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因功率MOSFET具有开关速度快,峰值电流大,容易驱动,安全工作区宽,dV/dt耐量高等优点,在小功率电子设备中得到了广泛应用。
MOS的输入相当于一个电容负载,这个电容是影响MOS开关速度的主要因素,所以要求驱动电路必须能提供足够大的充放电能力。
第一点:电力 MOSFET 大多采用了垂直导电结构,增大了通过电流的有效面积,使其能够承受更大的电流。第二点:电力通常需要高压大电流的mosfet,信息电子电路相比电力,电压和电流都小很多,mosfet的耐压和电流自然小些。
1、栅极电阻大小对开关过程影响的物理原因是栅极电阻小,给门极电容充电速度就快,电流变化就快。栅极电阻的存在势必会影响开关速度,即电容的充放电速度。为了减少谐波,可以通过增加栅极电阻来缩短开关时间。但是这将增加开关损耗。
2、当IGBT栅极引线的电感值较大时,会导致栅极驱动信号的上升时间变慢,因为电感会阻碍电流的变化,从而降低栅极的响应速度。
3、IGBT的栅极电阻是连接到IGBT内部G极的电阻,其中又有外部和内部之分,外部栅极电阻是驱动板上外接的电阻,内部栅极电阻每个IGBT内部集成固有的,具体值可以查看技术手册。IBGT的栅极电阻影响IGBT开关快慢及开关损耗。
4、调节功率开关器件的通断速度栅极电阻小,开关器件通断快,开关损耗小;反之则慢,同时开关损耗大。
5、对IGBT本身消耗功率影响比较大的是开关时间,门极的电容造成的影响。门极电容导致开通时间和关断时间较长,所以处于放大区的时间较长,导致耗散功率较大。
6、电流加大,对开通关断时间影响很小。振荡主要是你的驱动板到IGBT的距离太远,用线太长,尽量短,用双绞线。
1、IGBT因为有拖尾现象所以一般频率不如MOS管,超过100KHz就算很高了,而VMOS就可以更高。 SCR频率就低了一般也就几百Hz,GTO比SCR高不了多少,GTR稍高可到几K最多几十K。
2、其中属于双极器件的有:SCR、GTO、GTR以及IGBT;单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器,也叫晶闸管,主要用在类似于二极管的领域,其与二极管不同的是,正向工作时,可通过门极电流来触发导通。
3、GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
1、三极管小信号模型基射电阻rbe=rbb‘+β*Ut/Icq,其中rbb’为基极电阻,约为150~200Ω,Ut常温下约为26mV,Icq为集极静态电流。三极管跨导gm=Icq/Ut,Ut约为26mV,在忽略rbb‘时,gm≈β/rbe。
2、截止状态 当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,即为三极管的截止状态。
3、三极管各极电压计算公式:Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。
4、当三极管处于放大状态时,Uce的数值是比较大的,而在饱和状态下,这个值大概只有0.3-1V作用的样子。
5、的fT是150M,意思是用作放大时,时间是 1/150000000 秒。虽然开关应用时,速度是要比放大时要慢的,但怎么说也远远不可能是零点几秒!开关速度是由整个电路决定的。不是说三极管本身是多少,这个电路就是多少。
6、就分立元件而言,是三极管的速度快,一般的产品目录上三极管都标注其带宽,而MOS管都不标注带宽或相应时间等和速度相关的参数。有些三极管的数据手册中给出上升时间、下降时间或导通时间、截止时间,这就是它的开关速度参数。
选用截止频率高、电流放大倍数高的管子;适当控制管子的饱和、截止深度,不要过分深度饱和和深度截止。管子退出饱和和离开截止是需要时间的;控制管子开关的若是脉冲信号,可在基级串联的限流电阻上并联加速电容。
露中晶体三极管选定后,通常利用晶体三极管选用以后利用。利用那个电子的那个电容来提高开关速度啊。
如何提高晶体管的开关速度?——可以从器件设计和使用技术两个方面来加以考虑。(1)晶体管的开关时间:晶体管的开关波形如图1所示。
提高半导体三极管开关速度的关键是缩短开关时间,即延迟时间、上升时间、存储时间,下降时间。
使B/E极电位差很小,保护了三极管,防止三极管BE结击穿,起保护作用。而真正要使三极管加速关断,则需要在BE结瞬间加负电压(可以参考CRT电视行输出级行管开关工作,或者开关电源的开关管也是这样的),这才是加速关断。
很简单,开关速度取决你驱动电流的大小。如果有驱动电阻,减小驱动电阻就可以增加打开速度,如果没有驱动电阻的话就得更换MOSFET了,选择Cgs小的,打开速度会更快。关闭的话最好外加电路。
晶体管的开关速度即由其开关时间来表征,开关时间越短,开关速度就越快。BJT的开关过程包含有开启和关断两个过程,相应地就有开启时间ton和关断时间toff,晶体管的总开关时间就是ton与toff之和。
开关速度低的每秒几万次,高的能够达到每秒几百兆次,这和它们的截止频率有关,还和PN结的工作温度有关,当温度升高的时候,开关速度会下降。
这是由三极管本身决定的,要提高就只能换器件了。
能工作的频率越高,开关速度越大。三极管能达到的开关速度最大,场效应管的开关速度最小。开关管的速度不一定大,但导通时的电压很小,这一点非常有用。
每个三极管都有它的频率特性,即表示它每秒钟最高可通断多少次,也就是它的开关速度,在选择时不可超过它的最高频率。
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