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1、跨导外推法基于FET的特性曲线,通过测量FET的输出电流和输入电压之间的关系来确定阈值电压。
2、示波器测电压的方法:示波器钩针接被测电压,黑色的夹子夹“被测电压的地”(使示波器和被测电压有一个公共的参考点)。示波器的探头通常有“×1”和“×10”两种衰减形式,“×1”情况下不进行衰减。
3、在波形图上测量到ID=0.1uA时,VGS=0.356V,那么VT(ci)=0.356V;ID=1uA时,VGS=0.467V。在波形图上测量到gm(max)=26u,此时VGS约为0.675~0.679V,就取。
4、如果需要从FET的所有三个端子进行源和测量,FET的源极连接到两个SMU通道的负极或可使用第三台SMU。
5、把红笔接到MOS的源极S上,黑笔接到MOS管的漏极上,好的表针指示应该是无穷大。如果有阻值没被测MOS管有漏电现象。
til113光耦用法:一脚二脚可以内接发光二极管。til113引脚功能是,一脚二脚内接发光二极管,三脚四脚内接三极管的集电极和发射极。
VCC 和 VO 终端可能被绑到一起来实现惯常的光敏达林顿晶体管放大器操作。基极接入终端实现对增益频段的调节。6N139 适用于 CMOS、LSTTL,或其它低功率应用中。
DSP 的I/O为高电平时,三极管be结之间有一定电压,三极管处于导通状态。三极管导通状态时,ce结相当一个很小的电阻,5V电压基本上被510欧的电阻和达灵顿管分担了,RQ1相当于接地。所以这时RQ1电位基本为零。
》没有隔离需求时不要使用光隔离,因为其效率低于“1”(图中利用光隔离反向是个误区)。4》2003虽然好用,但它高入低出,在这个电路里不适合。
在单片开关电源中,利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路,通过调节控制端电流来改变占空比,达到精密稳压目的。种类光耦光电耦合器分为两种:一种为非线性光耦,另一种为线性光耦。
当接收管的电流放大系数hFE为常数时,它等于输出电流IC之比,通常用百分数来表示。
1、如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的。(整体如图)根据上述方法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F。
2、第一步:将万用表置于二极管档测量,用红表笔接控制器负极,黑表笔依次测量控制器主线中的黄、绿、蓝线,读数约在500左右(数字万用表),三次读数应基本一致。
3、把红笔接到MOS的源极S上,黑笔接到MOS管的漏极上,好的表针指示应该是无穷大。如果有阻值没被测MOS管有漏电现象。
用测电阻法判别场效应管的好坏:测电阻法检测MOS管是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
如果是NMOS,用万用表二极管档量MOS管体二极管导通的两脚,正极是S极,负极是D极,剩下的是G极。如果是PMOS,用万用表二极管档量MOS管体二极管导通的两脚,正极是D极,负极是S极,剩下的是G极。
MOS管的检测主要是判断MOS管短路、漏电、放大、断路。它的操作步骤如下:①把红笔接到MOS的源极S上,黑笔接到MOS管的漏极上,好的表针指示应该是无穷大。如果有阻值没被测MOS管有漏电现象。
1、可以用测电阻法测量场效应管的好坏,用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
2、用测电阻法判别场效应管的好坏:测电阻法检测MOS管是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
3、若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏,用二极管档测量时,万用表显示的读数接近于零。用万用表的二极管档给5N60C栅源两极(G-S两极)之间的电容充电。
4、做完以上准备工作后,按以下三个步骤操作,即可判断控制器好坏。
5、若测得某两极之间的电阻值接近0Ω,则说明该管已击穿损坏。另外,还可以用触发栅极(P沟道场效应晶体管用红表笔触发,N沟道场效应管用黑表笔触发)的方法来判断场应管是否损坏。
用测电阻法判别无标志的场效应管: 首先用测量电阻的方法检测MOS管得找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。
先对MOS管放电,将三个脚短路即可;首先找出场效应管的D极(漏极)。
N沟道MOS场效应管好坏的测量方法 用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。
大功率MOS管60N10的检测方法:准备 测量前,在接触MOSFET管60N10的引脚之前将人体短接到地。最好在手腕上接一根电线与大地相连,使人体与大地保持等电位,再把管脚分开,然后拆掉导线。
其实场效应管三极管很好判断:有字面朝上从左到右依次为:G、D、S,有些管相反:S、D、G。我修显示器、主板、电源都是从上面的方法测绝对没问题。
mos在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。mos两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,mos管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。
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