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1、一般硅片是P形硅片，标准是1-3Ω*cm 电阻率过大说明硅片掺杂偏少，或者硅片基体含有补偿性杂质，如磷、氧等施主元素偏多。
2、 高考 问题描述：在太阳能电池用多晶硅的制备过程中，在参杂前，硅的纯度大约99999%左右时，电阻率大约是多少 解析：纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米，若掺入百万分之一的硼元素，电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米。
3、有关。硅片电阻率的大小与材料的特性及膜层的厚度有关，厚度越大，横截面积越大，单位时间内通过的电流越大，电导率就能看出来比薄的大，电阻率小。
4、绝缘体上高阻硅材料是上层硅和衬底硅的电阻率大于1千欧·厘米的绝缘体上硅材料。先进射频器件等要求高阻绝缘体上硅衬底和高阻晶圆，高阻衬底将极大地改善无源元件的性能。低阻硅是硅片掺杂B或者硅片基体含有金属。
5、电阻通常用R表示，是一个物理量，在物理学中表示导体对电流阻碍作用的大小。硅片电阻率与电压的关系是电阻等于电压除以电流，R等于U处于I。
6、仅仅从“硅片电阻率达到50之高”，不好说“这样的硅片好不好”。硅片的电阻率可以是0.001~1000欧姆.厘米。关键看对你要做的工艺适不适合。
1、绝缘体上高阻硅材料是上层硅和衬底硅的电阻率大于1千欧·厘米的绝缘体上硅材料。先进射频器件等要求高阻绝缘体上硅衬底和高阻晶圆，高阻衬底将极大地改善无源元件的性能。低阻硅是硅片掺杂B或者硅片基体含有金属。
2、硅芯片存储数据的原理是sram里面的单位是若干个开关组成一个触发器，形成可以稳定存储0， 1信号，同时可以通过时序和输入信号改变存储的值。
3、硅片测方阻的基本原理是利用压电效应在热力学平衡态下对半导体器件进行测量。在半导体晶片上的两个相邻点之间施加一个外部电场，会使晶片产生一个压力，从而改变晶片的形状和尺寸，造成晶片阻值的改变。
4、掺杂杂质以将离子注入晶片中，从而产生相应的P和N半导体。具体来说，工艺是从硅片上的曝光区域开始，放入化学离子混合溶液中。这个过程将改变掺杂区域的传导模式，使得每个晶体管可以被打开、关闭或传送数据。
5、唯一的办法就是由各个图书情报资料中心负责把各种情报存入硅片存储器，并用通信线路将其连接成网。这样，科技人员要查找某种资料和数据时，只要坐在办公室里操作计算机键盘，立即就会在计算机的荧光屏上显示出所要查询的内容。
太阳电池的短路电流密度由光子流密度和光谱响应、太阳电池表面的反射率决定.基区掺杂浓度减小，增大了基区的少子寿命或扩散长度，使载流子的损失减少，因此增大了长波光谱响应。
与锗相比，硅原子对电子的吸引力更大一些，使电子离开硅原子核需要的能量也就更大一些。
低阻硅片是一种电子材料，其电阻率通常在5x10^-5Ω·cm至5x10^-4Ω·cm之间。相较于传统的硅片而言，低阻硅片的电阻率更低，电子迁移速度更快，具有更好的导电性能，广泛应用于集成电路、半导体器件等领域。
这使得高阻硅片的电阻率非常高，在10^3-10^6Ω.cm之间。载流子浓度低：高阻硅片的硅晶体中几乎没有自由电子和空穴，因此其载流子浓度非常低，在10^10/cm^3以下。
1、相对于应用而言，电阻率当然是越高越好。电阻越高，少子寿命越长，光电转化效率越高。但是，对于生产而言，电阻率越高，物料需要越干净，相应成本也就越高。从运营角度而言，以市场需求为指导方向。
2、晶圆阻值不是越大越好。晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆，从硅片的使用来说，电阻率越大越好，这时硅片纯度较高，从制造成本来说，硅片纯度越高，则工艺过程成本越高。
3、电阻率过大说明硅片掺杂偏少，或者硅片基体含有补偿性杂质，如磷、氧等施主元素偏多。前者导致开压Voc低，短路电流Isc高，转换效率Eta不好说；后者不仅开压低而且短路电流低，转换效率一定低。
4、仅仅从“硅片电阻率达到50之高”，不好说“这样的硅片好不好”。硅片的电阻率可以是0.001~1000欧姆.厘米。关键看对你要做的工艺适不适合。
5、那要看是什么方面，如果是导线，那么自然是电阻率越小越好，因为电阻率越大，浪费越多。如果是利用电阻发热，那么自然是电阻率越大越好咯，像电磁炉什么的。
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