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1、热敏特性 半导体的电阻率随温度变化会发生明显地改变。例如纯锗,湿度每升高10度,它的电阻率就要减小到原来的1/2。温度的细微变化,能从半导体电阻率的明显变化上反映出来。
2、半导体主要有三个特性,即光敏特性.热敏特性和掺杂特性。所谓光敏特性是指某些半导体受到强烈光芒照射时,其导电性能大大增强;光芒移开后,其导电性能大大减弱。
3、半导体的四个特性:电阻率的负温度特性、光照导电效应、光伏现象、整流效应。1833年,法拉第发现了硫化银的电阻随着温度的变化而显现出的特性与一般金属不同。
1、光敏二极管——Photodiode,缩写PD。这是一种利用硅PN结受光照后产生光电流的光电器件。
2、当光电二极管被用在光通信系统中时,这些参数直接决定了光接收器的灵敏度,即获得指定比特误码率(bit error rate)的最小输入功率。
3、不同型号的光敏二极管在同一反偏电压、同一强度的入射光照射下,所产生的光电流最大值也不相同,且光电流最大值所对应的入射光的波长也不相同。图2的曲线①、②分别是光敏二极管ndl3200、ndl5800c的光谱响应特性曲线。
)亮电阻(kΩ):指光敏电阻器受到光照射时的电阻值。2)暗电阻(MΩ):指光敏电阻器在无光照射(黑暗环境)时的电阻值。
光敏电阻的主要参数:(1)光电流、亮电阻。光敏电阻器在一定的外加电压下,当有光照射时,流过的电流称为光电流,外加电压与光电流之比称为亮电阻,常用“100LX”表示。(2)暗电流、暗电阻。
灵敏度是指光敏电阻的暗电阻与亮电阻的相对变化。它主要表示了光敏电阻对照射光的敏感度,是光敏电阻的主要参数之一。最高工作电压 最高工作电压是指光敏电阻在额定功率下工作时所能承受的最高电压。
强光照射光敏电阻受光面时,电阻值<1KΩ,光敏电阻受光面遮光时,电阻值>1MΩ。直接串联在一节干电池上是不可以的,应采用光敏电阻、电阻、三极管和发光二极管组成模拟开关电路来作感光实验。
光敏电阻器的主要参数有亮电阻(RL)、暗电阻(RD)、最高工作电压(VM)、亮电流(IL)、暗电流(ID)、时间常数、温度系数灵敏度等。 1.亮电阻 亮电阻是指光敏电阻器受到光照射时的电阻值。
光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换,型号参数一般有以下几点:暗电阻、亮电阻 光敏电阻在室温和全暗条件下测得的稳定电阻值称为暗电阻,或暗阻。此时流过的电流称为暗电流。
1、④ 晶闸管:晶闸管导通条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。
2、基本的半导体器件主要有以下几种:pn结二极管,金属氧化物场效应晶体管(MOS),双极晶体管(BJT),结型场效应晶体管。pn结二极管结构:其中pn结二极管由n型半导体和p型半导体接触产生。
3、半导体发光器件是一种将电能转换成光能的器件。它包括发光二极管、红外光源、半导体发光数字管等。1·发光二极管发光二极管的管芯也是一个PN结,并具有单向导电性。
W-10W 的手电筒500-1000LM了。
手电筒上用的LED的功率不一定,一般10CM以下的袖珍手电筒上使用1-3W的LED,而大一点的一般在3-5W,甚至10W的LED,再大一点使用多节18650电池的手电筒,则可以使用20-50W的LED。
强光手电的亮度为可视距离达5000米以上,照射距离可达100米以上,最高亮度一百流明。户外活动环境复杂,谁也不能保证会面临什么样的情况,在需要高亮度照明时,手电却力不从心是很危险的。
最高流明是2400。强光手电是以发光二极管作为光源的一种新型照明工具,它具有省电、耐用、亮度强等优点。
半导体发光器件是一种将电能转换成光能的器件。它包括发光二极管、红外光源、半导体发光数字管等。1·发光二极管发光二极管的管芯也是一个PN结,并具有单向导电性。
目前半导体元件包括 : 二极管、三极管、场效应管、晶闸管、达林顿管、LED以及含有半导体管的集成块、芯片等。
半导体光电子器件的原理是激励方式,利用半导体物质(既利用电子)在能带间跃迁发光,用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜,组成谐振腔,使光振荡、反馈、产生光的辐射放大,输出激光。
LED是英文light emitting diode(发光二极管)的缩写,它是半导体制成的光电器件,可将电能转换为光能。
基本的半导体器件主要有以下几种:pn结二极管,金属氧化物场效应晶体管(MOS),双极晶体管(BJT),结型场效应晶体管。pn结二极管结构:其中pn结二极管由n型半导体和p型半导体接触产生。
半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件(热敏电阻);利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件,像光电池、光电管和光敏电阻等。
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