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1、可以理解为是三极管中,电流的流向。不过仅限于是外加正向电压下的情况。也是P-N结的方向。
2、三极管箭头指向是发射极的电流方向,有箭头的那个极就是发射极。箭头向内指的是PNP型三极管,箭头向外指的是NPN型三极管。
3、三极管上的箭头指向是指发射极的电流方向。在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量。
闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成 正反馈 形成闩锁。 避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻,使寄生的三极管不会处于正偏状态。
闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻,使寄生的三极管不会处于正偏状态。
防止电感元件的反向感应电动势或电网噪声窜入CMOS电路,引起CMOS电路瞬时击穿而触发闩锁效应.因此在电源线较长的地方,要注意电源退耦,此外还要注意对电火花箝位。 (2) 防止寄生晶体管的EB结正偏。
Latch up 的定义,使寄生的三极管不会处于正偏状态, Latch up 的防范是IC Layout 的最重要措施之一Latch up 的原理分析 Q1为一垂直式PNP BJT;Rwell是nwell的寄生电阻。
肯定不行呀。IGBT是全控型器件,可控硅是半控型。且IGBT的开关频率和可控硅不是一个等级的。
可控硅具有关断周期,而IGBT可以随时关断,这就是它的优势。
晶闸管(可控硅),它又有普通晶闸管、双向晶闸管属于半控型(控制导通、自然关断)电力电子器件,门极可关断晶闸管(GTO)属全控型电力电子器件。电力晶体管(GTR),属于电流控制电流全控型电力电子器件。
在功率要求下,电压一定时,电流就要相应变大。而全桥整流内部二级管承受不了大电流,有可能会击穿二级管。而可控硅的整流输入谐波会比较大,就算是加上输入滤波器,也是在3%~10%之间。
升压稳压电路是一种电路,它的作用是将输入电压升压到所需的输出电压,并将输出电压稳定在所需的水平。这种电路通常用于将低电压的电源转换为所需的高电压,或者将高电压的电源转换为所需的低电压。
交流升压电路的工作原理是,使用变压器或其他电路元件将低压交流电转换为高压交流电。这通常是通过利用交流电的高频变化来实现的,因为这些变化可以使电流在电路中流动,并通过电路元件进行转换。
自举升压电路的原理:举个简单的例子:有一个12V的电路,电路中有一个场效应管需要15V的驱动电压,这个电压弄出来就是用自举。
升压boost电路原理Boost电路是一种电路,它可以将输入电压提升到比输入电压更高的电压。
结构不同 晶体管是一种固体半导体器件(包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等,有时特指双极型器件)。晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极、阴极和门极。
区别如下:晶体管能在完全导通至完全截止的范围内进行无级调节,而晶闸管不能。晶闸管触发导通后再切断控制信号,晶闸管仍能在一定时间内保持导通状态;而晶体管在控制信号失电后立即关断。
晶体管与晶闸管的区别:晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。
指代不同 晶体管输出:电路通过晶体管对一些执行部件(如电机、电磁铁)实施控制。晶闸管输出:电路通过晶闸管对一些执行部件(如电机、电磁铁)实施控制。
结构上的区别:二极管是PN结组成、晶体管是PNP或NPN、晶闸管是NPNP四层结构。
二极管不可控;晶闸管、门极可关断晶闸管属于半控器件;剩下的电力晶体管、电力场效应管、绝缘栅双极型晶体管属于全控器件。
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