

mos二极管（mos二极管连接负载的共源极）