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102三极管参数的简单介绍

发布时间：2023-08-20
阅读量：90

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三极管A1020,可以用什么三极管代换

可以用A1013代替A1020，A1013需要加装一个散热片 A1020的参数是：硅PNP，50V，2A，0.9W，100MHZ， β =70~240（放大系数）的音频放大/开关电路，和C2655配成互补。

A1020是PNP型功率三极管，参数如下：VCBO＝50V　VEBO＝5V　ICM＝2A　PCM＝900MW　HFE＝70～240　FT＝100MHZ只要与此参数相近的均可代用。如国产管2CA5B等。

A1020。【A966】是 PNP型音频激励输出三极管，具体指标为：极性：PNP；管脚：21；功能：音频激励输出；参数：集电极电压：30V；集电极最大允许电流：5A；集电极最大耗散功率：0.9W 。

晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

可用9014代换。NPN型和PNP型三极管之间不能代换，硅管和锗管之间不能代换。

谁能帮我仔细分析一下电路图,不胜感激!!!

1、T621的2，3脚为两个基准参考电压，1脚电压发生变化达到一定值时，和2，3脚电压比较大小，6，7脚的电压就会发生翻转，控制红灯（工作）和黄灯（报警）。整个电路可以用来做加热控制台，烙铁也可以。

2、这是一个BTL功放电路。UU2是音频功放电路。C1是耦合（隔直）电容 C2 C3 C6 C7是电源滤波电容 R1 R2 是放大器同相端接地电阻，R3 R4 C4；R5 C5 R6，控制放大器放大倍数。

3、，当电源开POWER ON端没有输入高电平信号时，三极管Q10Q101都截止，JP101插座2端的电源电压一路通过电阻R104到达Q103基极和发射极，该管正偏而饱和导通其集电极电压降低，从该管的集电极KEY0输出一个低电平电压信号。

4、是供电用的电池 这是一个三极管振荡器，由LL2组成了正反馈。振荡出来的是一定频率的交流电，我们知道交流电是可以用变压器变压的，所以在L3（严格讲是L3+L1）上就感应出较高的电压。

5、而结电压变化会导致BE结的结电容变化，这个结电容是高频振荡的一部分，最终会导致高频振荡频率在一定的范围内变化，从而实现频率调制。由C7，C8及L组成输出阻抗匹配电路，以便将高频信号最大可能地传到天线，并向空中辐射。

6、这个电路很简单：电池负极搭铁。电源的正极通过总保险丝（图中像个到S形的符号），接入右端的组合开关9（和本电路无关），再通过保险F2接入组合开关触点1。

求助,3DD303C,3DD102B,三极管参数

DD303C和3DD102B相似，都是原来黑白电视机常用的行管型号，C比B耐压更高。

DD102B和3DD15D都是TO-3封装，NPN型大功率三极管，最大耗散功率50W，最大集电极电流5A，集电极基极间电压VCBO=400V，集电极发射极间电压VCEO=200V，发射极基极间电压VEBO=7V，电流放大倍数fFE=30～200。

根据三极管规格参数，3DD105D的最大电流和功率均大于3DD102B。3DD105D的最大电流为5A，而3DD102B的最大电流为0.5A。此外，3DD105D的最大功率为2W，而3DD102B的最大功率为0.4W。

DG130B，属3DG130（hFE 40～180），硅管NPN，功率Pcm为700m W，电流为500m A，电压Vce0≥30V。\x0d\x0a3DG6C，属3DG6（hFE 10～270），硅管NPN，功率Pcm为100m W，电流为20m A，电压Vce0≥15V。

还有一个参数是三极管电流放大系数β，也要考虑，既不能太小使放大器增益不够，也不能太大使放大器不稳定。一般取几十-几百倍。

请问BU102(TOP92封装)的三极管参数是?与之代换的能在市场上较易买到的...

1、可用9014代换。NPN型和PNP型三极管之间不能代换，硅管和锗管之间不能代换。

2、①、向这贴片三极管丝印 1F所表示的型号为：BC847B属于NPN型管 封装为：S0T-23 其参数是：/耐压：50V/电流：0.1A/频率：30MHz/ 可用BCW7BCW7BCW81代替。

3、TIP102是：达林顿功率放大管。TIP102的参数是：硅、 NPN 、100V 、8A 。

4、在放大电路中的三极管有三种基本的放大电路，既是共发射极放大器，共集电极放大器和共基极放大器，它还可以组成多级放大器等许多放大电路。电路中构成共发射极放大器。

5、三极管分为贴片三极管和插件三极管，二者的区别主要在于封装不同，插件三极管一般是TO-92封装，而贴片三极管一般是SOT-23封装。另外，贴片三极管体积较小，可以省空间和免去人工插件。

6、当电压不超过600V，可以相互代换。三极管替换需要注意，不是使用三极管所有的参数，而是只使用其中部分参数，所以替换原则第1就是看功用。例如用于高频小信号放大的三极管，主要看三极管的使用频率。

三极管3dd102b大还是3dd105d大

DD102B和3DD15D都是TO-3封装，NPN型大功率三极管，最大耗散功率50W，最大集电极电流5A，集电极基极间电压VCBO=400V，集电极发射极间电压VCEO=200V，发射极基极间电压VEBO=7V，电流放大倍数fFE=30～200。

②、关于以上那3DD101B三极管属于NPN型硅低频高反压大功率三极管，其参数是//电压：≥300Ⅴ//电流：2A//功率：30W//放大倍数：≥10倍//。此管可直接用：3DD 102A、3DD102D、3DD 102E等代换。

还有一个参数是三极管电流放大系数β，也要考虑，既不能太小使放大器增益不够，也不能太大使放大器不稳定。一般取几十-几百倍。

日本产晶体管和国产的不一样一般第三个字母为A、C是PNP，B、D是NPN。如2SD1942NPN，有时省略为D1942，A1015是PNP 如果标志不清楚的三极管，可以用万用表判断它的极性，确定它是硅管还是锗管，并同时区分它的管脚。

DD系列三极管是国产的，其后面的数字及字母分别表示最大c，e极电流及耐压。如3DD15D的15表示最大电流15A，15后面的D表示ce极耐压200V。

三极管3dd102e与20o耐压与功率哪个好

1、DD102E是50瓦5安培300伏参数。你后面那个是什么意思没看明白。

2、原理不同：双极型半导体三极管在原理上是输入电流控制输出电流的特性，或场效应半导体三极管输入电压控制输出电流的特性，实现信号的放大。

3、小功率和大功率管的区别很明显主要就是功率了，也就是里边硅片的大小差别是它们的主要区别，管芯大的，可通过更高的电流，功率就大，管芯小的通过电流就小了，所以功率就小。这里是忽略掉管子的其它属性，同等条件相比的。

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