buck电路mos管（buck电路mos管驱动）

发布时间：2023-05-21

阅读量：169

本文目录一览：

1、正电源开关mos接法。根据查询相关信息显示，这种是常见的正电源开关mos接法，一般电源都是负端开关，但是这是正端，所以需要2个场效应管。

2、当然可以，不过用一个，它提供的电流会相对变小，发热量增大。

3、两个MOS管并联使用的作用是为增大输出电流，一般用在功放的末级电流不够时才用此电路。

4、：这种是常见的正电源开关mos接法，一般电源都是负端开关，但是这是正端，所以需要2个场效应管。2：QP1 栅极需要和漏极电压（vcc）一致时才会关闭，那么R5的存在是必须的，它可以关断QP1。

5、是在电流放大电路，当输出电流不够时，需要并联几个或几十个。多个场效应管并联，因为场效应管的Vgs离散性很大，起始电压差异也很大，直接并联是不行的，必须用运算放大器进行有源均流。

参数有区别。DO-27和DO-201AD。压降90.7V和压降0.95V。众所周知，SR360为肖特基二极管，封装DO-27又可称DO-201AD，二者尺寸一致，而肖特基二极管比较特出的特点是，正向压降低，反向恢复时间小。

外观和尺寸都有区别的，DO-214AC封装是贴片形式的；DO-27封装是直插形式的。

能给我解释下为什么do-201ad和do-27封装是一样的，谢谢。

buck电路mos管（buck电路mos管驱动）

1、mos管耐压值选择具体如下：MOSFET的耐压，一般根据负载的类型来考虑余量。如果是纯阻性负载，开关频率很低，那么余量可以小一些。

2、选用25V及以上的MOS主要是由你的应用电压决定，并根据经验留出足够的电压余量。理论上，电压越高，MOS越安全，可靠性也越高。但是，同等内阻下，电压越高，成本越高，栅极电容越大，速度也越慢。

3、mos导通电压低，控制方便（电压驱动），功耗低。

4、mosfet耐压在50v就行，但是电流需要根据你的输出电流确定，还有栅极电压需要根据控制器输出控制电压确定。还有栅极电容与控制频率相关，导通电阻与效率相关，也要综合考虑成本问题。

第一：NMOS 价格比PMOS 便宜第二：和驱动IC的驱动逻辑有关，大部分IC多事设计为驱动NMOS的驱动逻辑第三：需要保证在电源上电IC还未工作时整个电路处于关闭状态。

当然可以，不过用一个，它提供的电流会相对变小，发热量增大。

因为二极管的管压降在通入大电流的时候功耗太大，比如二极管压降为0.7v，输出电流为10A的时候，二极管自身损耗高达7W，基本不用考虑。

正电源开关mos接法。根据查询相关信息显示，这种是常见的正电源开关mos接法，一般电源都是负端开关，但是这是正端，所以需要2个场效应管。

我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。

NMOS英文全称为：N-Mental-Oxide-Semiconductor。意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。