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mos管直连（mos管连接）

发布时间：2023-08-22
阅读量：22

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为什么mos管直接导通呢?bo是单片机的信号。假如单片机给了电压过去...

1、因为mos管是电压驱动原件，饱和导通时电压一般在10V以上，而单片机一般的供电电压是小于等于5V的。如果低压驱动mos管的话，mos管工作在截至区或放大区，可能得不到预计的结果。

2、三极管的导通条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压，就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，即硅管加0.7V；锗管加0.2V。

3、MOSFET开启电压5V的话，需要栅极电压高于源级电压5V才能导通，就是说如果源级电压是12V，栅极电压要12+5=17V才能导通。这个说的对。

MOS管是什么?

1、mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

2、MOS管：场效应管。采用绝缘栅结构的晶体三极管，输入阻抗高，输出呈电阻态。

3、它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管，简称MOS场效应管。(1)结构原理它的结构、电极及符号见图3所示，以一块P型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂质的N型区，作为源极S和漏极D。

用三极管直接驱动MOS可以吗,需要注意点什么?

1、答案是可以的！具体请参考如下分析：不过MOS驱动，有几个特别的需求 1，低压应用 当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有3V。

2、用三极管不如用ULN2803，一个ULN2803可以驱动8只MOS管。没有其他电路。 直接可以连接，简单方便。

3、mos管常用来电源开关，以及大电流本地开关电路。三极管比照廉价，用起来便当，常用在数字电路开关操控。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极操控电流比照活络的本地。

4、三极管的导通条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压，就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，即硅管加0.7V；锗管加0.2V。

N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...

1、主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。

2、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

3、n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

4、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

5、它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。

6、你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。

MOS管栅极和漏极直连,MOS管是不是就可以当二极管使用了?能否用其隔离两...

NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。NPN三极管也一样，如果偏压小于阈值电压，也相当于两个背靠背的二极管，不导通。

从而避免MOS管被烧坏。要考虑二极管的单向导通性，主要是其保护作用，G，S间的寄生电容较小，通常在几pf到10几pf左右。考虑到U=Q/C，故很容易在栅极上形成极高的ESD电压，所以通常会在G-S之间加上TVS，防止G-S击穿。

在MOS管中，栅极与源极之间加上一定的电压，可以改变栅极和源极之间的电阻，从而控制漏极和源极之间的电流。具体来说，MOS管的结构由栅极、漏极和源极组成。

控制漏极源极之间导通沟道的夹断和导通电阻。

MOS管做二极管都是在大电流场合做反接保护的，内阻低，都是毫欧级的。

为了MOS管的安全，高品质主板也开始为MOS管加装散热片了。

mos管通俗易懂的工作原理是什么?

1、mos管通俗易懂的工作原理：芯片MOS（Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体）管自上世纪中叶时期被发明以来，其工作原理变化不大（但材料和工艺随着制程演进变化较大）。

2、mos管工作原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。mos管是一种具有绝缘栅的FET，其中电压决定了器件的电导率。发明mos管是为了克服 FET中存在的缺点，如高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢的操作。

3、工作原理：MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。

4、发生表面电导的变化是因为施加的场将电子可用的能级改变到距离表面相当大的深度，这反过来又改变了表面区域中能级的占有率。对这种效应的典型处理是基于带弯曲图，该图显示了带边缘的能量位置作为材料深度的函数。

关键词：电阻 晶体三极管 二极管使用 mic mos管 三极管的导通条件 驱动mos管

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