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一般情况下，TYN1225属于单向可控硅参数，电流为25安，电压1200伏，可用4OTPs12代替，其参数电流为4O安，电压1200伏。TYN1225和4OTPs12都是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管，可相互替换。
bt151 500r可用tyn1225型号的可控硅替代。因为两者型号功能相同。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。
TYN1225是单向可控硅，触发电压无要求，只对触发电流有要求（25mA），电流 25A ，电压1200V。
bt151 500r可用tyn1225型号的可控硅替代。因为两者型号功能相同。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来做可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。
单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。
这个元器件不是三极管，而是ST公司的可控硅 1200V， 16A，管脚排列看下图。
1、OTPs12。一般情况下，TYN1225属于单向可控硅参数，电流为25安，电压1200伏，可用4OTPs12代替，其参数电流为4O安，电压1200伏。
2、BT136是4A双向可控硅，可用任何4A以上可控硅代用，只要耐圧达标即可。双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。
3、BT136是4A双向可控硅。可用任何4A以上可控硅代用，只要耐圧达标即可。比如BTA0BTB0BCRT40Z0402等4A（6A亦可）系列可控硅。安装和管脚排列可能不同。
4、完全可以代换，代换上去后电炉子的功率是不会变大的，只有电压超过220V功率就会变大。
5、BT136不是三极管，是双向可控硅。测量双向可控硅或三极管的好坏，用蜂鸣档是不行的，要用电阻档，测量阻值究竟是多少，你说的通与不通，就是外行话了。你这个可控硅是好的。
6、TYN610不可以代换TYN1225。TYN610是单向可控硅：600V10A，TYN1225也是单向可控硅：1200V25A。可控硅(SCR： Silicon Controlled Rectifier)是可控硅整流器的简称。
1、OTPs12。一般情况下，TYN1225属于单向可控硅参数，电流为25安，电压1200伏，可用4OTPs12代替，其参数电流为4O安，电压1200伏。
2、TYN610不可以代换TYN1225。TYN610是单向可控硅：600V10A，TYN1225也是单向可控硅：1200V25A。可控硅(SCR： Silicon Controlled Rectifier)是可控硅整流器的简称。
3、bt151 500r可用tyn1225型号的可控硅替代。可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。
OTPs12。一般情况下，TYN1225属于单向可控硅参数，电流为25安，电压1200伏，可用4OTPs12代替，其参数电流为4O安，电压1200伏。
可以的，但注意两者的触发电流有些差别，电路触发信号强的话，完全可以替换。
单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。
TYN1225是单向晶闸管，额定值25A1200V，ak两端的电压是由控制极导通角来决定的，与ⅤG电压大小无关。
TYN1225是单向可控硅，触发电压无要求，只对触发电流有要求（25mA），电流 25A ，电压1200V。
一般情况下，TYN1225属于单向可控硅参数，电流为25安，电压1200伏，可用4OTPs12代替，其参数电流为4O安，电压1200伏。TYN1225和4OTPs12都是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管，可相互替换。
不可以。TYN610是单向可控硅，电压600V，电流6A4。可代换的型号，TYN810，TYN1010，TYN612，BT151，BT152，CR6PM，CR8PM。TYN610是单向可控硅，600V10A，tyn616也是单向可控硅，1200V25A。
可以的，但注意两者的触发电流有些差别，电路触发信号强的话，完全可以替换。
bt151 500r可用tyn1225型号的可控硅替代。因为两者型号功能相同。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。
可以用万用表测量，单向可控硅测量好坏方法如下：用电阻x1k档，正、反向测量A、K之间的电阻值，均接近无穷大；用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻，从十几欧姆至百欧姆，功率越大欧姆值越小。
判断可控硅的好与坏最简单的方法：用万用表判断时先将万用表的两只表笔接可控硅的两个端面，电阻应呈无穷大（表针基本不动），再将表笔反过来亦如此。若这两步测量时电阻很小，则说明该可控已损坏。
可控硅测量好坏可根据判断可控硅控制极（G）与阴极（K或A2）性能的来判断。根据被检测晶闸管的功率大小，将万用表置于合适的电阻档，小功率的选择×10；大功率选择×100。短接两表笔较表，较对万用表指针在“0”的位置。
测量可控硅好坏的方法如下：万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
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