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MOS管锁定（mos管开关电路）

发布时间：2023-08-19
阅读量：26

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什么是MOS保护?

电流的，如过电压，过电流，低压等，而MOS就相当于开关，保护IC+Mosfet可以实现的功能如下(四大保护)： 过充保护，当电池芯的电压超过设定值时，由保护IC切断Mosfet管。

它们的管脚排列（底视图）MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。

mos可以被击穿。mos集成电路是单极型集成电路，在mos集成电路的输入端具有一个特性，就是mos可以被击穿，要加一个输入保护电路，原理是利用二极管的反向击穿保护mos。

如何用MOS管控制电源???

下图是用MOS管控制电源开关，不过是低电平时关掉电源，高电平时打开电源：要实现题主的逻辑，只要在Q2前加一级反向电路电路就可以了。

我们可以看到，N沟道的MOS管的电路中，BEEP引脚为高电平即可导通，蜂鸣器发出声音，低电平关闭蜂鸣器；P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断，GPS_PWR引脚为低电平时导通，GPS模块正常供电，高电平时GPS模块断电。

带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。

mos晶体管结构及工作原理

MOSFET由三个极层组成，包括：源极(source)：连接到N沟道区域，电流进入晶体管的端点。汇极(drain)：连接到P沟道区域，电流流出晶体管的端点。连接极(gate)：与N沟道区域相隔离，通过一层氧化膜与N沟道区域相连。

工作原理：MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。

MOS管是一种场效应晶体管，它是由金属、氧化物和半导体材料组成的。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。

mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。

基本的半导体器件主要有以下几种：pn结二极管，金属氧化物场效应晶体管（MOS），双极晶体管（BJT），结型场效应晶体管。pn结二极管结构：其中pn结二极管由n型半导体和p型半导体接触产生。

mos管怎么保证一个电压段开启,一个电压段关断

在图一，是个Nmos，只能S极接地。因为通过Vgs的电压来开关mos。S极接地则S极的电势是0V。只需控制G极，即Vin1来控制这个Nmos。Vin1是高电平，则mos打开，Vin1是低电平，则mos关断。

要有栅极泄防回路管子才能快速顺利地截止。由于栅极和衬底之间有一层薄薄的二氧化硅绝缘层，所以栅极和衬底之间相当于存在一个电容。

下图是用MOS管控制电源开关，不过是低电平时关掉电源，高电平时打开电源：要实现题主的逻辑，只要在Q2前加一级反向电路电路就可以了。

当MOSFET处于打开状态时，控制极上施加正电位。这会使欧姆屏蔽层消失，漏极和基极之间就会形成一条导电路，使得电流可以流过。因此，在使用MOSFET作为开关时，我们可以通过控制控制极上的电压来控制MOSFET的开关状态。

低压MOS怎么样

1、场效应管也叫mos管，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

2、在这里应用中，使用的是低压MOS管。低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有3V。

3、电压不同 高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同 耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。

4、可以启动发动机。常开键连接汽车发动机启动电机的控制回路，常闭键连接汽车主电源。当汽车发动机运转时，只需按下启动按钮，起动机就会电动运转。当按钮松开时，常闭触点连接到汽车的主电路。

5、一般是以200V 为分界点。低压MOS 一般用于消费类电子，以单节2V电池的保护板会用到低压线路，现在汽车充电线路板上面也会用到40-120V的MOS，封装一般已贴片为主，用量蛮大。

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