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mos管导通损耗（MOS管导通损耗）

发布时间：2023-08-20
阅读量：27

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MOS管总发烧?大部分就是这四个原因

开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决：A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管，因为内阻越小，cgs和cgd电容越大。

首先，MOS管发热的原因是什么？MOS选型不合理，内阻较大，或者是封装导热性不好，导致温升较高。散热效果不好，MOS管是贴在PCB板上的还是拧在散热片上的。

驱动频率过高，G极驱动电压不够，通过漏极和源极的Id电流太高。buckboost电路mos管发热原因是驱动频率过高，G极驱动电压不够，通过漏极和源极的Id电流太高，重要的是进行正确的测试，才能发现问题所在。

分析这次MOS管故障的原因，根据开关电源以前的所了解的，一般引起MOS管发热的原因是：1：驱动频率过高。2：G极驱动电压不够。3：通过漏极和源极的Id电流太高。

数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。

如果希望工作在开关状态。MOS管的驱动方式不正确。由于MOS栅极有很大的电容（几百上千Pf ）因此开关开通与关断过程很长，会造成很大的损耗。所以会发烫。MOS管用于开关运行时需要良好的驱动电路。

MOS管40N120-ASEMI的开关损失怎么计算?

MP40N120的开启延迟时间(td(on))为181NS，关断延迟时间(td(off))为255NS。

MOSFET开关的总功率可以用以下公式表示：Psw =（Eon Eoff）×开关频率。栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。

mos两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，mos管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。

导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

这种N沟道增强型功率MOSFET是使用平面条纹和DMOS技术生产的。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

开关速度是指MOSFET从导通状态切换到截止状态，或从截止状态切换到导通状态所需的时间。SPW47N60C3的开关速度较快，有助于提高系统的响应速度。同时，快速的开关速度还可以降低开关损耗，提高系统效率。

电池测试mos断开电流会怎么样

1、锂电池保护板主要由控制ic和mos开关管组成，当3C锂电池电流过大或是过充、过放、过流等情况时，控制ic可及时控制mos管进行开关或闭合，以达到保护3C锂电池不过充、不过放、不过流、不短路的作用。

2、因为电压过大造成moS管断开。这种现象叫过流，即mos能过通过的额定电流，在mos管的芯片手册上会有相关的参数说明，如果mos管的电流过大，会产生极高的热量，以至于损坏芯片。

3、反向恢复电流。MOS关断过程中，体二极管产生一个反向恢复电流，才会有负电流，MOS关断时，漏感能量流出给Coss充到高点，即Vds反射尖峰的顶点上。

4、尖峰电压不是mos管本身产生的，是电感产生的，关断时电感上的电流不能突变，就会产生反峰电压，一般是用并联电阻和电容组成消除反峰电路。尖峰电压属于浪涌电压里的一种，持续时间极短但数值很高。

电力mos管为什么有损耗

1、我们知道MOS管是压控器件，不同于三极管是流控器件，但是实际上MOS管在从关断到导通的过程也是需要电流（电荷）的，原因是因为MOS管各极之间存在寄生电容Cgd，Cgs和Cds，如图4所示。

2、因为它们是电压形器件，对电压很明感。比如人体产生的静电又是高达上万伏。早已超出了管子的耐压值。是管子损坏。

3、MOS的体积小，输入电阻大，噪声低，功耗低，易于集成。这些性能远比三极管要好，三极管的关键问题在于管子损耗太大，效率低。

4、开关电源的散热设计MOS管导通时有一定的压降，也即器件有一定的损耗，它将引起芯片的温升，但是器件的发热情况与其耐热能力和散热条件有关。由此，器件功耗有一定的容限。

5、你好：——★MOS管属于电压控制器件，它的输入阻抗非常高，很容易感应静电而击穿。所以应该采取措施加以保护。——★请看附图。...图中100K电阻和9V稳压二极管作保护，可以把感应静电限制、消除。

6、MOS导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

二极管和mosfet在损耗方面有什么不同

二极管的功耗其实是它的正向导通压降与正向电流的乘积，对于普通二极管而言，如果正向电流大了，其正向导通压降增加非常明显，比如1N4007，小电流时正向压降是0.6V，而满负荷（正向电流1A），正向压降会增加到2V。

因为二极管的管压降在通入大电流的时候功耗太大，比如二极管压降为0.7v，输出电流为10A的时候，二极管自身损耗高达7W，基本不用考虑。

区别 节能性：MOS管是电压控制性器件，二极管三极管是电流控制性器件，因此MOS管更节能。稳定性：MOS管只有多数载流子参与导电，二极管三极管中多数载流子和少数载流子都参与导电，因此MOS管热稳定性更好。

在低成本设计中，这些损失可能还可以接受。但是，当使用了高效率的DC-DC时，就要权衡DC-DC的成本和把二极管升级为MOSFET带来的效率改善的成本。

MOSFET是由电压控制器件，开关速度比三极管快，内阻比三极管低。所以适合做开关管，开关损耗低。IGBT 结构上是电压控制的三极管。开关速度比MOSFET慢些，特别是off time. 但是，它容易做到高电压，大电流。

有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。这种情况下，电路设计师必须指定一个是drain另一个是source。Source和drain不同掺杂不同几何形状的就是非对称MOS管。

关键词：导通电阻 电阻 电力mos管 电路mos管 mos管 大的电容 电容

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