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1、MOSFET由三个极层组成,包括:源极(source):连接到N沟道区域,电流进入晶体管的端点。汇极(drain):连接到P沟道区域,电流流出晶体管的端点。连接极(gate):与N沟道区域相隔离,通过一层氧化膜与N沟道区域相连。
2、工作原理:MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
3、MOS管是一种场效应晶体管,它是由金属、氧化物和半导体材料组成的。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应,即当PN结处于反向偏置状态时,其电阻非常大,电流几乎为零。
速度:MOS管开关速度不高,三极管开关速度高 工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制 阻抗:三极管输入阻抗小,MOS管输入阻抗大。频率特性:MOS管的频率特性不如三极管。
主体不同 MOS管:金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管。三极管:半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。
工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制.成本问题:三极管便宜,MOS管贵。功耗问题:三极管损耗大,MOS管较小。驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制,成本问题:三极管便宜,mos管贵。功耗问题:三极管损耗大。驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
区别 节能性:MOS管是电压控制性器件,二极管三极管是电流控制性器件,因此MOS管更节能。稳定性:MOS管只有多数载流子参与导电,二极管三极管中多数载流子和少数载流子都参与导电,因此MOS管热稳定性更好。
场效应管是一种特殊的晶体管,它是电压控制的器件,而普通三极管都是电流控制的器件。开关管、功率管这些是针对用途来说的,它可能是三极管也可能是场效应管,做开关用途时就叫开关管,做大功率控制的时候就叫功率管。
三极管和场效应管是两种不同原理的半导体器件,但最后起的作用类似。根据不同的功能这两种都可用于做行管。你的这些概念是不同的分类方式的不同叫法,比如按功率分三极管和场管都有大功率管和小功率管,大功率管简称功率管。
以及大电流地方开关电路 速度:MOS管开关速度不高,三极管开关速度高 工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制 阻抗:三极管输入阻抗小,MOS管输入阻抗大。频率特性:MOS管的频率特性不如三极管。
MOS管:管分为PMOS管和NMOS管,属于绝缘栅场效应管。三极管:是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。
三极管和mos管做开关用时可用以下两种方法来区别。工作性质:三极管用电流控制,mos管属于电压控制。成本问题:三极管便宜,mos管贵。功耗问题:三极管损耗大。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。
MOS管:场效应管。采用绝缘栅结构的晶体三极管,输入阻抗高,输出呈电阻态。
它是由金属、氧化物和半导体所组成,所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管,简称MOS场效应管。(1)结构原理它的结构、电极及符号见图3所示,以一块P型薄硅片作为衬底,在它上面扩散两个高杂质的N型区,作为源极S和漏极D。
MOS场效应管属于电压控制元件,这一点类似于电子管的三极管,但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的。通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中,MOS主要是判断电位,它在主板上常用“Q”加数字表示。
MOS管作用:用途广泛,包括电视机高频头(高频,小电流)到开关电源(高压大电流),现在把MOS和双极型(普通三极管)复合在一起(IGBT,绝缘栅双极型晶体管),广泛应用于大功率领域。
MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体。
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