沟道电阻（沟道电阻与什么有关）

发布时间：2023-08-19

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1、场效应管的导电沟道是一个可变电阻。外加电压改变导电沟道的几何尺寸，以改变其漏源间电阻的大小，达到控制电流的目的。

2、场效应管（MOSFET）的输入电阻主要由两个因素决定：栅氧化层电容和接地源极电阻。当信号进入MOSFET的栅极时，栅氧化层电容会对信号产生反应，并使栅极电压随之变化。这个变化会引起沟道电阻的变化，从而影响输出信号。

3、输入电阻=Rg3+Rg1//Rg2=500K+100K//100K=550K Rg3是场效应管电路输入的一部分。

沟道电阻（沟道电阻与什么有关）

与 APM4010 对应的是N沟道场效应管，常见有TO-252封装。主要参数：耐压40V，常温下允许最大连续工作电流57A，栅源极限电压 VGSS是±20V，开门电压约2V。

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1、：a是N沟道场效应管，由Id电流在Re上可能产生自给反向偏压，可能工作在恒流状态。2：b，c是N沟道增强型MOS管，GS要加上正向偏压才能工作，图中所示不可能工作在恒流状态。

2、N道的MOS管箭头是向内侧指向，P道的箭头是向外侧指向的。导通条件都是靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N道G极电压为+极性。对P道的G极电压为-极性。

3、MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极。

1、方法一。从model文件中可以找到方法二。做一次单管的DC分析，通过波形文件measure到需要的参数特性方法三。

2、开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

3、碰场效应管的三只引脚，好的场效应管最终测zhi量结果在500mV左右，如果有短路现象，可以把三个脚用表笔金属部分短接一下，继续再测，如果读数在500mV也算正常。

4、光刻显完影沟道里有残余的胶一般需要调的参数：分辨率（resolution）。区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，CriticalDimension)来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。

5、它们可能与晶格原子发生相类似的碰撞（碰撞参数P近似相等），各个碰撞互相有关，每次碰撞时，离子运动偏转很小，离子经过晶格同一排原子附近，可以穿透入固体中较深的距离，这种现象称为沟道效应。