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理想的开关器件（理想开关器件通常应满足）

发布时间：2023-08-20
阅读量：24

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试述实际电力电子开关器件与理想电力电子开关器件之间有何区别_百度...

1、晶闸管：承受电压和电流容量在所有器件中最高。IGBT：开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小；开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTO。

2、电子开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制控制IC和MOSFET构成。

3、开关：电力电子器件工作在开关状态而不是线性状态高频：电力电子器件工作在高频而不是接近工频的低频直流：开关电源输出的是直流而不是交流 以下分别对两类开关电源的结构和特性作以阐述。

4、电力电子技术中的电力电子器件与信息电子技术中的器件的区别：作用不同：信息电子技术以信息处理为主，器件针对的也是信息技术处理为主。电力电子技术器件主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率。

5、具体而言，要求电力电子器件具有更大的电流密度、更高的工作温度、更强的散热能力、更高的工作电压、更低的通态压降、更快的开关时间，而对于航天和军事应用，还要求有更强的抗辐射能力和抗振动冲击能力。

可控硅的工作原理和主要作用

可控硅的工作原理：双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。

可控硅工作原理及作用 可控硅的三个电极分别称为阳极阴极和控制电极。当设备的阳极连接到负电位时。当正电位加到器件的阳极时，在一定的电压范围内，器件仍处于关断状态，阻抗很高。

可控硅是一种半控型电力电子器件。它有一个阳极、一个阴极和一个控制极（也叫门极）。

可控硅的另一个重要特性是，它可以控制电流的大小，即可以控制电流的强度。可控硅的工作原理是：当电压施加到可控硅的两个极端时，可控硅内部的晶体管就会发生变化，从而改变晶体管的导通状态，从而控制电流的流动。

可控硅电源的工作原理是：将电压输入可控硅电源，然后通过控制可控硅元件的触发电流，来控制输出电压和电流。例如，如果想要将输出电压降低，就可以增加可控硅元件的触发电流，从而使电流减小或停止流动，从而降低输出电压。

晶体闸流管详细资料大全

BTA16-600B可控硅可用BT139系列、BTA16系列型号代换。BTA16-600B基本参数有，电流Igt：50mA，有效值：16A，电压，Vgt：5V等。参数与BT139系列、BTA16系列基本一致，可替换使用。

名称叫法不同：二极管，一个PN结，单向导通，反向截止，二极管又叫做晶体二级管。晶闸管，是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅。三极管，又简称晶体管或晶体三极管。

结构不同 晶体管是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件）。晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极、阴极和门极。

光敏晶闸管分别应用于厨房小场合。光敏晶闸管用于光控路灯电路 ，光敏面 ，光照小于设定值时，VT1截止， VT2的门极电流Ig2增大，VT2导通，电灯HL亮。减小Rg， 门极电流被旁路，灵敏度降低。

晶闸管导通的条件是其触发极有一定的电位，维持晶闸管导通的条件是其电流不能小于最低维持电流！加反压或使其电流低于维持电流能使晶闸管由导通变为关断。

双向可控硅的三只脚怎么判断

1、单、双向可控硅旳判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是TT1或TG极（对双向可控硅）。

2、BTA20-600B是双向可控硅，引脚图如下 双向可控硅属于NPNPN五层器件，三个电极分别是AAG。尽管从形式上可将双向可控硅看成两只普通可控硅的组合，但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。

3、鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。

4、MAC97A6：导通电流It=0.6A。电压400V，触发电流Idrm=5-7mA。面对字面，脚向下，左到右3个管脚依次是：TG、T2。是400V1A的双向可控硅，用于220V交流电路中做开关控制元件。

5、双向可控硅三个脚，阳极与阴极、阳极与门极脚正反向都处于不通的（高阻）状态，阴极与门极正反向都处于较小电阻状态。所以楼主的2脚是阳极，1脚是阴极，3脚是门极。

SCR.GTO.GTR功率MOSFET。IGBT的各自优缺点

1、而功率MOSFET由于是单极型器件，电流处理能力相对较弱，但由于其在开关过程中，没有载流子存储的建立与抽取，其频率特性好，用于高频低压领域。

2、IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点，具有电导调制效应，其通流能力很强，但是开关速度较慢，所需驱动功率大，驱动电路复杂。

3、MOSFET优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。

4、IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。

5、IGBT的频率一般不会超过100KHz，但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz），应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。

6、IGBT因为有拖尾现象所以一般频率不如MOS管，超过100KHz就算很高了，而VMOS就可以更高。 SCR频率就低了一般也就几百Hz，GTO比SCR高不了多少，GTR稍高可到几K最多几十K。

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