mos管反峰（mos管正反转电路图）

发布时间：2023-08-19

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MOS管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

工艺区别。MOS，是MOSFET的缩写，由于工艺区别，有的加tvs有的不加。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET）。

选择合适的TVS管，确定安装位置。将需要保护的设备的电源线剪断，以便插入TVS管。将剪断的电源线两端分别连接到TVS管的两个引脚。将TVS管与其他保护元件（如电阻、电容等）组成完整的保护电路。

TVS被击穿，并由击穿电压值上升至最大箝位电压值，随着脉冲电流呈指数下降，箝位电压亦下降，恢复到原来状态。因此，TVS能抑制可能出现的脉冲功率的冲击，从而有效地保护电子线路。

不可以。根据查询电子工程网显示，adc输入端不可以加tvs管，稳压管在接近击穿电压时，漏电流会迅速上升，影响精度。

mos管反峰（mos管正反转电路图）

1、消除开关电源输出高频尖峰纹波：在MOS管脚套上磁珠，磁珠的磁滞回线，最好是矩形的、高磁导率的。估计套普通的镍锌磁珠，效果不理想。

2、：选用软恢复特性的肖特基二极管，或采用在整流管前串联电感的方法比较有效，或在开关管整流管的磁珠。磁芯材料选用对高频振荡呈高阻抗衰减特性的铁氧体材料，等。

3、消除尖峰电流：在MOS管脚套上磁珠。磁珠的磁滞回线最好是矩形的、高磁导率的。估计套普通的镍锌磁珠，效果不理想。

4、尖峰电压不是mos管本身产生的，是电感产生的，关断时电感上的电流不能突变，就会产生反峰电压，一般是用并联电阻和电容组成消除反峰电路。尖峰电压属于浪涌电压里的一种，持续时间极短但数值很高。

尖峰电压，是单位电荷在静电场中由于电势不同所造成的。电压（voltage），也称作电势差或电位差，是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。

有尖峰有可能是吸收电路中C偏小了。RCD电路参数设计网上都有，根据需要自己看吧。还有一个问题，开关频率越高，尖刺也就会越高，如果没有硬性要求，可以把开关频率降一降。

电感性负载具有电感性质：自感电势与电流变化率成正比。开关管关断越快，管子功率损耗越低，但是引起电流突变，导致尖峰电压，所以开关管都有并联续流二极管，使感性负载有能量释放的回路。

1、你好，开关电源的RCD吸收二极管是在MOS管截止时导通的，就能把初级的反峰电压消耗在RC上，保护MOS管不被反峰电压击穿。而不是你说的“开关电源RCD吸收二极管可以在MOS管导通的时候防止输入电压直接从RCD吸收一路经过”。

2、在开关电源，尤其是斩波器电路和桥式开关电源中，经常在MOS管或者IGBT两端并联吸收回路或者缓冲电路，而在单端反激式电源里通常在变压器绕组上并联RCD吸收电路。

3、RCD吸收VRCD．MOS管的VD减去Ⅰ，Ⅲ三项就剩下VRCD的最大值。实际选取的VRCD应为最大值的90%（这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响）。

4、不是启动电阻。它的作用是保护开关管，降低开关管突然截至时D极出现的瞬间高压，防止开关管被击穿。