mos管方向点（mosfet电流方向）

发布时间：2023-08-20

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1、mos场效应管图形符号的箭头也是表示电流反向的，mos场效应管有P型沟道和N型沟道两种。

2、你的标记是字母错误的，标准的应该是下面有箭头的是发射极(E)，左面是基极(B)，上面是集电极(C)。

3、三极管上的箭头指向是指发射极的电流方向。在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量。

在不考虑体电阻的情况下，只要栅源电压大于开启电压，MOSFET是可以双向导通的，此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性，不过两个方向的电阻特性并不完全一致。

反向也是可以通的，当MOS管导通，D和S端就相当于一个电阻。可以参考用MOS搭的直流电压防接反电路，可以看出导通方向是S到D，不是D到S。

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

栅极控制源极和漏极间的电流，MOS导通后源和漏之间形成沟道，电流可以在沟道中流动，n管是漏流向源，p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅，绝缘的，没电流，只是控制沟道电流的大小，就像水龙头一样。

Vgs大于门槛电压，MOS就可以导通。电流可由D--S，也可S--D。主要是看源极和漏极之间的电位，漏极电位高于源极，电流D到S。源极电位高于漏极，电流S到D。

从一个简单的回路说，电子是从电源负极流出，通过负载后回到电源正极的，所以上述电路都是基于这个方向讲的。如果是按电学的电流方向，从正极出发的理论，要把上边说的倒过来，即N沟道是从D流向S，P沟道是从S流向D。

mos管方向点（mosfet电流方向）