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你设计的思路是这样的：正常情况下，当光耦接入高电平时光耦导通，三极管基极电压通过光耦的后面到地，三极管截止，继电器线圈没有电流通过继电器断开。没有输入高电平时继电器是闭合的。
为了保护8050，可以在基极串入一个几十欧到200欧的电阻，根据继电器需要的驱动电流实验确定电阻阻值。
试下在串个单向二极管在单片机输出点，或反向并个二极管在光耦输那，串：反向截止，这样就不能回流到单片机，截止干扰。
你的这个电路最大两个问题是，光耦输入端没有接上限流电阻，这样很容易烧掉。24V继电器线圈两端没有接续流二极管，线圈是感性负载，在断电的一瞬间会产生瞬时高电压，很有可能会烧掉控制器件。
二是图中Q1的输出用了射极输出，射极输出电压VO=VCC-VR-Vbe，VR是R9上的电压降，由于继电器需要的驱动电流较大，R9的值又比较大，所以VR也较大，导致VO减小。解决办法是用集电极输出驱动。
上拉电阻选10K，电阻1选2K，电阻2选10K，三极管选8050。但这个电路可能有两个问题：由于IO口的初始状态为1，所以刚上电时，继电器处于吸合状态。需要在5V和光耦1脚之间串一个1K电阻，否则光耦易烧掉。
在电路的等效变换中，电压源是理想的电压恒定的元件，提供的电压与外电路分流电流无关，所以与并联的其他元件可以去掉。分析电路时尽量把对分析结果没有影响的那些因素抛开。
你完全搞错了，所以不存在你说的为什么。求ab的等效，2欧电阻必须直接去掉，2欧和6V并联等效还是6V，2欧消失了。你图中将2欧并6V变成3A串2欧是严重错误的，这两者根本不等效，你相当于把6V直接替换为3A，大错特错。
一旦高频变压器的次级负载过载或开关电路出现故障，就没有光耦电源，此时光耦控制开关电路无法启动，最终保护开关管不被击穿烧坏，所以开关电源中的光耦合器一般起到隔离的作用，提供反馈信号和切换三。
1、光耦控制三极管基级，三极管控制一个继电器即可。如有帮助请采纳，或点击手机右上角的 采纳按钮。
2、用51单片机一个IO口，通过一个光耦和一个三极管，控制一个5V或者一个12V的低压直流继电器，然后通过低压直流继电器的触点，就可以控制220V交流开关了。
3、的KBP210，之后接入一个光耦（P521），这样如图1整流后信号电压值超过光耦前段二极管的导通电压时，即产生一次脉冲，光耦右侧为一上拉电路，VCC为单片机供电电压：+3V。光耦三极管导通时，输出低电平，关闭时输出高电平。
4、建议你采用可控硅控制，电路简单，成本低，可靠性高，零件可以直接搭接，不需要做电路板，适合初学者制作。你想用13003来做不是不可以，电路会比较复杂。
K电阻。驱动光耦的器件有最小工作电流值，驱动光耦，有一定的漏电流，所以要并联1k电阻吸收这些漏电流防止光耦导通。光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。
，驱动电流一般在2~20mA 2，对普通光耦来说，一般不提输入电阻。
开关电源的“热地“与”冷地“之间，通常用大阻值电阻（2M以上）和高耐压（2KV）小容量电容组成去耦电路。
Ω。反馈光耦前端上拉电阻是510Ω。对于使用这款光耦通讯来说是一个适合的阻值，不同的光耦存在着新能差异不能说所有的都适用。
通过你的电路分析可以得到：光耦上方的电阻R1可以用390Ω，0.5W；R2可以用10K，0.5W；场效应管可以用现有的IRF540。如果用耐压30V到50V相同电流的场效应管更好。可能价格更便宜。
一般电流控制在5~20mA，最大50mA。用5V电源驱动，可以串联电阻R=5/0.01=500R，所以你可以选择电阻200R~1K，建议取值330~510R.在驱动电压恒定的情况下，串联电阻越大，电流越小。
1、光耦的导通电压是0.7v左右。因为光耦的工作部件是一个发光二级管，他的导通电压跟一般的二极管是相同的。光耦合器（opticalcoupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。
2、低电压变频器适用于驱动功率在几千瓦以下的电机，其输出电压通常为380V或220V，主要应用于工业自动化、建筑工程、物流运输、食品加工等领域。
3、分开低压如220V和380V，中压如690V，高压如1200V ，变频器是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置， 其最主要的特点是具有高效率的驱动性能及良好的控制特性。
关键词：光耦隔离继电器 继电器 驱动光耦 电源光耦 拉电阻 和光耦 三极管基极电压 大电阻 电阻 续流二极管 0欧的电阻 三极管基级 欧电阻 三极管截止 光耦 2欧电阻 并联电阻 上拉电阻 三极管控制 单向二极管
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