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双极结型晶体管。大功率执行器常用开关控制器件是双极结型晶体管,双极结型晶体管电器开关是我们日常生活中常见的东西,是我们现在的生活不可或缺的。
电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。
典型的大功率器件包括大功率二极管、晶闸管SCR、双极型功率晶体管IGBT、功率晶体管GTR、IGCT、GTO、ETO、SIT等,900V以上的mosfet也可称为大功率器件,但是要看相应的电流等级。
断路器、接触器、中间继电器、热继电器、按钮、指示灯、万能转换开关和行程开关是电气控制回路中最常见的八种元件。部分元件简介 热继电器 热继电器是利用电流通过元件所产生的热效应原理而反时限动作的继电器。
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GTR(电力晶体管)耐高压,电流大开关特性好。GTR 耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低 开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题。
,电力晶体管(GTR) 。3,门极可关断晶闸管(GTO) 。4,功率场效应晶体管(Power MOSFET) 。
.单管GTRNPN三重扩散台面型结构是单管GIR的典型结构,这种结构可靠性高,能改善器件的二次击穿特性,易于提高耐压能力,并且易于耗散内部热量。
而大功率器件一般是指电压等级在1200V以上,电流在300A以上,输出功率比较大的电子元器件。
电力二极管为不可控器件,结构和原理简单,工作可靠;还可以分为电压驱动型器件和电流驱动型器件,其中GTO、GTR为电流驱动型器件,IGBT、电力MOSFET为电压驱动型器件。断路器是属于电力电子元器件的,不好证明。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
1、电力晶体管(GTR),属于电流控制电流全控型电力电子器件。绝缘栅场效应管(PMOS),属于电压控制电流全控型电力电子器件。绝缘栅双极晶体管(IGBT),属于电压控制电流全控型电力电子器件。
2、半控型器件,例如晶闸管;全控型器件,例如GTO(门极可关断晶闸管)、GTR(电力晶体管),Power MOSFET(电力场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管);不可控器件,例如电力二极管。
3、半控型器件,例如晶闸管;全控型器件,例如(门极可关断晶闸管)、GTR(电力晶体管),MOSFET(电力场效 应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管);不可控器件,例如电力二极管。
4、MOSFET (电力场效应晶体管)驱动电路简单,需要驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性高于GTR但是电流容量小。
5、门极可关断晶闸管(Gate Turn Off THyristor,GTO)。GTO可以通过在门极施加脉冲电流使其开通或关断,所以它是电流控制型的全控型器件。电力晶体管(Giant Transistor,GTR),GTR也是电流控制型器件。
6、半控型器件 就是只能触发开通,不能控制关断的器件。晶闸管典型半控型器件 全控型器件 既可以控制开通,又可以控制关断的器件。
GTO一般最高只能做到几百Hz,但功率较大,已达到3000A、4500V的容量。SCR 的频率一般不超过10KHz,电流可以到几千A,电压6000V以上。GTR目前其额定值已达1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。
其中属于双极器件的有:SCR、GTO、GTR以及IGBT;单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器,也叫晶闸管,主要用在类似于二极管的领域,其与二极管不同的是,正向工作时,可通过门极电流来触发导通。
半导体器件中开关速度最慢的是gto。比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是()A.GTO,B.GTR,C.P-MOSFET答案是A。
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