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1、可控硅、GTO是电流触发,其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断;GTO称之为可关断可控硅,可以在有电流时关断。
2、IGBT单管和MOS管的区别:从结构来说,以N型沟道为例,IGBT与MOSFET(VDMOS)的差别在于MOSFET的衬底为N型,IGBT的衬底为P型。
3、IGBT的工作原理是,通过在晶体管的晶体管基极和源极之间施加电压来控制电流的流动。当电压施加在晶体管的绝缘门上时,它可以控制通过晶体管的电流的大小。当电压施加在晶体管的源极时,电流就会通过晶体管流动。
4、IGBT的工作原理是是通过加正栅电压形成沟道,作用是为PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通。IGBT是绝缘栅双极型晶体管,是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
1、可控硅可以并联也可以串联使用,可以用作调压电路,靠改变导通角来调节输出电压,一般附带着整流的功能。可控硅也可以用来做开关,由不同的电路来组成。其工作原理是通过改变触发极的电压,来决定阴极和阳极的导通程度。
2、从原理上讲是可以,但驱动电流要足够,否则有可能驱动不了。也可以改用导通电流更大的可控硅。
3、不行,因可控硅的参数不一致,不可能同时导通或关断,因此会有抢电流现象,然后会分别烧毁。理论和现实有很大区别。
1、可控硅,阳极与阴极间有两只反向PN结,用表测量电阻极大;只有门极与阴极是PN结,正反间电阻相差很大;只要电极间符合这个现象的,那就是可控硅了。
2、不一样的。虽然都是三条腿的家伙,但各自的功用是大不相同的。三极管分:NPN型硅、锗管。PNP型硅锗管。管脚分基极b、集电极c和发射极e。其主要作用是电流放大、小电流控制大电流等。晶闸管俗称可控硅。
3、三极管与可控硅是两码事;三极管具有放大作用,就是基极输入的电信号,可以有倍率的放大;而可控硅是没有这个作用的,在控制极上给信号,可控硅就导通,可以把它看做一个可控制导通和断开的二极管。
4、可控硅的结构:内部有相互交叠的4层PN区组成,有三个PN结,三个电极,即阳极A 阴极K 控制极G .三个PN结实际构成了两个相互连接的三极管。一个是PNP,一个是NPN ,每个管子的集电极连接导另一个管子的基极,形成正反馈。
5、可控硅和三极管有相同处也有不同处:三极管必须用在直流供电的电路中,这是它的特性决定的。他可以处于放大状态,用于模拟电路中。也可以仅处于饱和导通和截止两种状态,用于开关电路或数字电路中。
GTO(门级可关断晶闸管):全控型器件 电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强 电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低 。
其中属于双极器件的有:SCR、GTO、GTR以及IGBT;单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器,也叫晶闸管,主要用在类似于二极管的领域,其与二极管不同的是,正向工作时,可通过门极电流来触发导通。
IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
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