光耦pmos（光耦合器）

发布时间：2023-08-22

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1、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

2、光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件，光电耦合器件广泛运用在电脑终端机，可控硅系统设置，测量仪器、影印机、自动售票、家用电器，比如电风扇、加热器等。

3、MOS管通常需要驱动电路来控制其开关状态。光耦可以用于隔离控制信号与高电压/高电流的负载之间，以保护控制电路。但是，光耦本身并不能提供驱动信号，因此驱动电路仍然需要使用。

4、低压的时候灯泡里面有啸叫，一般是内部驱动电源上的电感（或者变压器）发出的。电压过低的时候，信号的周期频率接近或落入音频范围。周期性电流经过电感线圈，产生交变磁场，该电感线圈在交变磁场作用下产生振动而发出声音。

1、两者的最大的区别是光MOS继电器通常需要消耗更多的功率，而光耦则可以有效地抑制功率损耗。此外，光MOS继电器在电路设计中更加复杂，而光耦则可以更简单地控制电源的开关。

2、MOS管通常需要驱动电路来控制其开关状态。光耦可以用于隔离控制信号与高电压/高电流的负载之间，以保护控制电路。但是，光耦本身并不能提供驱动信号，因此驱动电路仍然需要使用。

3、隔离作用。众所周知，光耦起到信号的隔离作用。

其次，TLP521的输出驱动电流很小，你这个电流太大，目前还没有听说用光耦做驱动器件的，并且三极管耐压也不够。加一个MOS管是最好的选择，可以用一个P沟道的MOS管，比如IR4435，两块钱搞定，直接用光耦驱动它就可以了。

光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

NEC的光耦也比较多，你写的那个2sk2054不是光耦，是一个MOS管。NEC的光耦的型号都是 PS为前缀的，类似PS2501之类的。TLP521和TLP621一般情况下可以直接互换。导通电流稍有差别。一般的光耦参数：正向压降VF。

因为±15V输出电流较小，故整流管VD4和VD5均采用UF4002型100V／1A的超快恢复二极管。由线性光耦CNY17-2和可调式精密并联稳压器TL431C构成光耦反馈式精密开关电源，可以对＋5V电压进行精密调整。

光耦pmos（光耦合器）

1、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

3、如果本来就共地没必要隔离；如果你是PWM调制信号还是用隔离变压器好，通过专门的驱动IC(我忘了，好像是IRF做的)驱动变压器，时间匹配是最好的。

4、不建议使用以下这类用通用光耦搭的电路，有诸多麻烦。建议使用 TLP250 或类似芯片。

5、输入来的信号分压，和输入电流限流。DO输入的高信号有效。R096 R097 R098是一组工作点分压电路，接近10-11伏左右，DOUT92输入的低信号有效。R97电阻有两个作用，输入来的信号分压，和输入电流限流。