行业资讯
1、-5v可以驱动的mos管，所有的开关三极管、MOS管、可控硅、节能灯、电子镇流器里使用的1300130013007等都能被驱动。根据相关公开资料查询了解到，MOS，是MOSFET的缩写。
2、常见型号例如NTMFS4935/4845/4841，NTD4805/4809/4959。这和ONsemi可靠的性能及相对平和的价格不无关系——通常CPU和RAM附近的供电都很经常见到ONsemi的管子。
3、和单片机搭配的MOS管VDSS=20V或30V的即可，UT230UT230UT3400、UT340NCE3010等等都可以用单片机驱动，可以根据你用的功率来选择。如果VDSS在60V或者一样一般就驱动不起来了，30V以下的VDSS的MOS一般都可以驱动。
4、BSP75N VIgs(th）=8V 再小的话非常容易误动作。你那个图，M不是mos，2V/600mA应该是描述额定工作状态，跟MOS管的VGS没关系的，再说，你图上Q4是个三极管。
5、MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制构成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但理论应用的只需增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
6、MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。
当负载两端的电压升高时，通过MOS管的开关作用，外部电源供电断开，电感释放出刚才充入的能量，这时的电感就变成了“电源”，继续对负载供电。
当然是短路啊，把电容2个引脚都对地，相当于将电容2个引脚接在一起短路。如果这是一个1uF以下的电容，电压12V以下，这样短路是不会有什么危险的。
1、首先为大家介绍的是深圳恒盛光电电子厂，它位于深圳市宝安区，是一家专业生产和销售光电二极管等光敏元件的厂家。
2、群能科技有限公司 群能科技有限公司位于浙江省杭州市，是一家集生产和销售于一体的生产厂家，专业生产加工变容二极管、发光二极管、三极管、晶闸管等。该工厂拥有雄厚的技术力量以及全套先进的电子加工机械设备。
3、佛山国星光电；深圳兆驰股份；广东台宏光电；深圳长方照明；苏州东山精密；深圳晶台股份；中山木林森股份；武汉华灿光电；河北立德电子；江西晶能光电。
1、可控硅里的三极管也一样，不能用MOS代替。
2、一般情况下都可以，要注意其耐压，只能高不能低，但某些地方需要注意其频率，导通电压等。
3、ufz24nl可以用FHP50N06低压MOS管替代。根据查询相关信息得知，飞虹生产的型号为：FHP50N06低压MOS管就可替代型号：IRFZ44N低压MOS管。飞虹这款FHP50N06低压MOS管N沟道沟槽工艺MOS管，适用于电机调速电路100W-12V输入。
4、V，N沟道功率MOSFET 20A电流大于15A，是可以的。600V电压少于650V，这个就不一定了，如果负载小于600V就可以，如果负载大于600V，就不行了。一般设计余量应该不止50V，因此我觉得可以试试。望采纳。。
5、MOS管是电压控制型半导体器件，输入阻抗高，功耗低。而晶体管是电流控制型半导体器件器件，输入阻抗低，对前级电路的影响较大。两者都可以做开关使用，如果设计电路最好用MOS管，如果维修的话要按照原来的型号更换。
1、场效应管FB4410Z用75NF75型号代替。FB4410Z极限电压100v；75NF75极限电压80v左右，不超过80v的设备都可以代替。场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
2、Ypi1113c 插槽金属氧化物半导体-用于电动车72v 控制器，可替代 irf4410bpf，否则无法替代。前者的电流是130a，后者是96a。后者的导通电阻也略大于前者。
3、场效应管FB4410Z用75NF75型号代替。
4、FB4410Z极限电压100v；75NF75极限电压80v左右，不超过80v的设备都可以代替。场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
5、FB4410Z是场效应管。拓展介绍 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET)。
1、ASEMI低压MOS管SI2302的参数为：最大电压为30V，最大电流为4A，Rds（on）为0.14Ω，漏极极容为7nF，能耗为8W，最大功耗为5W。
2、MOS管主要参数如下：开启电压VT-开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开端构成导电沟道所需的栅极电压；-规范的N沟道MOS管，VT约为3～6V；-经过工艺上的改良，能够使MOS管的VT值降到2～3V。
3、这是N沟道功率型场效应管，重要参数：源漏极电压：75V 漏极电流：80A 导通电阻：RDS(ON)=8m (typ.) @ VGS=10V MOS管的种类很多，电压区分，电流区分，功率区分。特性：耐压，过电流，最大功率，内阻。
4、，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。
5、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
6、MOS管嘛也是 场效应管 的一种，分结型和绝缘栅型，结型和绝缘栅型又各分为NMOS和PMOS，然后PMOS+NMOS=CMOS。P和N的原理相同，只是 电源 极性 相反。
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