mos管驱动电阻影响（mos管驱动电阻大小的影响）

发布时间：2023-08-19

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1、gs有电压差到一定程度的时候，mos管就会打开，这个电阻可以在一定程度上减小gs之间的电压，这样可增加mos管的抗干扰能力。

2、MOS管G极接电阻是防止振荡，晶体管接电阻是限流。

3、mos管G极阻抗很高，很容易积累静电，而击穿G一S导致管子失效。接0欧电阻可以池放静电保护管孑不因静电损坏。

4、另外，如果你的驱动频率很高，这个电阻必须减小，甚至改为0欧也是可行。频率100K以上，必须使用专门的驱动电路（比如，图腾柱方式）或者MOS管专用驱动IC，不然的话MOS管容易烧毁。

电阻阻值过大会导致正常工作的电流偏小，而电路中往往是需要一定的偏置电流才能工作的，如果两个电流可比拟的情况下，电路的精度将变得比较糟糕。

，改变三极管的输入电流，改变场效应管、运算放大器的输入电压，集成电路要看情况改便输入电压或电流。

在放大电路中，三极管V的基极电阻Rb一般用来确定管子静态工作点，在实验电路中，其大小应通过调整来确定的，也就是说调整其大小使管子的集电极电流=工作点电流。

场效应管栅极与源极间的电阻起到保护场效应管不被静电击穿的作用，取值10K。栅极串联电阻决定场效应管的开通速度，取10~47欧。

缓冲电阻，针对栅极控制信号的。根据MOS管的栅极电容和工作频率来选择，一般在7欧到100欧之间。一般MOS管资料内也会有个相应的栅极串入电阻参考值。

为什么会烧，驱动电压太高，或者驱动电流太大，一般驱动电阻是不会容易烧的，你肯定有设计不当的地方。

MOS管栅极串联电阻的确定方法：当 Rg 增大时，导通时间延长，损耗发热加剧； Rg 减小时， di/dt 增高，可能产生误导通，使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值。

1、串电阻是防止振荡。如果你直接用IO驱动，驱动电流最大也就20mA，电阻太大不合适。普通使用做开关控制，建议不要超过100欧。另外，如果你的驱动频率很高，这个电阻必须减小，甚至改为0欧也是可行。

2、MOS管G极接电阻是防止振荡，晶体管接电阻是限流。

3、gs有电压差到一定程度的时候，mos管就会打开，这个电阻可以在一定程度上减小gs之间的电压，这样可增加mos管的抗干扰能力。

4、这个电阻影响G极电流，即其大小影响MOS管开关速度。同时，此电阻阻值也与MOS管振铃现象有关。

5、mos管G极阻抗很高，很容易积累静电，而击穿G一S导致管子失效。接0欧电阻可以池放静电保护管孑不因静电损坏。

mos管驱动电阻影响（mos管驱动电阻大小的影响）