光耦计算（光耦测量）

发布时间：2023-08-22

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1、两个相对的二极管是瞬态电压抑制二极管。瞬态电压抑制二极管也称为TVS二极管，是一种保护用的电子零件，可以保护电器设备不受导线引入的电压尖峰破坏。TVS二极管有单向的及双向的。

2、问题三：电路中的二极管起什么作用起2个作用，箝位和隔离。所谓箝位，是利用二极管导通时其压降基本为恒定值(硅管约0.7V，锗管约0.3V)这一特性，将输入端的电压(电平)传送到输出端。

3、这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。在光耦电路设计中，有两个参数需要格外注意，一个是反向电压Vr，是指原边发光二极管所能承受的最大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。

4、反向并联一个二极管或者稳压管都是起到反向保护作用。防止反向电压过高击穿光耦的发光管。反向电压钳位在二极管的压降电压，大约0.7V左右，主要就不会反向击穿了。

光耦计算（光耦测量）

一般电流控制在5~20mA，最大50mA。用5V电源驱动，可以串联电阻R=5/0.01=500R，所以你可以选择电阻200R~1K，建议取值330~510R。

一般电流控制在5~20mA，最大50mA。用5V电源驱动，可以串联电阻R=5/0.01=500R，所以你可以选择电阻200R~1K，建议取值330~510R.在驱动电压恒定的情况下，串联电阻越大，电流越小。

极限电流可以达到50mA，但一般用到20mA就足够了。要同时满足5V、24V，要看你的输出负载情况。

moc3063光耦的工作电压和电流的参数如下：电压-断态： 600V，电流-通态（It（RMS））：（最大值） 25A，电压-栅极触发（Vgt）：（最大值）3V，电流-不重复浪涌（50，60Hz） 208A，250A。

例如，假设IF=10mA，VCEmax=30V。接下来可以计算出所需的电阻值。根据NPN晶体管的工作原理，可以得到以下公式：IB=IF*CTR，其中CTR是光耦的传输比，表示光耦输入光功率与输出电流之间的比值。

题主是否想询问“a332光耦可以触发电流吗”？可以。a332与A332J引脚功能是一样的，a332驱动电流5A而A332J驱动电流5A，也就是所谓的驱动电流都是在2~20mA2，可以代换a332也就是说明可以触发电流的。

这两个电阻的选定要求不是很高，因为可控硅一旦导通，两端电压几乎为零，这样虽然电源电压有交流110V，但是对可控硅触发和光耦来说，只是一个脉冲，不会因为触发电流太大而烧坏。

接下来可以计算出所需的电阻值。根据NPN晶体管的工作原理，可以得到以下公式：IB=IF*CTR，其中CTR是光耦的传输比，表示光耦输入光功率与输出电流之间的比值。因此，可以得到CTR=IB/IF=10mA/10mA=1。

光耦的输入端可以看做一个发光二极管来计算。限流20ma。输入电压减去二极管压降再除以20ma就是r1的阻值。

R=(Vc-1)/If；限流+分流时，限流电阻：R=(Vc-1)/(If+Ir)，分流电阻：r=1/Ir。

可控硅的导通的条件：两级有电压，G极有触发信号。两者缺一不可。光耦控制端加1高电平时，光耦导通，两个电阻RR10和光耦形成回路。

光耦发光二极管导通电压不是一个定值，一是产品参数有离散性，二是发光二极管导通电压有温度系数。但是差别不是很大，如上图，就可以按2v这个典型值计算。计算限流分流电阻值时，根据限流电流值，参考以上参数计算。

算吧，光电耦合器端电压3V，10mA，那么电阻上压降217V，电流10mA.217/0.01A=21700欧=27K，电容是滤波电容，可用400V100微法即可，建议你用这个阻容降压电路。

R=(Vc-1)/(If+Ir)，分流电阻：r=1/Ir。