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1、不行,104比103大10倍,大太多了,看用在那里,有的地方无所谓,最好还是用一样的。
2、一般是不可以的。104表示容量为100nF,224表示容量为220nF,电容量相差太多,一般不能互换。
3、k是0.1uf,即100nf(0.1uF)。104K是电容容量的表示方法。其中前两位是电容量的有效数字,第三位是倍数。第四位是误差,K的误差是正负百分之十。
4、nF,而M档:±20%以内,也就是80~120nF,即K档电容可以当M档使用,而M档理论上只有一部分能当做K档使用,实际厂家测试分选时是会分开的,只要其他参数一样(额定电压等)要求不高的场合是可以混用的。
读法是104K的容量是100000pf,误差正负百分之十。104K是电容容量的表示方法。
K,就是10000pF,即10nF,K表示±10%;124K是12000pF,即12nF,K表示误差±10%;要求不高的地方可以替代,前提是电压一样。
j表示电容器的耐压为630V,104表示电容量为100nF,K表示允许误差为±10%。
如上图所示,电阻型号为RC0603FR-0710KL,tape厚度可以通过手册查到,也可以用卡量出来。满盘数量4000,tape厚度0.8mm,那么满盘时会缠绕到0.8的刻度。如下图电容型号C0603C104K5RAC7867,tape厚度从手册查到是0.8mm。
V的钽电容,标称最高用于16VDC,或者13VAC,如果15V直流有波纹的,是不能用的。
两位有效数字是:10,后面增加0的个数是:4。
1、安规电容上标的104k:读法是104K的容量是100000pf,误差正负百分之十。104K是电容容量的表示方法。
2、对于电容上面104K100V表示的是耐压值是100V并且容量是104,也就是标称容量使0.1uf,误差为±10%,例如104K100V的薄膜电容,这种电容高频损耗小,温升低。耐大电流,适合于高频、直流、脉冲大电流等场合。
3、K,就是10000pF,即10nF,K表示±10%;124K是12000pF,即12nF,K表示误差±10%;要求不高的地方可以替代,前提是电压一样。
4、j表示电容器的耐压为630V,104表示电容量为100nF,K表示允许误差为±10%。
5、表示100000pF,即100nF,k表示±10%。
1、因此,对于电容上面104K100V表示的是耐压值是100V并且容量是104,也就是标称容量使0.1uf,误差为±10%,例如下图是104K 100V的薄膜电容,这种电容高频损耗小,温升低。耐大电流,适合于高频、直流、脉冲大电流等场合。
2、k是0.1uf,即100nf(0.1uF)。104K是电容容量的表示方法。其中前两位是电容量的有效数字,第三位是倍数。第四位是误差,K的误差是正负百分之十。
3、对于电容上面104K100V表示的是耐压值是100V并且容量是104,也就是标称容量使0.1uf,误差为±10%,例如104K100V的薄膜电容,这种电容高频损耗小,温升低。耐大电流,适合于高频、直流、脉冲大电流等场合。
4、不同的地方在于精度误差,一个是10%一个是5%。
应用范围:104k和104z的应用范围略有不同。由于104k的精度较高,因此通常用于要求较高的电路中,例如计算机、电视机、音响等。而104z则通常用于一些精度要求不高的电路中,例如普通的电子玩具、家用电器等。
需要根据cpu显卡峰值功耗选择具体的型号,华硕ROG-STRIX-RTX3090-24G-GAMING显卡建议电源不低于850w。
k电容用万用表量是通的。电容可以用万用表来测量。先把万用表的档位选择正确,然后一边跟黑表笔连接,另一边跟红表笔连接。假如万用表的指针有摆动,最后还回到了原位,就代表电容是正常的。
nova10z和nova10手机壳不通用。两款机型的屏幕尺寸不同。华为novaz10配备67英寸OLED中置挖孔曲面屏,华为nova10配置78英寸OLED居左挖孔曲面屏。
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