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参数有区别。DO-27和DO-201AD。压降90.7V和压降0.95V。众所周知，SR360为肖特基二极管，封装DO-27又可称DO-201AD，二者尺寸一致，而肖特基二极管比较特出的特点是，正向压降低，反向恢复时间小。
外观和尺寸都有区别的，DO-214AC封装是贴片形式的；DO-27封装是直插形式的。
能给我解释下为什么do-201ad和do-27封装是一样的，谢谢。
一般DO-15是5A~2A的管子，DO-41是1A或是1A以下的管子，而DO-27是3A的管子。
贴片二极管5820和5822的区别是：贴片（SMD）二极管5820的主要参数：反向耐压Vrrm=20V 正向电压Vf=0.475V。贴片（SMD）二极管5822的主要参数是：反向耐压Vrrm=40V 正向电压Vf=0.525V。
1、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。
2、场效应管的三个电极相当于三级管的三个电极，G是控制极，相当于三级管的B极，电压控制DS的导通率（三极管是电流控制型，B极控制CE的导通能力）D级是漏极，相当于三级管的集电极，S是源级，相当于三级管的发射级。
3、G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。
4、MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。
耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。还有一种MOS晶体管，叫做MOS栅极控制晶闸管，是一种新型MOS与双极复合型器件。
mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。
两层结构由绝缘体作为左侧层和半导体作为右侧层。这种结构的一个例子是MOS 电容器，它是一种由金属栅极触点、具有体触点的半导体本体（例如硅）和中间绝缘层（例如二氧化硅）组成的双端子结构，因此指定O）。
工作原理：MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
mos管通俗易懂的工作原理：芯片MOS（Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体）管自上世纪中叶时期被发明以来，其工作原理变化不大（但材料和工艺随着制程演进变化较大）。
MOS管的原理：它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
1、\x0d\x0a\x0d\x0a2．判别其好坏 \x0d\x0a\x0d\x0a用万用表R×1k档或R×10k档，测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。
2、可以用测电阻法测量场效应管的好坏，用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
3、测量5N60C好坏时，首先将万用表量程开关调至二极管档，将5N60C的G极悬空，用红黑表笔分别接触5N60C的D-S两极，若是好的管子，万用表显示为“OL”，即溢出（见上图）。用数字万用表二极管档反向测量5N60C的D-S两极。
4、原理：利用万用表的两表笔给G-S充以正向电压，则D-S或S-D电阻很小。反之，两表笔给G-S充以负向电压，则D-S或S-D电阻很大，用万用表测应该是无穷大。做法：设A、B、C三引脚。
5、做完以上准备工作后，按以下三个步骤操作，即可判断控制器好坏。 第一步：将万用表置于二极管档测量，用红表笔接控制器负极，黑表笔依次测量控制器主线中的黄、绿、蓝线，读数约在500左右(数字万用表)，三次读数应基本一致。
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